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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 40mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD1100LT1GonsemiMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD1100LT1GON SemiconductorMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60K
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4
Produktcode: 121195
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.07 EUR
98+1.7 EUR
99+1.55 EUR
130+1.14 EUR
250+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZ-1STMIGBT 420V 25A 125W IPAK Транзистори
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4
Produktcode: 73438
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
84+2.78 EUR
100+2.33 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.7 EUR
103+1.65 EUR
104+1.59 EUR
200+1.39 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
103+1.63 EUR
104+1.54 EUR
106+1.45 EUR
250+1.38 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMIGBT 420V 25A 125W DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
103+1.67 EUR
104+1.59 EUR
106+1.54 EUR
250+1.49 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMIGBT 390V 25A 125W DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 24nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Pulsed collector current: 40A
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1670000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.48 EUR
5000+1.39 EUR
10000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
100+2.3 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1670000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.48 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Gate Charge: 25.7 nC
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 442500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.11 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 442500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.11 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.59 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMIGBT 435V 25A 125W DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Pulsed collector current: 50A
Application: automotive industry; ignition systems
Collector current: 25A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
85+1.01 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsIGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
auf Bestellung 18450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4
Produktcode: 149103
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
147+1.58 EUR
211+1.02 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Switching Energy: 125µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 16 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 16 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60HSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V 3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60HST07+ TO-252
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 33µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5ns/53ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60KST07+ TO-252
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60KT4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60S
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDSTIGBT 600V 6A 48W   STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics TSTGD3nb60sdt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/3.4µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMDPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
auf Bestellung 7090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsIGBTs PTD IGBT & IPM
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 16A IPAK
Power - Max: 105 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.81 EUR
103+1.65 EUR
200+1.38 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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