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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXGR72N60B3H1
Produktcode: 150400
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXGR72N60B3H1IXYSIGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
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IXGR72N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60B3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 80A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 200 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGR72N60C3IXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-HIFREQUENCY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60C3D1IXYSIGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXGR80N60BIXYSIGBT Transistors 85 Amps 600V 2.3 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR80N60BIXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
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IXGT10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGT10N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 32nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.3µs
Kind of package: tube
Turn-off time: 630ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA
Power - Max: 110 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 32 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.51 EUR
30+18.72 EUR
120+16.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170IXYSIGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.29 EUR
10+23.15 EUR
30+22.51 EUR
60+21.28 EUR
120+20.03 EUR
270+19.73 EUR
510+19.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 10A 140W TO268
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170AIXYSIGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT12N120A2D1IXYSDescription: IGBT 1200V TO268
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 180 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120BD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120CD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.8 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT15N120CD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A 150W TO268
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 69 nC
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170IXYSIGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 32A 190W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AIXYSIGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.34 EUR
10+31.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.88 EUR
30+25.29 EUR
120+23.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1IXYSIGBTs 11 Amps 1700V 5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N 60BIXYSIGBTs 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N 60BD1IXYSIGBTs 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N100IXYSDescription: IGBT 1000V 40A 150W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N120IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 63 nC
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N120IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1200V 3 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 190W TO268
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N140C3H1IXYSIGBT Modules 40khz C-IGBT w/Diode Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N140C3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 42A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT20N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 50A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170IXYSIGBTs 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO268
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 850V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.97mJ (on), 790µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/336ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170AIXYSIGBTs 24 Amps 1200 V 5 V Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170AH1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 1700V 6.0 V Rds
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170AH1IXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO268AA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N60BIXYSIGBTs 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N60CIXYSIGBTs 48 Amps 600V 2.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160IXYSDescription: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 84 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160IXYSIGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.46 EUR
98+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250-T/RIXYSIGBT Transistors IGBT TRANSISTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250-T/RIXYSDescription: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.8 EUR
10+73.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250-T/RIXYSDescription: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+60.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250HVIXYSIGBT Transistors IGBT NPT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT28N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 50A TO-268AA
Packaging: Box
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 92 nC
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT28N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 50A TO-268AA
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 92 nC
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT28N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT28N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5.5A TO268AA
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Gate Charge: 10.5 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT NPT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT2N250Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120B3D1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.94 EUR
10+22.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120B3D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V TO-268AA
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Active
Gate Charge: 87 nC
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V TO268AA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120BD1IXYSIGBTs 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60BIXYSDescription: IGBT 600V 60A 200W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/130ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60BIXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.8 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60B2IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60C2IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/70ns
Switching Energy: 290µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60C2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/70ns
Switching Energy: 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60C2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N60C3D1IXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT31N60IXYSIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT31N60D1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 150W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 31A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/400ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.11 EUR
10+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 89 nC
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.87 EUR
30+11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXGT)
IGBT Type: PT
Gate Charge: 89 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170IXYSIGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.43 EUR
10+40.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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