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Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

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15+	12.1 EUR
18+	9.78 EUR

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SCS210AJHRTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 894 Stücke:

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2+	15.21 EUR
10+	10.36 EUR
100+	8.1 EUR

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SCS210AJHRTLL

SiC Schottky Diodes 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

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1+	15.92 EUR
10+	8.95 EUR
100+	8.21 EUR
500+	8.07 EUR
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SCS210AJHRTLL

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

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24+	7.21 EUR
25+	6.81 EUR
50+	6.4 EUR

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SCS210AJHRTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

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SCS210AJHRTLL

Description: ROHM - SCS210AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

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SCS210AJTLL

SiC Schottky Diodes DIODE: 10A 600V

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1+	12.23 EUR
10+	6.5 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.49 EUR
1000+	4.65 EUR

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SCS210AJTLL

Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

auf Bestellung 437 Stücke:

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27+	7.12 EUR
100+	5.07 EUR
250+	4.95 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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SCS210AJTLL

Description: ROHM - SCS210AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Barriere, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

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SCS210AJTLL
Produktcode: 204613

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SCS210AJTLL

Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

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27+	7.12 EUR
100+	5.07 EUR
250+	4.95 EUR

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SCS210AJTLL

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 83W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 45A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

auf Bestellung 4 Stücke:

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4+	21.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SCS210AJTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SCS210AJTLL

Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

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19+	9.44 EUR
50+	6.44 EUR
100+	4.8 EUR
200+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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SCS210AJTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10

auf Bestellung 1130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.38 EUR
10+	7.64 EUR
100+	5.52 EUR
500+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SCS210AMC

Rectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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SCS210AMC

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 28A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube

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SCS210AMC

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SCS210AMC

SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11 EUR
10+	8.35 EUR
100+	7.81 EUR
500+	7.46 EUR
1000+	7.08 EUR

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SCS210ANHRTRL

Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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SCS210ANHRTRL

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.37 EUR
10+	6.22 EUR
100+	4.75 EUR
500+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SCS210ANHRTRL

SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.32 EUR
10+	6.22 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	3.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANHRTRL

Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.81 EUR
50+	5.18 EUR
250+	4.45 EUR
500+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANHRTRL

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANHRTRL

Description: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.2 EUR
37+	6.31 EUR
100+	4.18 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANTRL

Description: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.13 EUR
10+	6.07 EUR
100+	4.33 EUR
500+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANTRL

Description: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210ANTRL

SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SIC SKY

auf Bestellung 891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.23 EUR
10+	6.14 EUR
100+	4.88 EUR
500+	4.33 EUR
1000+	3.67 EUR
2000+	3.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2C

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 360 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2C

Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 10A 1200V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2C

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2GC11

SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.28 EUR
10+	11.52 EUR
100+	10.66 EUR
450+	9.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2GC11

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	12.58 EUR
25+	11.86 EUR
50+	11.17 EUR
100+	10.56 EUR
250+	10.08 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2GC11

Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	19.56 EUR
30+	13.07 EUR
120+	11.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2GC11

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.01 EUR
19+	9.34 EUR
50+	8.1 EUR
100+	7.44 EUR
200+	6.9 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HR

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.82 EUR
21+	8.15 EUR
50+	7.85 EUR
100+	7.44 EUR
200+	7.19 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HRC

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Qualification: AEC-Q101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 20
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 360 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HRC

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A/10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HRC11

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.74 EUR
25+	12.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HRC11

SiC Schottky Diodes AECQ

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.94 EUR
10+	11.9 EUR
100+	11.66 EUR
450+	11.14 EUR
900+	10.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KE2HRC11

Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	20.03 EUR
30+	11.63 EUR
120+	10.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS210KGC

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

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SCS210KGC

SiC Schottky Diodes DIODE: 10A 1200V

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SCS210KGC17

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	16.12 EUR
50+	8.66 EUR
100+	7.93 EUR
200+	7.57 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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SCS210KGC17

Description: ROHM - SCS210KGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACG
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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SCS210KGC17

SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.92 EUR
10+	9.34 EUR
100+	8.6 EUR
1000+	7.96 EUR

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SCS210KGC17

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	15.84 EUR

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SCS210KGC17

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

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SCS210KGC17
Produktcode: 203353

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SCS210KGC17

Description: DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.01 EUR
50+	9.38 EUR
100+	8.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SCS210KGHRC

Description: ROHM - SCS210KGHRC - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: SCS21
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

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SCS210KGHRC

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SCS210KGHRC

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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SCS210KGHRC

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SCS210KNHRTRL

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.88 EUR
50+	9.08 EUR
100+	8.27 EUR
250+	6.2 EUR
500+	5.77 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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SCS210KNHRTRL

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.93 EUR
10+	10.84 EUR
100+	9.76 EUR
500+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SCS210KNHRTRL

Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.99 EUR
16+	15.07 EUR
19+	11.51 EUR
50+	10.56 EUR
100+	9.59 EUR
250+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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SCS210KNHRTRL

SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.33 EUR
10+	10.09 EUR
100+	8.43 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	6.59 EUR
2000+	6.53 EUR

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SCS210KNHRTRL

Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.53 EUR
16+	10.91 EUR
50+	9.31 EUR
100+	7.58 EUR
200+	7.14 EUR
500+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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SCS210KNHRTRL

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SCS210KNTRL

SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A SM SIC SKY

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.89 EUR
10+	9.81 EUR
100+	8.16 EUR
500+	7.56 EUR
1000+	6.41 EUR

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SCS212AGC

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGC

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SCS212AGC

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; 93W; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.55V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 170A
Max. load current: 52A
Power dissipation: 93W
Max. off-state voltage: 650V

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SCS212AGC

Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 12A 600V

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SCS212AGC

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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SCS212AGC17

Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.21 EUR
50+	5.94 EUR
100+	5.32 EUR
250+	5.07 EUR
500+	4.3 EUR
1000+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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SCS212AGC17

Description: ROHM - SCS212AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220ACG
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.54 EUR
31+	7.7 EUR
100+	6.51 EUR
500+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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SCS212AGC17

Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE

auf Bestellung 1573 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.27 EUR
10+	9.48 EUR
100+	7.64 EUR
250+	7.22 EUR
500+	6.95 EUR
1000+	5.82 EUR
3000+	5.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGC17

Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.83 EUR
30+	5.65 EUR
50+	5.08 EUR
100+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGC17

Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	6.02 EUR
50+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGC17

Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.1 EUR
50+	6.46 EUR
100+	5.91 EUR
500+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGHRC

Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3576 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGHRC

Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.9 EUR
25+	8.4 EUR
50+	7.9 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AGHRC

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.22 EUR
10+	11.32 EUR
100+	9.42 EUR
500+	8.32 EUR
1000+	7.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.45 EUR
25+	7.97 EUR
50+	7.5 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

SiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.14 EUR
10+	12.07 EUR
100+	10.5 EUR
500+	9.4 EUR
1000+	8.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.84 EUR
10+	13.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.3 EUR
50+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJHRTLL

Description: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.38 EUR
21+	11.23 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.53 EUR
50+	3.88 EUR
100+	3.61 EUR
200+	3.51 EUR
500+	3.19 EUR
1000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.36 EUR
59+	2.9 EUR
100+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.08 EUR
10+	6.5 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SCS212AJTLL

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R

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SCS212AJTLL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V

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SCS212AMC

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube

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SCS212AMC

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube

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SCS212AMC

Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A TO-220FM

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SCS212ANHRTRL

Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

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SCS212ANHRTRL

Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C

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SCS212ANHRTRL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A

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Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101

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SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY

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100+	5.15 EUR
500+	4.63 EUR
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SCS212ANHRTRL

Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

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SCS212ANHRTRL

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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SCS212ANTRL

SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY

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SCS215AEC