Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFBC40SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40SPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBC40SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBC40STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40STRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40STRLPBF | IR | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFBC40STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBC40STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBC40STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40STRR | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC40_R4943 | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC42 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBC42 | HARRIS | IRFBC42 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBC42-003 | auf Bestellung 10545 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFBC42R | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBC50PBF | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFBE20 Produktcode: 58305
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 1,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 530/38 Montage: THT | verfügbar: 5 St.
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| IRFBE20 | Siliconix | N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFBE20 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 18205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE20PBF-BE3 - N-CHANNEL 800V 06AJ9124 tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 54W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE20S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE20STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30 | Siliconix | N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFBE30 Produktcode: 23059
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 4,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFBE30 | (MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFBE30L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30LPBF | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFBE30LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp | auf Bestellung 10920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30LPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF Produktcode: 15766
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| Vishay | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 3,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78 Montage: THT | verfügbar: 3 St.
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 1781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | IRFBE30PBF Транзисторы | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF- | VIS | 09+ SOP8 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30S | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE30SPBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30SPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30STRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs 800V 4.1A 125W | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20L | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20LPBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFBF20LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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