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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON 3920478.pdf Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON 3920478.pdf Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.52 EUR
53+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
56+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+2.34 EUR
12000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON 2577564.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
57+4.13 EUR
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON 2577564.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
85+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
91+2.57 EUR
123+1.75 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.18 EUR
106+2.19 EUR
146+1.46 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 INFINEON INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
144+1.62 EUR
198+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 INFINEON INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
144+1.62 EUR
198+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON 2255657.pdf Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
67+3.5 EUR
250+2.23 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON 2255657.pdf Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
250+2.23 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
123+1.75 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 INFINEON 2712215.pdf Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
23+10.38 EUR
100+7.07 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 INFINEON 2354674.pdf Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
92+2.53 EUR
128+1.68 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570 Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
250+1.64 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15V104QSN-108SXI CY15V104QSN-108SXI INFINEON INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15V104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.71V bis 1.89V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.89V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.23 EUR
10+40.59 EUR
25+40.35 EUR
50+40.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM28V020-SGTR FM28V020-SGTR INFINEON INFN-S-A0014514233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM28V020-SGTR - FRAM, 256kB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.89 EUR
10+24.92 EUR
25+22.3 EUR
50+21.77 EUR
100+21.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.67 EUR
20+11.82 EUR
25+10.58 EUR
50+10.33 EUR
100+10.09 EUR
250+10.02 EUR
500+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.42 EUR
20+11.6 EUR
25+10.15 EUR
50+10.02 EUR
100+9.9 EUR
250+9.58 EUR
500+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 INFINEON infineon-spoc-application-usermanual-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+137.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 3795144.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
41+5.69 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 IQE006NE2LM5SCATMA1 INFINEON 3795145.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.54 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 IQE006NE2LM5SCATMA1 INFINEON 3795145.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.54 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 3795144.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
41+5.69 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFI003 S25FL256SAGNFI003 INFINEON INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.92 EUR
21+11.16 EUR
25+10.01 EUR
50+9.79 EUR
100+9.51 EUR
250+9.23 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N004AUMA1 IAUAN04S7N004AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212 Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.38 EUR
32+7.47 EUR
100+5.4 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218 Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
46+5.13 EUR
100+3.83 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON 4256787.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
58+4.06 EUR
100+2.98 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N007AUMA1 IAUAN04S7N007AUMA1 INFINEON 4256786.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
55+4.3 EUR
100+3.02 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
72+3.22 EUR
106+2.03 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 INFINEON Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142 Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+85.54 EUR
5+67.66 EUR
10+51.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
106+2.03 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 INFINEON 3177195.pdf Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
48+4.88 EUR
100+3.34 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20822P4TAI040XUMA1 CYW20822P4TAI040XUMA1 INFINEON 4162879.pdf Description: INFINEON - CYW20822P4TAI040XUMA1 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 2, 2Mbit/s, -101dBm, 1.1 bis 3.3V, -45°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -45°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.1V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -101dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -101dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.95 EUR
16+15.09 EUR
17+13.3 EUR
50+12.1 EUR
100+10.9 EUR
250+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R041CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R041CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef41e0749cb Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.92 EUR
15+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R041CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R041CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef41e0749cb Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.92 EUR
15+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5404E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 76760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
449+0.51 EUR
715+0.3 EUR
962+0.23 EUR
1076+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5404E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 78215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.67 EUR
589+0.37 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGMBBOM503TOBO1 KITLGMBBOM503TOBO1 INFINEON 3739858.pdf Description: INFINEON - KITLGMBBOM503TOBO1 - Kit, Hauptplatinen, 2EDL23N06, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Hauptplatinen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+132.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALIHW25N140R5LTOBO1 EVALIHW25N140R5LTOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-IHW25N140R5L-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18c78e023a8d Description: INFINEON - EVALIHW25N140R5LTOBO1 - Evaluationsboard, IHW25N140R5L, in Sperrrichtung leitender IGBT
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IHW25N140R5L
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IHW25N140R5L
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+284.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1 IMZA65R020M2HXKSA1 INFINEON 4159872.pdf Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.14 EUR
7+34.11 EUR
10+26 EUR
50+25.23 EUR
100+24.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT3BBBCEBQ0BZEGS CYT3BBBCEBQ0BZEGS INFINEON 3216036.pdf Description: INFINEON - CYT3BBBCEBQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 4160KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
MCU-Familie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+56.43 EUR
10+42.11 EUR
25+37.89 EUR
50+36.89 EUR
100+35.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC4200F64F256BAXQMA1 XMC4200F64F256BAXQMA1 INFINEON INFN-S-A0006625596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4200F64F256BAXQMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 40KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 10Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC42xx
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4200 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 45I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 3542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.74 EUR
18+13.48 EUR
25+11.2 EUR
50+10.76 EUR
100+10.31 EUR
250+9.94 EUR
500+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE98422QXXUMA1 TLE98422QXXUMA1 INFINEON 2718613.pdf Description: INFINEON - TLE98422QXXUMA1 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie TLE984x Reihe TLE9842-2QX, 32 Bit, 40kB, 40MHz, VQFN48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 28V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 40KB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: TLE984x 
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TLE9842-2QX
Produktpalette: TLE984x Family TLE9842-2QX Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.15 EUR
36+6.62 EUR
38+5.7 EUR
50+5.46 EUR
100+5.22 EUR
250+5.09 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE98422QXXUMA1 TLE98422QXXUMA1 INFINEON 2718613.pdf Description: INFINEON - TLE98422QXXUMA1 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie TLE984x Reihe TLE9842-2QX, 32 Bit, 40kB, 40MHz, VQFN48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 28V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 40KB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: TLE984x 
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TLE9842-2QX
Produktpalette: TLE984x Family TLE9842-2QX Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.22 EUR
250+5.09 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9185QXV33XUMA1 TLE9185QXV33XUMA1 INFINEON Infineon-TLE9185QX%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be4af47454d25 Description: INFINEON - TLE9185QXV33XUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 150mA, 3V-28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
41+5.76 EUR
45+4.8 EUR
50+4.41 EUR
100+4.07 EUR
250+3.83 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9185QXV33XUMA1 TLE9185QXV33XUMA1 INFINEON Infineon-TLE9185QX%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be4af47454d25 Description: INFINEON - TLE9185QXV33XUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 150mA, 3V-28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.07 EUR
250+3.83 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95603QXXUMA1 TLE95603QXXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9560-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359082386a Description: INFINEON - TLE95603QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
39+6.03 EUR
43+5.08 EUR
50+4.84 EUR
100+4.61 EUR
250+4.37 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95603QXXUMA1 TLE95603QXXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9560-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359082386a Description: INFINEON - TLE95603QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.61 EUR
250+4.37 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS810D1EJV50XUMA1 TLS810D1EJV50XUMA1 INFINEON 2354843.pdf Description: INFINEON - TLS810D1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.7V bis 40V, 200mV Dropout-Spannung, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V, 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
107+2.17 EUR
119+1.81 EUR
145+1.48 EUR
250+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS810B1EJV50XUMA1 TLS810B1EJV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS810B1xxV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101592101695f3674 Description: INFINEON - TLS810B1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.2V bis 42V, 200V Dropout, 5V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
113+2.07 EUR
127+1.7 EUR
152+1.42 EUR
250+1.32 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS205B0EJV50XUMA1 TLS205B0EJV50XUMA1 INFINEON 2577620.pdf Description: INFINEON - TLS205B0EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.5V bis 20V, 350mV Dropout-Spannung, 5V/500mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
105+2.21 EUR
118+1.83 EUR
132+1.63 EUR
250+1.57 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS805B1LDV50XUMA1 TLS805B1LDV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS805B1LD%20V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed62f84247 Description: INFINEON - TLS805B1LDV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.75V bis 42V, 100mV Dropout-Spannung, 5V/50mAout, TSON-10
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSON
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V, 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
116+2.01 EUR
128+1.68 EUR
144+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1 3920478.pdf
IPB015N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1 3920478.pdf
IPB015N06NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.52 EUR
53+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.79 EUR
56+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+2.34 EUR
12000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N03S4L03ATMA1 2577564.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.77 EUR
57+4.13 EUR
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N03S4L03ATMA1 2577564.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW40G65C5BXKSA2 Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1
IDW40G65C5BXKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.93 EUR
85+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.09 EUR
91+2.57 EUR
123+1.75 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t
IPG20N06S2L35ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.18 EUR
106+2.19 EUR
146+1.46 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1 INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N06S2L50ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
144+1.62 EUR
198+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1 INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N06S2L50ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
144+1.62 EUR
198+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2 2255657.pdf
IPG20N06S4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
67+3.5 EUR
250+2.23 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2 2255657.pdf
IPG20N06S4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.5 EUR
250+2.23 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
123+1.75 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1 2712215.pdf
IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.06 EUR
23+10.38 EUR
100+7.07 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1 2354674.pdf
IPG20N06S415AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
92+2.53 EUR
128+1.68 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1 Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570
IPG20N06S415AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
250+1.64 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15V104QSN-108SXI INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15V104QSN-108SXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY15V104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.71V bis 1.89V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.89V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+44.23 EUR
10+40.59 EUR
25+40.35 EUR
50+40.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM28V020-SGTR INFN-S-A0014514233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM28V020-SGTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V020-SGTR - FRAM, 256kB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.89 EUR
10+24.92 EUR
25+22.3 EUR
50+21.77 EUR
100+21.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM16W08-SGTR CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM16W08-SGTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.67 EUR
20+11.82 EUR
25+10.58 EUR
50+10.33 EUR
100+10.09 EUR
250+10.02 EUR
500+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM16W08-SGTR CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM16W08-SGTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.42 EUR
20+11.6 EUR
25+10.15 EUR
50+10.02 EUR
100+9.9 EUR
250+9.58 EUR
500+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 infineon-spoc-application-usermanual-usermanual-en.pdf
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+137.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 3795144.pdf
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.2 EUR
41+5.69 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 3795145.pdf
IQE006NE2LM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.54 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 3795145.pdf
IQE006NE2LM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.54 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 3795144.pdf
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.2 EUR
41+5.69 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFI003 INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGNFI003
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.92 EUR
21+11.16 EUR
25+10.01 EUR
50+9.79 EUR
100+9.51 EUR
250+9.23 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212
IAUAN04S7N004AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.38 EUR
32+7.47 EUR
100+5.4 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218
IAUAN04S7N006AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+6.95 EUR
46+5.13 EUR
100+3.83 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N008AUMA1 4256787.pdf
IAUAN04S7N008AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.8 EUR
58+4.06 EUR
100+2.98 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUAN04S7N007AUMA1 4256786.pdf
IAUAN04S7N007AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.79 EUR
55+4.3 EUR
100+3.02 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1 Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee
IGB20N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.4 EUR
72+3.22 EUR
106+2.03 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142
DF120R12W2H3B27BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+85.54 EUR
5+67.66 EUR
10+51.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1 Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee
IGB20N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
106+2.03 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 3177195.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 3732235.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.09 EUR
48+4.88 EUR
100+3.34 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW20822P4TAI040XUMA1 4162879.pdf
CYW20822P4TAI040XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20822P4TAI040XUMA1 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 2, 2Mbit/s, -101dBm, 1.1 bis 3.3V, -45°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -45°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.1V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -101dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -101dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.95 EUR
16+15.09 EUR
17+13.3 EUR
50+12.1 EUR
100+10.9 EUR
250+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R041CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R041CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef41e0749cb
IPB65R041CFD7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.92 EUR
15+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R041CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R041CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef41e0749cb
IPB65R041CFD7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.92 EUR
15+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5404E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5404E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 76760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
449+0.51 EUR
715+0.3 EUR
962+0.23 EUR
1076+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5404E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5404E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 78215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.67 EUR
589+0.37 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGMBBOM503TOBO1 3739858.pdf
KITLGMBBOM503TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGMBBOM503TOBO1 - Kit, Hauptplatinen, 2EDL23N06, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Hauptplatinen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+132.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALIHW25N140R5LTOBO1 Infineon-EVAL-IHW25N140R5L-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18c78e023a8d
EVALIHW25N140R5LTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALIHW25N140R5LTOBO1 - Evaluationsboard, IHW25N140R5L, in Sperrrichtung leitender IGBT
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IHW25N140R5L
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IHW25N140R5L
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+284.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1 4159872.pdf
IMZA65R020M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+43.14 EUR
7+34.11 EUR
10+26 EUR
50+25.23 EUR
100+24.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT3BBBCEBQ0BZEGS 3216036.pdf
CYT3BBBCEBQ0BZEGS
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BBBCEBQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 4160KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
MCU-Familie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+56.43 EUR
10+42.11 EUR
25+37.89 EUR
50+36.89 EUR
100+35.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC4200F64F256BAXQMA1 INFN-S-A0006625596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4200F64F256BAXQMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4200F64F256BAXQMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 40KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 10Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC42xx
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4200 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 45I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 3542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.74 EUR
18+13.48 EUR
25+11.2 EUR
50+10.76 EUR
100+10.31 EUR
250+9.94 EUR
500+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE98422QXXUMA1 2718613.pdf
TLE98422QXXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE98422QXXUMA1 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie TLE984x Reihe TLE9842-2QX, 32 Bit, 40kB, 40MHz, VQFN48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 28V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 40KB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: TLE984x 
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TLE9842-2QX
Produktpalette: TLE984x Family TLE9842-2QX Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.15 EUR
36+6.62 EUR
38+5.7 EUR
50+5.46 EUR
100+5.22 EUR
250+5.09 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE98422QXXUMA1 2718613.pdf
TLE98422QXXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE98422QXXUMA1 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie TLE984x Reihe TLE9842-2QX, 32 Bit, 40kB, 40MHz, VQFN48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 28V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 40KB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 13Kanäle
MCU-Familie: TLE984x 
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TLE9842-2QX
Produktpalette: TLE984x Family TLE9842-2QX Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.22 EUR
250+5.09 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9185QXV33XUMA1 Infineon-TLE9185QX%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be4af47454d25
TLE9185QXV33XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9185QXV33XUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 150mA, 3V-28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
41+5.76 EUR
45+4.8 EUR
50+4.41 EUR
100+4.07 EUR
250+3.83 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9185QXV33XUMA1 Infineon-TLE9185QX%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be4af47454d25
TLE9185QXV33XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9185QXV33XUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 150mA, 3V-28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.07 EUR
250+3.83 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95603QXXUMA1 Infineon-TLE9560-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359082386a
TLE95603QXXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE95603QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.57 EUR
39+6.03 EUR
43+5.08 EUR
50+4.84 EUR
100+4.61 EUR
250+4.37 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE95603QXXUMA1 Infineon-TLE9560-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359082386a
TLE95603QXXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE95603QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.61 EUR
250+4.37 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS810D1EJV50XUMA1 2354843.pdf
TLS810D1EJV50XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS810D1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.7V bis 40V, 200mV Dropout-Spannung, 5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V, 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
107+2.17 EUR
119+1.81 EUR
145+1.48 EUR
250+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS810B1EJV50XUMA1 Infineon-TLS810B1xxV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101592101695f3674
TLS810B1EJV50XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS810B1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.2V bis 42V, 200V Dropout, 5V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
113+2.07 EUR
127+1.7 EUR
152+1.42 EUR
250+1.32 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS205B0EJV50XUMA1 2577620.pdf
TLS205B0EJV50XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.5V bis 20V, 350mV Dropout-Spannung, 5V/500mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
105+2.21 EUR
118+1.83 EUR
132+1.63 EUR
250+1.57 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLS805B1LDV50XUMA1 Infineon-TLS805B1LD%20V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969ed62f84247
TLS805B1LDV50XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS805B1LDV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.75V bis 42V, 100mV Dropout-Spannung, 5V/50mAout, TSON-10
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSON
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V, 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+3 EUR
116+2.01 EUR
128+1.68 EUR
144+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH