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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF009N04NF2SATMA1 IPF009N04NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF009N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12d0af6afd Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A0HTSA1 TLE493DW2B6A0HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
250+2.11 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A2HTSA1 TLE493DW2B6A2HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
250+2.2 EUR
500+2.08 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A3HTSA1 TLE493DW2B6A3HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
250+2.27 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A1HTSA1 TLE493DW2B6A1HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
250+2.17 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
2500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 8166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
101+2.32 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
110+2.13 EUR
136+1.58 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
148+1.57 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
130+1.78 EUR
191+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 8166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.52 EUR
101+2.32 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
122+1.9 EUR
178+1.2 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
145+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R060M1HXKSA1 IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON 2830781.pdf Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.17 EUR
11+21.42 EUR
14+15.37 EUR
50+13.68 EUR
100+12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON 2830780.pdf Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+41.55 EUR
8+32.07 EUR
10+23.56 EUR
50+21.96 EUR
100+20.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R007M1HXKSA1 IMZA120R007M1HXKSA1 INFINEON 3704048.pdf Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+118.83 EUR
5+97.37 EUR
10+77.89 EUR
50+76.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 INFINEON 3704051.pdf Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.57 EUR
10+23.97 EUR
50+16.36 EUR
100+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R014M1HXKSA1 IMZA120R014M1HXKSA1 INFINEON 3704049.pdf Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.63 EUR
10+47.39 EUR
50+46.18 EUR
100+44.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON 3704050.pdf Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.68 EUR
6+40.7 EUR
10+29.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
52+4.52 EUR
100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 9964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
50+5.62 EUR
100+4.61 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON 4014765.pdf Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.02 EUR
6000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 9964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.61 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.22 EUR
32+7.33 EUR
50+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.08 EUR
200+5.08 EUR
500+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: XMC1000
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
55+4.3 EUR
61+3.56 EUR
100+3.17 EUR
250+3.06 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: XMC1000
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
250+3.06 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4090QEPDXUMA1 ITS4090QEPDXUMA1 INFINEON 2792934.pdf Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
36+6.5 EUR
39+5.52 EUR
50+5.27 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4090QEPDXUMA1 ITS4090QEPDXUMA1 INFINEON 2792934.pdf Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
36+6.5 EUR
39+5.52 EUR
50+5.27 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4929CXAFM28HAMA1 TLE4929CXAFM28HAMA1 INFINEON 3919304.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
56+4.18 EUR
59+3.69 EUR
61+3.53 EUR
100+3.38 EUR
250+3.26 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-213043-02 CYBT-213043-02 INFINEON INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -95dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.47 EUR
11+19.71 EUR
50+18.27 EUR
100+17.22 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
50+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
48+4.86 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.2 EUR
30+7.91 EUR
100+5.31 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.47 EUR
41+5.76 EUR
100+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.02 EUR
79+2.95 EUR
250+2.4 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.97 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 INFINEON 3049653.pdf Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
50+5.74 EUR
250+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42662GSV33HTMA2 TLE42662GSV33HTMA2 INFINEON INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 45V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
euEccn: NLR
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
132+1.76 EUR
146+1.46 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42662GSV33HTMA2 TLE42662GSV33HTMA2 INFINEON INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 45V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
euEccn: NLR
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
132+1.76 EUR
146+1.46 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7189QKXUMA1 TLE7189QKXUMA1 INFINEON 2577616.pdf Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.71 EUR
10+25.92 EUR
25+21.16 EUR
50+19.43 EUR
100+18.15 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTT60301ERAXUMA1 BTT60301ERAXUMA1 INFINEON 3204715.pdf Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
45+5.25 EUR
49+4.45 EUR
51+4.24 EUR
100+4.02 EUR
250+3.77 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHM020 S80KS5122GABHM020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.81 EUR
10+29.19 EUR
25+26.08 EUR
50+25.49 EUR
100+24.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.19 EUR
11+22.55 EUR
25+20.18 EUR
50+19.71 EUR
100+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHA020 S80KS5123GABHA020 INFINEON S80KS5123.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.55 EUR
25+21.66 EUR
50+21.57 EUR
100+21.47 EUR
250+21.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHB020 S80KS5122GABHB020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+98.26 EUR
5+79.83 EUR
10+61.05 EUR
25+54.75 EUR
50+50.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHA020 S80KS5122GABHA020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.21 EUR
10+27.17 EUR
25+24.34 EUR
50+23.93 EUR
100+23.67 EUR
250+23.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHV020 S80KS5122GABHV020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.57 EUR
25+21.53 EUR
50+21.29 EUR
100+20.75 EUR
250+20.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.42 EUR
10+27.55 EUR
25+25.28 EUR
50+25.12 EUR
100+24.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHV020 S80KS5123GABHV020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.49 EUR
25+19.22 EUR
50+18.77 EUR
100+18.29 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHM020 S80KS5123GABHM020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.74 EUR
11+22.18 EUR
25+19.86 EUR
50+19.36 EUR
100+18.9 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHI020 S80KS5122GABHI020 INFINEON INFN-S-A0014785292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.11 EUR
11+22.55 EUR
25+20.18 EUR
50+19.73 EUR
100+19.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRSM005-800MHTR IRSM005-800MHTR INFINEON INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF009N04NF2SATMA1 Infineon-IPF009N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12d0af6afd
IPF009N04NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A0HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A0HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
250+2.11 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A2HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A2HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.33 EUR
250+2.2 EUR
500+2.08 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A3HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A3HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.36 EUR
250+2.27 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE493DW2B6A1HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A1HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.3 EUR
250+2.17 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
2500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L23ATMA3 INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N06S2L23ATMA3
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 8166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.52 EUR
101+2.32 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L13ATMA4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
110+2.13 EUR
136+1.58 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L13ATMA4
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.87 EUR
148+1.57 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
IPD30N06S4L23ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
130+1.78 EUR
191+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L23ATMA3 INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N06S2L23ATMA3
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 8166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.52 EUR
101+2.32 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
122+1.9 EUR
178+1.2 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
145+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R060M1HXKSA1 2830781.pdf
IMZ120R060M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.17 EUR
11+21.42 EUR
14+15.37 EUR
50+13.68 EUR
100+12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R030M1HXKSA1 2830780.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+41.55 EUR
8+32.07 EUR
10+23.56 EUR
50+21.96 EUR
100+20.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R007M1HXKSA1 3704048.pdf
IMZA120R007M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+118.83 EUR
5+97.37 EUR
10+77.89 EUR
50+76.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1 3704051.pdf
IMZA120R040M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+26.57 EUR
10+23.97 EUR
50+16.36 EUR
100+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R014M1HXKSA1 3704049.pdf
IMZA120R014M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+52.63 EUR
10+47.39 EUR
50+46.18 EUR
100+44.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1 3704050.pdf
IMZA120R020M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+53.68 EUR
6+40.7 EUR
10+29.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
52+4.52 EUR
100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 9964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.75 EUR
50+5.62 EUR
100+4.61 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR 4014765.pdf
AUIRFR5305TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.02 EUR
6000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 9964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.61 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.22 EUR
32+7.33 EUR
50+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.08 EUR
200+5.08 EUR
500+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024X0064ABXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: XMC1000
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
55+4.3 EUR
61+3.56 EUR
100+3.17 EUR
250+3.06 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024X0064ABXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: XMC1000
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.17 EUR
250+3.06 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4090QEPDXUMA1 2792934.pdf
ITS4090QEPDXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.25 EUR
36+6.5 EUR
39+5.52 EUR
50+5.27 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4090QEPDXUMA1 2792934.pdf
ITS4090QEPDXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.25 EUR
36+6.5 EUR
39+5.52 EUR
50+5.27 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4929CXAFM28HAMA1 3919304.pdf
TLE4929CXAFM28HAMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
56+4.18 EUR
59+3.69 EUR
61+3.53 EUR
100+3.38 EUR
250+3.26 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-213043-02 INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBT-213043-02
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -95dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.47 EUR
11+19.71 EUR
50+18.27 EUR
100+17.22 EUR
250+17.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+8.04 EUR
50+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 INFN-S-A0008597345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5L040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.07 EUR
48+4.86 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.2 EUR
30+7.91 EUR
100+5.31 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.47 EUR
41+5.76 EUR
100+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.02 EUR
79+2.95 EUR
250+2.4 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.97 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
IAUC100N10S5L040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0802LSATMA1 3049653.pdf
BSC0802LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.79 EUR
50+5.74 EUR
250+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.78 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42662GSV33HTMA2 INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42662GSV33HTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 45V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
euEccn: NLR
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
132+1.76 EUR
146+1.46 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42662GSV33HTMA2 INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42662GSV33HTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 45V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
euEccn: NLR
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
132+1.76 EUR
146+1.46 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7189QKXUMA1 2577616.pdf
TLE7189QKXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.71 EUR
10+25.92 EUR
25+21.16 EUR
50+19.43 EUR
100+18.15 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTT60301ERAXUMA1 3204715.pdf
BTT60301ERAXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.54 EUR
45+5.25 EUR
49+4.45 EUR
51+4.24 EUR
100+4.02 EUR
250+3.77 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHM020 3681668.pdf
S80KS5122GABHM020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+33.81 EUR
10+29.19 EUR
25+26.08 EUR
50+25.49 EUR
100+24.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHI020 3681669.pdf
S80KS5123GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.19 EUR
11+22.55 EUR
25+20.18 EUR
50+19.71 EUR
100+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHA020 S80KS5123.pdf
S80KS5123GABHA020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.55 EUR
25+21.66 EUR
50+21.57 EUR
100+21.47 EUR
250+21.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHB020 3681668.pdf
S80KS5122GABHB020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+98.26 EUR
5+79.83 EUR
10+61.05 EUR
25+54.75 EUR
50+50.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHA020 3681668.pdf
S80KS5122GABHA020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+31.21 EUR
10+27.17 EUR
25+24.34 EUR
50+23.93 EUR
100+23.67 EUR
250+23.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHV020 3681668.pdf
S80KS5122GABHV020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.57 EUR
25+21.53 EUR
50+21.29 EUR
100+20.75 EUR
250+20.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 3681669.pdf
S80KS5123GABHB020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+31.42 EUR
10+27.55 EUR
25+25.28 EUR
50+25.12 EUR
100+24.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHV020 3681669.pdf
S80KS5123GABHV020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+21.49 EUR
25+19.22 EUR
50+18.77 EUR
100+18.29 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHM020 3681669.pdf
S80KS5123GABHM020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.74 EUR
11+22.18 EUR
25+19.86 EUR
50+19.36 EUR
100+18.9 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHI020 INFN-S-A0014785292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS5122GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.11 EUR
11+22.55 EUR
25+20.18 EUR
50+19.73 EUR
100+19.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRSM005-800MHTR INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRSM005-800MHTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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