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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGB50H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
auf Bestellung 5154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.8 EUR
100+3.39 EUR
500+3.17 EUR
1000+1.67 EUR
5000+1.57 EUR
10000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH TM IGBT
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4
Produktcode: 216505
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMIGBT N-CH 600V 15A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB70NB60HD
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.71 EUR
100+1.4 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 430V 14A 100W D2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Gate Charge: 22 nC
Test Condition: 300V, 46Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.4µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 42 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32.7 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 140µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HD-1STMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
53+4.4 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB7NC60HDT4-ASTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB8NC60KDT4
Produktcode: 189599
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.2 EUR
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STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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STGBL6NC60D
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGCF02
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
75+3.11 EUR
108+1.99 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
auf Bestellung 5207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
55+3.15 EUR
100+2.99 EUR
250+2.83 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
108+1.99 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.14 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10N40LZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 62W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMIGBT 600V 20A 60W DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4
Produktcode: 35249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
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6+4.13 EUR
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 10A
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STGD10NC60KDT4STIGBT 600V 20A 62W   STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics TSTGD10nc60kdt4
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
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STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD10NC60KDT4
Produktcode: 198296
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STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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119+1.46 EUR
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STGD10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STGD1100LT1GonsemiMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 40mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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STGD1100LT1GON SemiconductorMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STGD14NC60K
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.09 EUR
98+1.73 EUR
99+1.57 EUR
130+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4
Produktcode: 121195
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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