Produkte > DMT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V | auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 13792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Case: PowerDI®3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 5810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 41.3nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 11A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A | auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6010LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A | auf Bestellung 6555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6010LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6010SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 5850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6010SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6010SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6011LPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 10.3A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 37.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6011LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6011LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 22.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6011LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6011LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6012LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2438 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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| DMT6012LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6012LFDFQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDFQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDFQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDFQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDFQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFDFQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6012LFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 43.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.7A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 1.95W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.7A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 1.95W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 43.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V POWERDI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LPSW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.1W Gate charge: 22.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 10.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V | auf Bestellung 7957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 1.84W Gate charge: 22.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 32949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6012LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6013LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 10.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm | auf Bestellung 1857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6013LFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 60A; 1.2W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 10.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm | auf Bestellung 1857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6013LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6013LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes | MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6015LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6015LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 18.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | auf Bestellung 6998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6015LFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 15.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Zetex | 60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 7.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 17.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |