Produkte > SQJ

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJ952EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ956EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ956EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ956EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
11+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ958EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ958EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1_GE3
Produktcode: 186737
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 77842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ960EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ962EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 18140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.98 EUR
100+2.23 EUR
250+1.94 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3VishaySQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3VishayMOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
auf Bestellung 3527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ963EP-T1_GE3VishaySQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ964EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 25
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
124+1.88 EUR
176+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
11+2.07 EUR
100+1.62 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ968EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
115+2.02 EUR
160+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ970EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ970EPT1-GE3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1-BE3VishayMOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_BE3VishayDual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_BE3VishayMOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.96 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.04 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
138+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 59147 Stücke:
Lieferzeit 508-512 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.4 EUR
100+1.9 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
10+2.17 EUR
100+1.69 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
97+2.42 EUR
138+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 17A
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.28 EUR
55+1.55 EUR
65+1.31 EUR
100+1.06 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1-BE3VishayMOSFETs SOT669 75V 17A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
12+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 28794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.05 EUR
6000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ980AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Power - Max: 34W (Tc)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
11+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ990EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
10+2.64 EUR
100+2.06 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ990EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ990EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ990EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+2.37 EUR
100+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.08 EUR
6000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ990EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 22014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.12 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
3000+1 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.73 EUR
6000+0.69 EUR
9000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ992EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
15+1.44 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 8455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.57 EUR
100+1.19 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA02EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
10+2.23 EUR
100+1.73 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA02EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.65 EUR
100+1.36 EUR
250+1.34 EUR
500+1.25 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA02EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA02EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
126+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA02EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
85+2.74 EUR
126+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
12+1.8 EUR
100+1.39 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
11+1.98 EUR
100+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.89 EUR
100+1.31 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
67+3.5 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 38048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.48 EUR
100+1.96 EUR
250+1.88 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1-BE3VishayMOSFETs SOT669 200V 22.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1/BE3VishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 8663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
81+2.88 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 11840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.26 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.01 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
6000+1.02 EUR
9000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Nächste Seite >> ]