Produkte > stg

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.11 EUR
2000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.63 EUR
100+3.17 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
54+4.37 EUR
100+3.4 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.11 EUR
2000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.77 EUR
55+3.01 EUR
100+2.43 EUR
250+2.37 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
57+4.11 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
auf Bestellung 5140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+3.71 EUR
100+2.78 EUR
500+2.51 EUR
1000+1.86 EUR
10000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH TM IGBT
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMIGBT N-CH 600V 15A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4
Produktcode: 216505
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB70NB60HD
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.71 EUR
100+1.4 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 430V 14A 100W D2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Gate Charge: 22 nC
Test Condition: 300V, 46Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.4µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 42 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60HDT4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32.7 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 140µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HD-1STMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
58+4.03 EUR
100+2.57 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4-ASTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4
Produktcode: 189599
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60D
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGCF02
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.07 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
55+3.12 EUR
100+2.95 EUR
250+2.8 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
108+1.99 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
75+3.11 EUR
108+1.99 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10N40LZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 62W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4
Produktcode: 35249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMIGBT 600V 20A 60W DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STIGBT 600V 20A 62W   STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics TSTGD10nc60kdt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 10A
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.06 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 3532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4
Produktcode: 198296
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.46 EUR
50+1.71 EUR
60+1.43 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Nächste Seite >> ]