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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TLE4971A025N5UE0001XUMA1 TLE4971A025N5UE0001XUMA1 INFINEON 3795157.pdf Description: INFINEON - TLE4971A025N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Stromsensor: Hall-Effekt, linear
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.88 EUR
33+7.06 EUR
35+6.16 EUR
50+5.46 EUR
100+5.44 EUR
250+5.08 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4971A120N5UE0001XUMA1 TLE4971A120N5UE0001XUMA1 INFINEON 3795157.pdf Description: INFINEON - TLE4971A120N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.15 EUR
20+11.72 EUR
25+9.83 EUR
50+9.15 EUR
100+8.48 EUR
250+7.88 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4971A075N5UE0001XUMA1 TLE4971A075N5UE0001XUMA1 INFINEON Infineon-TLE4971_8-5-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183794fce5f2ca8 Description: INFINEON - TLE4971A075N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.11 EUR
24+9.67 EUR
26+8.46 EUR
50+7.5 EUR
100+7.24 EUR
250+6.99 EUR
500+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBF IRF7946TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
60+3.9 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
42+5.59 EUR
100+4.22 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 REFICC80QSG84W1BPATOBO1 INFINEON Infineon-Reference_design_REF_ICC80QSG_84W1_BPA-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180e09fd7c9720a Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM005TOBO1 KITLGPWRBOM005TOBO1 INFINEON 3763577.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
169+1.38 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHA020 S80KS2563GABHA020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.06 EUR
12+20.93 EUR
25+18.74 EUR
50+18.44 EUR
100+18.23 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHM020 S80KS2563GABHM020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.81 EUR
25+21.31 EUR
50+20.97 EUR
100+20.73 EUR
250+20.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHB020 S80KS2563GABHB020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.71 EUR
10+30.65 EUR
25+23.43 EUR
50+21.02 EUR
100+19.41 EUR
200+18.1 EUR
500+17.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
20+11.85 EUR
25+10.88 EUR
50+10.79 EUR
100+10.73 EUR
250+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHV020 S80KS2563GABHV020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.31 EUR
14+16.68 EUR
25+14.93 EUR
50+14.89 EUR
100+14.84 EUR
250+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
991+0.24 EUR
1260+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
53+4.43 EUR
250+3.11 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C3866LTI-030 CY8C3866LTI-030 INFINEON 2092047.pdf Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
123+1.89 EUR
193+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
209+1.11 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
123+1.89 EUR
193+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
228+1.02 EUR
274+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
228+1.02 EUR
274+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
94+2.49 EUR
141+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.69 EUR
224+1.04 EUR
300+0.71 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.69 EUR
224+1.04 EUR
300+0.71 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.56 EUR
242+0.96 EUR
343+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
141+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
209+1.11 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
124+1.88 EUR
189+1.13 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
75+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
210+1.11 EUR
264+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
210+1.11 EUR
264+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.56 EUR
242+0.96 EUR
343+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS70E6327HTSA1 BAS70E6327HTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
393+0.6 EUR
695+0.31 EUR
935+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.22 EUR
19+12.41 EUR
25+10.92 EUR
50+10.22 EUR
100+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.22 EUR
19+12.41 EUR
25+10.92 EUR
50+10.22 EUR
100+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2186SPBF IRS2186SPBF INFINEON 1935546.pdf Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.54 EUR
36+6.47 EUR
39+5.51 EUR
50+5.33 EUR
100+4.41 EUR
250+4.28 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 INFINEON 2144218.pdf Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
250+2.87 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.46 EUR
2500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
82+2.83 EUR
91+2.38 EUR
101+2.13 EUR
250+2.08 EUR
500+2.05 EUR
1000+2 EUR
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
101+2.13 EUR
250+2.08 EUR
500+2.05 EUR
1000+2 EUR
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN8550BXTSA1 1EDN8550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
110+2.13 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON 2077577.pdf Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
133+1.75 EUR
170+1.26 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 INFINEON 2718718.pdf Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
296+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WLC1115-68LQXQ WLC1115-68LQXQ INFINEON 4014348.pdf Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wireless-Charging-IC: Sender
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
26+9.14 EUR
29+7.56 EUR
50+7.28 EUR
100+7.01 EUR
250+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.77 EUR
15+15.48 EUR
18+12.48 EUR
50+12 EUR
100+11.48 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.77 EUR
15+15.48 EUR
18+12.48 EUR
50+12 EUR
100+11.48 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
200+5.08 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
152+1.54 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4971A025N5UE0001XUMA1 3795157.pdf
TLE4971A025N5UE0001XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4971A025N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Stromsensor: Hall-Effekt, linear
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.88 EUR
33+7.06 EUR
35+6.16 EUR
50+5.46 EUR
100+5.44 EUR
250+5.08 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4971A120N5UE0001XUMA1 3795157.pdf
TLE4971A120N5UE0001XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4971A120N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.15 EUR
20+11.72 EUR
25+9.83 EUR
50+9.15 EUR
100+8.48 EUR
250+7.88 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4971A075N5UE0001XUMA1 Infineon-TLE4971_8-5-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183794fce5f2ca8
TLE4971A075N5UE0001XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4971A075N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.11 EUR
24+9.67 EUR
26+8.46 EUR
50+7.5 EUR
100+7.24 EUR
250+6.99 EUR
500+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBF INFN-S-A0012827062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7946TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.09 EUR
60+3.9 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.77 EUR
42+5.59 EUR
100+4.22 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+3.99 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 Infineon-Reference_design_REF_ICC80QSG_84W1_BPA-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180e09fd7c9720a
REFICC80QSG84W1BPATOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM005TOBO1 3763577.pdf
KITLGPWRBOM005TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+113.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF description IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7241TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
169+1.38 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHA020 3681667.pdf
S80KS2563GABHA020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.06 EUR
12+20.93 EUR
25+18.74 EUR
50+18.44 EUR
100+18.23 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHM020 3681667.pdf
S80KS2563GABHM020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.81 EUR
25+21.31 EUR
50+20.97 EUR
100+20.73 EUR
250+20.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHB020 3681667.pdf
S80KS2563GABHB020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.71 EUR
10+30.65 EUR
25+23.43 EUR
50+21.02 EUR
100+19.41 EUR
200+18.1 EUR
500+17.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHI020 CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS2563GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.7 EUR
20+11.85 EUR
25+10.88 EUR
50+10.79 EUR
100+10.73 EUR
250+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHV020 3681667.pdf
S80KS2563GABHV020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.31 EUR
14+16.68 EUR
25+14.93 EUR
50+14.89 EUR
100+14.84 EUR
250+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
582+0.43 EUR
991+0.24 EUR
1260+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1 INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC320N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.62 EUR
53+4.43 EUR
250+3.11 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C3866LTI-030 2092047.pdf
CY8C3866LTI-030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+39.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
123+1.89 EUR
193+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0904NSIATMA1 INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
209+1.11 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
123+1.89 EUR
193+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0506NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1.44 EUR
228+1.02 EUR
274+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0506NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1.44 EUR
228+1.02 EUR
274+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9
BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
94+2.49 EUR
141+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.69 EUR
224+1.04 EUR
300+0.71 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.69 EUR
224+1.04 EUR
300+0.71 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.56 EUR
242+0.96 EUR
343+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9
BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
141+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0904NSIATMA1 INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
209+1.11 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ120P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
124+1.88 EUR
189+1.13 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.32 EUR
75+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
210+1.11 EUR
264+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
210+1.11 EUR
264+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.56 EUR
242+0.96 EUR
343+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS70E6327HTSA1 45894.pdf
BAS70E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.86 EUR
393+0.6 EUR
695+0.31 EUR
935+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.22 EUR
19+12.41 EUR
25+10.92 EUR
50+10.22 EUR
100+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.22 EUR
19+12.41 EUR
25+10.92 EUR
50+10.22 EUR
100+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2186SPBF 1935546.pdf
IRS2186SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.54 EUR
36+6.47 EUR
39+5.51 EUR
50+5.33 EUR
100+4.41 EUR
250+4.28 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4247AXI-M485 2144218.pdf
CY8C4247AXI-M485
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS25411STRPBF IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS25411STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
250+2.87 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.46 EUR
2500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
82+2.83 EUR
91+2.38 EUR
101+2.13 EUR
250+2.08 EUR
500+2.05 EUR
1000+2 EUR
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.38 EUR
101+2.13 EUR
250+2.08 EUR
500+2.05 EUR
1000+2 EUR
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN8550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN8550BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.75 EUR
110+2.13 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7524FXTMA1 2077577.pdf
2EDN7524FXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
133+1.75 EUR
170+1.26 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN8511BXUSA1 2718718.pdf
1EDN8511BXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
296+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WLC1115-68LQXQ 4014348.pdf
WLC1115-68LQXQ
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wireless-Charging-IC: Sender
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.59 EUR
26+9.14 EUR
29+7.56 EUR
50+7.28 EUR
100+7.01 EUR
250+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.77 EUR
15+15.48 EUR
18+12.48 EUR
50+12 EUR
100+11.48 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.77 EUR
15+15.48 EUR
18+12.48 EUR
50+12 EUR
100+11.48 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB073N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.83 EUR
200+5.08 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF description INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7413ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
152+1.54 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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