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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.67 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123PBFVishayMOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210
Produktcode: 155079
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 200 V
Id,A: 0,4 A
Rds(on),Om: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8,9
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210VishayP-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω IRFD9210 TIRFD9210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Schwellenspannung Vgs: 4
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -250mA
Gate charge: 8.9nC
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
94+0.77 EUR
139+0.51 EUR
200+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.29 EUR
170+0.85 EUR
200+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9220PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220VishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP IRFD9220 IRFD9220 TIRFD9220
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220IRFD9220 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.96 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay SiliconixP-Channel 200 V 0.56 A DIP-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.65 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.08 EUR
144+0.98 EUR
154+0.89 EUR
250+0.85 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.01 EUR
155+0.93 EUR
250+0.91 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF
Produktcode: 31846
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 200
Id,A: 0.6
Rds(on),Om: 1.5
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
/: THT
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF.. - P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC03IORTO220/
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFDC20PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20
Produktcode: 130199
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBFVishayIRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
10+2.95 EUR
100+2.04 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.32A; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBF600V, 4.4Ohm, 0.32A, Pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 600V .32A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.57 EUR
10+2.85 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 320
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFDC20PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFDC20PBF. - MOSFET N, HEXDIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE024TT ElectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE024Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE024Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 6.7A 18-Pin LCC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+108.18 EUR
10+97.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE110Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE110Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE110-JQR-BSemelab (TT electronics)MOSFET - POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE130TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE130Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE430Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE430Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 18-Pin LLCC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE9110Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE9130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 6.1A 16-Pin LCC-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFE9130Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF110Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF110IOR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF110Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF110PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF110RIOR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF111Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF111HARRIS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF111Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
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IRFF111RHARRIS
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IRFF112Infineon / IRMOSFET
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IRFF112IOR
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IRFF112RHARRIS
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IRFF113HARRIS
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IRFF113RHARRIS
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IRFF120INTERSIL
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IRFF120Infineon / IRMOSFET
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IRFF120PBFInfineon / IRMOSFET
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IRFF120RHARRIS
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IRFF121INTERSIL
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IRFF121Infineon / IRMOSFET
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IRFF1210International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
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IRFF121RHARRIS
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IRFF122Infineon / IRMOSFET
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IRFF122IOR
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IRFF122RHARRIS
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IRFF123IOR
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IRFF123RHARRIS
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IRFF130Infineon / IRMOSFET
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IRFF130Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
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IRFF130IR
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IRFF130PBFInfineon / IRMOSFET
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IRFF130RHARRIS
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IRFF131HARRIS
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IRFF131International RectifierDescription: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF
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IRFF131Infineon / IRMOSFET
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IRFF131RHARRIS
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IRFF132IOR
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IRFF132RHARRIS
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IRFF133IR
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IRFF133Infineon / IRMOSFET
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IRFF133RHARRIS
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IRFF210International Rectifier(MFET,N-CH,15W,200V,2.2A,TO-205) Транзистори
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IRFF210Infineon / IRMOSFET
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IRFF210Intersil
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IRFF210Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3-Pin TO-39
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IRFF210PBFInfineon / IRMOSFET
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