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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 INFINEON 3177178.pdf Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
46+5.06 EUR
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1 IPDQ60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.37 EUR
8+31.39 EUR
10+25.06 EUR
50+24.82 EUR
100+20.86 EUR
250+20.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1 IPDQ60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.06 EUR
50+24.82 EUR
100+20.86 EUR
250+20.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON infineon-ff2000uxtr23t2m1p-datasheet-ja.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 675A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6542.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+68.71 EUR
50+64.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5ATMA1 IQDH35N03LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
45+5.18 EUR
100+3.77 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 INFINEON IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.82 EUR
38+6.13 EUR
100+5.01 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5ATMA1 IQDH35N03LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 INFINEON IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.01 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
44+5.33 EUR
100+4.44 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.44 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
121+1.93 EUR
182+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
122+1.9 EUR
157+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
150+1.56 EUR
219+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
122+1.9 EUR
157+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
150+1.56 EUR
219+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
308+0.75 EUR
396+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 CYUSB2318BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619271.pdf Description: INFINEON - CYUSB2318BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.41 EUR
10+33.61 EUR
25+29.05 EUR
50+27.98 EUR
100+26.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 CYUSB2317BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619271.pdf Description: INFINEON - CYUSB2317BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.1 EUR
10+31.86 EUR
25+27.52 EUR
50+26.5 EUR
100+25.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 CYUSB2316BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619270.pdf Description: INFINEON - CYUSB2316BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.78 EUR
10+30.1 EUR
25+25.98 EUR
50+25 EUR
100+24.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 CYUSB2315BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619270.pdf Description: INFINEON - CYUSB2315BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.41 EUR
10+26.04 EUR
25+22.43 EUR
50+21.57 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON 3920476.pdf Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.2 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON 3920476.pdf Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
USB0010TOBO1 USB0010TOBO1 INFINEON Infineon-USB0010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a4701958b03695f41c7 Description: INFINEON - USB0010TOBO1 - USB-Dongle, XDP Designer GUI V2.0-Systemplatine, USB auf I2C, 5V
tariffCode: 84718000
Art des Zubehörs: USB-Dongle
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Systemplatine XDP Designer GUI V2.0 von Infineon
Produktpalette: -
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+178.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
128+1.82 EUR
144+1.5 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R048M1HXUMA1 IMT65R048M1HXUMA1 INFINEON 3974513.pdf Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.81 EUR
14+16.66 EUR
20+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R048M1HXUMA1 IMT65R048M1HXUMA1 INFINEON 3974513.pdf Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.02 EUR
15+15.66 EUR
19+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 FF2000UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON infineon-ff2000uxtr23t2m1-datasheet-ja.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6692.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 INFINEON 3177178.pdf Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
Verlustleistung: 1.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+203.37 EUR
5+176.12 EUR
10+150.82 EUR
50+147.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.45 EUR
60+3.88 EUR
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.52 EUR
19+12.74 EUR
100+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM535U6DXKMA1 IM535U6DXKMA1 INFINEON Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd Description: INFINEON - IM535U6DXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+46.51 EUR
7+36.39 EUR
10+27.31 EUR
50+24.59 EUR
100+21.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3205NHUMA1 BTS3205NHUMA1 INFINEON 1932152.pdf Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 900mA
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
115+1.87 EUR
250+1.62 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3205NHUMA1 BTS3205NHUMA1 INFINEON 1932152.pdf Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 900mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
86+2.71 EUR
96+2.25 EUR
115+1.87 EUR
250+1.62 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALDCLINKDPTTOBO1 EVALDCLINKDPTTOBO1 INFINEON infineon-eval-dclink-dpt-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - EVALDCLINKDPTTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, 800V, Doppelimpuls-DUT-Board EVAL-1ED3144MC12H-SIC
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Evaluationsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Eval-1ED3144MC12H-SIC/Eval-1ED3144MC12H-QDPAK Double Pulse DUT-Boards, modulare Evaluationsplattform von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1073.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGM787U50E6327XUMA1 BGM787U50E6327XUMA1 INFINEON Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WF2BGA
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.7GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 600MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: -
Verstärkung, typ.: 21dB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
250+3.4 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGM787U50E6327XUMA1 BGM787U50E6327XUMA1 INFINEON Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WF2BGA
Rauschmaß, typ.: 0.8dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -
Verstärkung: 21dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WF2BGA
Frequenz, min.: 600MHz
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.7GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 600MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: -
Verstärkung, typ.: 21dB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
52+4.47 EUR
55+3.9 EUR
58+3.75 EUR
100+3.59 EUR
250+3.4 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTM9021EPXUMA1 BTM9021EPXUMA1 INFINEON Infineon-BTM9020EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939aa0a5a646fe Description: INFINEON - BTM9021EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 2 Ausgänge, 7-18V, SDI, SCLK, CS, SDO, -40-150°C TSSOP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
250+3.56 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49SRC8XUMA1 TLE49SRC8XUMA1 INFINEON 4163372.pdf Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
31+7.68 EUR
32+6.7 EUR
50+6.53 EUR
100+6.32 EUR
250+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49SRC8XUMA1 TLE49SRC8XUMA1 INFINEON 4163372.pdf Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.32 EUR
250+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF3MR12KM1HSHPSA1 FF3MR12KM1HSHPSA1 INFINEON infineon-ff3mr12km1h-s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+839.09 EUR
5+763.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1300UXTR23T2M1BPSA1 FF1300UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON 4607948.pdf Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7894.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1000UXTR23T2M1BPSA1 FF1000UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON 4607946.pdf Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.33 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.33kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10075.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSA14M3N10E6327XTSA1 BGSA14M3N10E6327XTSA1 INFINEON 4384420.pdf Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.a
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
304+0.76 EUR
390+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSA14M3N10E6327XTSA1 BGSA14M3N10E6327XTSA1 INFINEON 4384420.pdf Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.a
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
304+0.76 EUR
390+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N015ATMA1 IAUCN04S7N015ATMA1 INFINEON 4146084.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
127+1.7 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDWD120E65E7XKSA1 IDWD120E65E7XKSA1 INFINEON 4130666.pdf Description: INFINEON - IDWD120E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 2.1 V, 98 ns, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 98ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.92 EUR
46+5.13 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON 2849756.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
252+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
65+3.57 EUR
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1 IPT047N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPT047N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f9a39557140f Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1 IPT047N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPT047N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f9a39557140f Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
35+6.64 EUR
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1 IPT009N06NM5ATMA1 INFINEON 4000742.pdf Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.09 EUR
26+9.19 EUR
100+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1 INFINEON 4409636.pdf Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.95 EUR
29+8.01 EUR
100+6.51 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190CFD7AATMA1 3177178.pdf
IPB65R190CFD7AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.29 EUR
46+5.06 EUR
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1 Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b
IPDQ60R017S7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+38.37 EUR
8+31.39 EUR
10+25.06 EUR
50+24.82 EUR
100+20.86 EUR
250+20.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1 Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b
IPDQ60R017S7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.06 EUR
50+24.82 EUR
100+20.86 EUR
250+20.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 infineon-ff2000uxtr23t2m1p-datasheet-ja.pdf
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 675A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6542.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243
IMCQ120R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+68.71 EUR
50+64.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f
IQDH35N03LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.38 EUR
45+5.18 EUR
100+3.77 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.82 EUR
38+6.13 EUR
100+5.01 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f
IQDH35N03LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.01 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.07 EUR
44+5.33 EUR
100+4.44 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.44 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N03S4L04ATMA1 INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N03S4L04ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
121+1.93 EUR
182+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1.pdf
ISZ028N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
122+1.9 EUR
157+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC028N03LF2SATMA1
ISC028N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.23 EUR
150+1.56 EUR
219+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1.pdf
ISZ028N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
122+1.9 EUR
157+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC028N03LF2SATMA1
ISC028N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.23 EUR
150+1.56 EUR
219+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+1.34 EUR
308+0.75 EUR
396+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 4619271.pdf
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2318BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+45.41 EUR
10+33.61 EUR
25+29.05 EUR
50+27.98 EUR
100+26.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 4619271.pdf
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2317BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+43.1 EUR
10+31.86 EUR
25+27.52 EUR
50+26.5 EUR
100+25.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 4619270.pdf
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2316BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+40.78 EUR
10+30.1 EUR
25+25.98 EUR
50+25 EUR
100+24.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 4619270.pdf
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2315BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+35.41 EUR
10+26.04 EUR
25+22.43 EUR
50+21.57 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1 3920476.pdf
IPB013N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.2 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1 3920476.pdf
IPB013N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
USB0010TOBO1 Infineon-USB0010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a4701958b03695f41c7
USB0010TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - USB0010TOBO1 - USB-Dongle, XDP Designer GUI V2.0-Systemplatine, USB auf I2C, 5V
tariffCode: 84718000
Art des Zubehörs: USB-Dongle
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Systemplatine XDP Designer GUI V2.0 von Infineon
Produktpalette: -
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+178.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB640E6327HTSA1 SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB640E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.02 EUR
128+1.82 EUR
144+1.5 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R048M1HXUMA1 3974513.pdf
IMT65R048M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+22.81 EUR
14+16.66 EUR
20+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R048M1HXUMA1 3974513.pdf
IMT65R048M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+20.02 EUR
15+15.66 EUR
19+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 infineon-ff2000uxtr23t2m1-datasheet-ja.pdf
FF2000UXTR23T2M1BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6692.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190CFD7AATMA1 3177178.pdf
IPB65R190CFD7AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
Verlustleistung: 1.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+203.37 EUR
5+176.12 EUR
10+150.82 EUR
50+147.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
IAUC100N08S5N031ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFN-S-A0008597355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N08S5N031ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.45 EUR
60+3.88 EUR
100+2.49 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+20.52 EUR
19+12.74 EUR
100+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM535U6DXKMA1 Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd
IM535U6DXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IM535U6DXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+46.51 EUR
7+36.39 EUR
10+27.31 EUR
50+24.59 EUR
100+21.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3205NHUMA1 1932152.pdf
BTS3205NHUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 900mA
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
115+1.87 EUR
250+1.62 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3205NHUMA1 1932152.pdf
BTS3205NHUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 900mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.62 EUR
86+2.71 EUR
96+2.25 EUR
115+1.87 EUR
250+1.62 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALDCLINKDPTTOBO1 infineon-eval-dclink-dpt-usermanual-en.pdf
EVALDCLINKDPTTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALDCLINKDPTTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, 800V, Doppelimpuls-DUT-Board EVAL-1ED3144MC12H-SIC
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Evaluationsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Eval-1ED3144MC12H-SIC/Eval-1ED3144MC12H-QDPAK Double Pulse DUT-Boards, modulare Evaluationsplattform von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1073.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGM787U50E6327XUMA1 Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a
BGM787U50E6327XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WF2BGA
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.7GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 600MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: -
Verstärkung, typ.: 21dB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
250+3.4 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGM787U50E6327XUMA1 Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a
BGM787U50E6327XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WF2BGA
Rauschmaß, typ.: 0.8dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -
Verstärkung: 21dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WF2BGA
Frequenz, min.: 600MHz
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.7GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 600MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: -
Verstärkung, typ.: 21dB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
52+4.47 EUR
55+3.9 EUR
58+3.75 EUR
100+3.59 EUR
250+3.4 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTM9021EPXUMA1 Infineon-BTM9020EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939aa0a5a646fe
BTM9021EPXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9021EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 2 Ausgänge, 7-18V, SDI, SCLK, CS, SDO, -40-150°C TSSOP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.88 EUR
250+3.56 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49SRC8XUMA1 4163372.pdf
TLE49SRC8XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.45 EUR
31+7.68 EUR
32+6.7 EUR
50+6.53 EUR
100+6.32 EUR
250+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49SRC8XUMA1 4163372.pdf
TLE49SRC8XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.32 EUR
250+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF3MR12KM1HSHPSA1 infineon-ff3mr12km1h-s-datasheet-en.pdf
FF3MR12KM1HSHPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+839.09 EUR
5+763.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1300UXTR23T2M1BPSA1 4607948.pdf
FF1300UXTR23T2M1BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7894.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1000UXTR23T2M1BPSA1 4607946.pdf
FF1000UXTR23T2M1BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.33 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.33kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10075.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSA14M3N10E6327XTSA1 4384420.pdf
BGSA14M3N10E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.a
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+1.18 EUR
304+0.76 EUR
390+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSA14M3N10E6327XTSA1 4384420.pdf
BGSA14M3N10E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.a
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+1.18 EUR
304+0.76 EUR
390+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N015ATMA1 4146084.pdf
IAUCN04S7N015ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
127+1.7 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2407TRPBF INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2407TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDWD120E65E7XKSA1 4130666.pdf
IDWD120E65E7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD120E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 2.1 V, 98 ns, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 98ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.92 EUR
46+5.13 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S55R4ATMA1 2849756.pdf
IPZ40N04S55R4ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
195+1.19 EUR
252+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.95 EUR
65+3.57 EUR
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1 Infineon-IPT047N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f9a39557140f
IPT047N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1 Infineon-IPT047N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f9a39557140f
IPT047N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.79 EUR
35+6.64 EUR
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1 4000742.pdf
IPT009N06NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.09 EUR
26+9.19 EUR
100+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQDH88N06LM5SCATMA1 4409636.pdf
IQDH88N06LM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.95 EUR
29+8.01 EUR
100+6.51 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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