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MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC5210B

Description: MOSFET 100V 40A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC5305B

Description: MOSFET 55V 31A DIE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Mounting Type: Surface Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC7313B

Description: MOSFET 30V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC7314B

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±12V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC7416B

Description: MOSFET 30V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC7501B

Infineon / IR

Infineon

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC8721ED

Description: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk

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IRFC9024B

Transistor, P-Channel Mosfet, Die

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Mindestbestellmenge: 6810 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9024NB

Description: MOSFET 55V 11A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9034NB

Description: MOSFET 55V 19A DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount

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IRFC9110

Trans MOSFET P-CH 100V Case D-34

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Mindestbestellmenge: 14026 Stücke

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IRFC9110B

Trans MOSFET P-CH 100V Die

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Mindestbestellmenge: 3800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9120NB

Description: MOSFET 100V 6.6A DIE
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9130

Trans MOSFET P-CH 100V Die

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Mindestbestellmenge: 4276 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9130NB

Description: MOSFET 100V 14A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9140

MOSFET Diode

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Mindestbestellmenge: 2619 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9140NB

Description: MOSFET 100V 23A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9630B

MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9630B

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 6600 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9640B

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 2959 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFC9640B

MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFCOD1A01TR(ALCATEL2440)

auf Bestellung 1110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFCZ44VB

Description: MOSFET 60V 55A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD010

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD010

Description: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD010

09+

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD010PBF

Description: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014PBF
Produktcode: 72611

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 1,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 310/11
Montage: THT

auf Bestellung: 1 St.

1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.58 EUR
10+	0.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014PBF

Description: VISHAY - IRFD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD014PBF

MOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020

MOSFET RECOMMENDED ALT IRFD020PBF

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IRFD020

0307+

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020PBF

MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI

auf Bestellung 3767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.09 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020PBF

Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

auf Bestellung 5210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR
2500+	1.31 EUR
5000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020PBF

09+

auf Bestellung 4948 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020PBF

Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD020PBF

Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024

Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 167 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

auf Bestellung 1863 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.34 EUR
86+	2.71 EUR
108+	2 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	3.3 EUR
84+	2.01 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD024PBF
Produktcode: 31843

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT

verfügbar: 3 St.

3 St. - stock Köln

auf Bestellung: 95 St.

95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.64 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

IRFD110 Транзисторы HEXFET

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

IRFD110

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.46 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

Description: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110

IRFD110

auf Bestellung 5453 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.46 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD110PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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IRFD110PBF

Description: VISHAY - IRFD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: 0
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: 0
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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IRFD110PBF

MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET

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IRFD110PBF
Produktcode: 98653

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Siliconix

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 0,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8,3
Montage: THT

verfügbar: 25 St.

25 St. - stock Köln

auf Bestellung: 99 St.

99 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.57 EUR
10+	1.4 EUR
100+	1.27 EUR

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IRFD110PBF

Vishay/IR

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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IRFD110PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V

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IRFD111

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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IRFD112

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V

auf Bestellung 1371 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 807 Stücke

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IRFD112

IRFD112

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

765+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 765 Stücke

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IRFD113

IRFD113

auf Bestellung 24593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

373+	1.75 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.4 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 373 Stücke

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IRFD113

IRFD113

auf Bestellung 24390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

373+	1.75 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.4 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 373 Stücke

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IRFD113

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube

auf Bestellung 46955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

437+	1.34 EUR

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IRFD113

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFD113PBF

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IRFD113

IRFD113

auf Bestellung 1904 Stücke:

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373+	1.75 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.4 EUR

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IRFD113(94-2095)

auf Bestellung 72500 Stücke:

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IRFD113(94-4111)

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFD113PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP

auf Bestellung 68 Stücke:

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IRFD113PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.65 EUR
10+	3.65 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.88 EUR
2000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFD113PBF

MOSFETs 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch

auf Bestellung 664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.31 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRFD113PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.36 EUR
57+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IRFD113PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 6.4A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRFD120

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

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IRFD120

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

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IRFD120PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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94+	1.86 EUR
109+	1.57 EUR
200+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

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IRFD120PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IRFD120PBF

MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET

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IRFD120PBF

Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Produktcode: 28377

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT

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1+	1.17 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.79 EUR

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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT

auf Bestellung: 50 St.

50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.25 EUR
10+	1.13 EUR
100+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT

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1+	0.96 EUR
10+	0.87 EUR

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IRFD120PBF/IR

08+;

auf Bestellung 2045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFD120S2497

Description: 1.3A, 100V, 0.300 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IRFD121

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

666+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 666 Stücke

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IRFD121

IRFD121

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

631+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 631 Stücke

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IRFD122

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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IRFD123

IRFD123

auf Bestellung 7743 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

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IRFD123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IRFD123

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD

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IRFD123

IRFD123

auf Bestellung 5988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD123

IRFD123

auf Bestellung 19804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR
10000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFD123