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Description: MOSFET_(120V 300V)

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IAUTN15S6N025GATMA1

MOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

auf Bestellung 1605 Stücke:

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1+	15.4 EUR
10+	11.1 EUR
100+	9.7 EUR
500+	9.67 EUR

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IAUTN15S6N025GATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)

auf Bestellung 1780 Stücke:

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10+	12.19 EUR
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250+	9.88 EUR
500+	9.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUTN15S6N025TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.36 EUR
10+	12.71 EUR
25+	11.79 EUR
100+	10.79 EUR
250+	10.32 EUR
500+	10.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUTN15S6N025TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUTN15S6N025TATMA1

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

auf Bestellung 2902 Stücke:

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1+	16.04 EUR
10+	11.58 EUR
100+	10.14 EUR
500+	10 EUR

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IAUTN15S6N038ATMA1

MOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

auf Bestellung 3612 Stücke:

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1+	13.01 EUR
10+	9.21 EUR
100+	7.28 EUR
500+	7.06 EUR
1000+	6.68 EUR

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IAUTN15S6N038GATMA1

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

auf Bestellung 1742 Stücke:

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1+	14.6 EUR
10+	10.41 EUR
100+	8.29 EUR
500+	8.04 EUR
1000+	7.58 EUR

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IAUTN15S6N038TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.51 EUR
10+	9.65 EUR
25+	8.92 EUR
100+	8.14 EUR
250+	7.77 EUR
500+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUTN15S6N038TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IAUTN15S6N038TATMA1

MOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

auf Bestellung 1753 Stücke:

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1+	12.67 EUR
10+	9.04 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.79 EUR

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IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.23 EUR
16+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.14 EUR
16+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ20N08S5L300ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.67 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.71 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	2.2 EUR
176+	1.32 EUR
239+	0.89 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.63 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 114 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.55 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	2.2 EUR
176+	1.32 EUR
239+	0.89 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.63 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 114 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14672 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.45 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N08S5N186ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2739 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.56 EUR
14+	1.61 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	3.09 EUR
105+	2.23 EUR
144+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 17381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.7 EUR
5000+	0.64 EUR
10000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.09 EUR
105+	2.23 EUR
144+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUZ40N06S5L050

IAUZ40N06S5L050

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.01 EUR
100+	1.89 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.59 EUR
2500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

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IAUZ40N06S5L050

MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5469 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.45 EUR
88+	2.64 EUR
250+	1.63 EUR
1000+	1.07 EUR
3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IAUZ40N06S5L050ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.47 EUR
10+	2.21 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IAUZ40N06S5L050ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5469 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.64 EUR
250+	1.63 EUR
1000+	1.07 EUR
3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 1491 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 581 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.89 EUR
10000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 581 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5L050ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 5435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	1.39 EUR
186+	1.25 EUR
195+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 9529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.96 EUR
5000+	0.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.47 EUR
10+	2.21 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	1.39 EUR
186+	1.25 EUR
195+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N105ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.78 EUR
12+	1.76 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.83 EUR
2000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.81 EUR
10000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N08S5N100ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14545 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
11+	2.01 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR
2000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5L120ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 9865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	1.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.14 EUR
11+	1.99 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR
2000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

199+	1.26 EUR
205+	1.13 EUR
217+	0.99 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 199 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.81 EUR
10000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	1.33 EUR
194+	1.2 EUR
203+	1.06 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZ40N10S5N130ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 7631 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	1.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L012ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.09 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L012ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 4292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L012ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L019ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L025ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L025ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
14+	1.51 EUR
100+	1 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L025ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 3354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.9 EUR
5000+	0.7 EUR
10000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L030ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L030ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L030ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 4706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.03 EUR
11+	1.92 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L046ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
178+	1.31 EUR
257+	0.83 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L046ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 46632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
14+	1.5 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L046ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.57 EUR
10000+	0.54 EUR
15000+	0.51 EUR
25000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7L046ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
178+	1.31 EUR
257+	0.83 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N013ATMA2

Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.46 EUR
140+	1.67 EUR
176+	1.23 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.02 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N013ATMA2

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.09 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N013ATMA2

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUZN04S7N013ATMA2

Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.46 EUR
140+	1.67 EUR
176+	1.23 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.02 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

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IAUZN04S7N013ATMA2

60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

auf Bestellung 3088 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.86 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUZN04S7N020ATMA2

Description: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.34 EUR
119+	1.95 EUR
178+	1.2 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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IAUZN04S7N026ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
147+	1.58 EUR
212+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUZN04S7N026ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
147+	1.58 EUR
212+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUZN04S7N032ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N049ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 4820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
178+	1.31 EUR
257+	0.83 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N049ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N049ATMA1

Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
178+	1.31 EUR
257+	0.83 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN04S7N049ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN08S7L177ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 3493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.62 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN08S7N046ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN10S7L289ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 3493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN10S7N078ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN10S7N078ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4138 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.84 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.54 EUR
2000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUZN10S7N078ATMA1