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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFD113PBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.64 EUR
100+2.02 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6.4A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: HVMDIP
On-state resistance: 0.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.31 EUR
57+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+3.65 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.84 EUR
109+1.56 EUR
200+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Produktcode: 28377
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.17 EUR
10+0.96 EUR
100+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
100+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.96 EUR
10+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120S2497Harris CorporationDescription: 1.3A, 100V, 0.300 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD121HARRISIRFD121
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD121Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD122Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123HARRISIRFD123
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 39639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123HARRISIRFD123
auf Bestellung 19804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
10000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123HARRISIRFD123
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123HARRISIRFD123
auf Bestellung 7743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123VishayTrans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBF
Produktcode: 26821
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 1,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.67 EUR
100+1.17 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z0
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3HARRIS1997
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 11749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3HARRISIRFD1Z3
auf Bestellung 11664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.31 EUR
549+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210HARRISIRFD210
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.3 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210IRFD210 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Harris CorporationDescription: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+26.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
88+2.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFD210PBF
Produktcode: 118708
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFD213HARRISIRFD213
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.62 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD213Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 4379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
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IRFD213HARRISIRFD213
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.62 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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IRFD213
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFD214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFD214IR09+
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFD214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFD214PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.45A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220Harris CorporationDescription: 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
579+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220onsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD220PBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220(94-2188)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.56 EUR
100+2.4 EUR
500+1.48 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
171+1.37 EUR
199+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBF
Produktcode: 22410
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/14
Montage: THT
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.93 EUR
10+0.73 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFMOSFET N-CH 200V 0.8A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD223
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.43 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD224PBF. - MOSFET N, HEXDIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD3055
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310HARRISIRFD310
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.12 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310Harris CorporationDescription: 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
100+1.43 EUR
500+1.33 EUR
2500+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 350 mA, 3.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 350
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD311Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD311HARRISIRFD311
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.53 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD313Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD313HARRISIRFD313
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD3202002 DIP-4
auf Bestellung 15621 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
155+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320HARRISIRFD320
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+3.61 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD320PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.88 EUR
113+1.51 EUR
250+1.46 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 400V .49A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
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IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
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