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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFC40N60KBVishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4104EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4115EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V DIE ON WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4115EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4127EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4127EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4227EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4227EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4229EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC430Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V TO PKG
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4310EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4332EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4368DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4410ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4468DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4468EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4568EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 171A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Ta)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4568EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4668DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4668EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4768EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4905BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 42A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4N65ABVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 650V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4N65AB-CVishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC4N65AB-C1Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC5210BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 40A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC5305BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 31A DIE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Mounting Type: Surface Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC7313BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 30V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC7314BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±12V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC7416BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 30V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC7501BInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC8721EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9024BVishayTransistor, P-Channel Mosfet, Die
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 Mindestbestellmenge: 6810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9024NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 11A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9034NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 19A DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9110VishayTrans MOSFET P-CH 100V Case D-34
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 Mindestbestellmenge: 14026 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9110BVishayP-Channel MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9120NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 6.6A DIE
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9130VishayTrans MOSFET P-CH 100V Die Standard
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 Mindestbestellmenge: 4276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9130NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 14A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9140VishayMOSFET Diode
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 Mindestbestellmenge: 2619 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9140NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 23A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9630BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9630BVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 6600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9640BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFC9640BVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2959 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFCOD1A01TR(ALCATEL2440)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFCZ44VBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V 55A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD010IR09+
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014PBF
Produktcode: 72611
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 310/11
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020IR0307+
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020PBFIR09+
auf Bestellung 4948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 5210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.1 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD020PBFVishay / SiliconixMOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.46 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.77 EUR
84+1.69 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Produktcode: 31843
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar: 100 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFMOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD024PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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IRFD110HARRISIRFD110
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
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IRFD110onsemi / FairchildMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110Harris CorporationDescription: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110HARRISIRFD110
auf Bestellung 5453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110IRFD110 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBF
Produktcode: 98653
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
verfügbar: 126 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 101 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.4 EUR
10+0.38 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: 0
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: 0
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD111Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD112HARRISIRFD112
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD112Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 46955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
437+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFD113PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113HARRISIRFD113
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.47 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113HARRISIRFD113
auf Bestellung 24593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.47 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113HARRISIRFD113
auf Bestellung 24390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.47 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113(94-2095)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113(94-4111)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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