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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJA04EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.99 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA04EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA06EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
67+3.5 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 38048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.48 EUR
100+1.96 EUR
250+1.88 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1-BE3VishayMOSFETs SOT669 200V 22.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1/BE3VishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.51 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.17 EUR
9000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 11332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 22.5A; 68W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 22.5A
Power dissipation: 68W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 10714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
81+2.88 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 6427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA20EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
50+2.01 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA26EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.17 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA26EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA26EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 0.00066 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00066ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA26EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 0.00066 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00066ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
69+3.39 EUR
100+2.19 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA26EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA34EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA34EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA34EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA34EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA34EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+3.13 EUR
100+2.33 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA36EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.89 EUR
100+2.28 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA37EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
15+1.48 EUR
100+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA37EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA37EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA37EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 20992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA37EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
16+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA38EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
116+2.01 EUR
149+1.45 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA38EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 52053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+1.56 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA38EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA38EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
116+2.01 EUR
149+1.45 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA38EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
50+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA42EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.14 EUR
6000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA46EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 32924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.67 EUR
100+1.18 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJA60EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.7 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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SQJA61EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.28 EUR
100+1.58 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.04 EUR
6000+0.99 EUR
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SQJA61EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
82+2.86 EUR
117+1.83 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SQJA61EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SQJA61EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
117+1.83 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJA61EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJA62EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA62EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
9000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJA62EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA62EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
71+3.3 EUR
100+2.33 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
50+1.76 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1-BE3VishayMOSFET N-CH 60-V 175C MSFT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1-BE3 MVishayMOSFET N-CH 60-V 175C MSFT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1-GE3 MVishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
18+1.18 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 11903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
17+1.29 EUR
100+0.89 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.54 EUR
9000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA64EP-T1_GE3VishayAutomotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA66EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
auf Bestellung 3076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
50+1.87 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA66EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
69+3.39 EUR
102+2.11 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA66EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA66EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.39 EUR
102+2.11 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA66EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
16+1.39 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 35449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.42 EUR
10+1.2 EUR
100+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
146+1.59 EUR
214+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
auf Bestellung 3912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
152+1.54 EUR
231+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA70EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA70EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
142+1.64 EUR
214+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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