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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2065UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
388+0.6 EUR
700+0.31 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
auf Bestellung 15927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
auf Bestellung 62131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
57+0.37 EUR
65+0.32 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7
Produktcode: 128666
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075U-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
303+0.77 EUR
474+0.45 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1527+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.74 EUR
35+0.61 EUR
50+0.54 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
303+0.77 EUR
474+0.45 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 20A; 580mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1220+0.14 EUR
1527+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2080UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: X2-WLB0808-4
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1 EUR
10+0.7 EUR
100+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0606-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
auf Bestellung 168052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0606-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs 900mW 20Vdss
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.04 EUR
100+0.65 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 3.3A 55mΩ 1W DMN2100UDM-7 Diodes TDMN2100udm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
28+0.76 EUR
50+0.67 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2100UDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
On-state resistance: 0.13Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2104L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2104L-7DIODESSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2112SN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2112SN-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 1.2A
auf Bestellung 5976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2112SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2114SN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2114SN-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 1.2A
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2114SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2120UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2120UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
auf Bestellung 74162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
48+0.44 EUR
55+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2120UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN1616-6 T&R 3K
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2165UWDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2170U
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2170U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 217 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D1UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN0607-3 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D1UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0607-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D1UDA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 7834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D1UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D1UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
36+0.6 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 570mW
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 930pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
48+0.44 EUR
55+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
48+0.44 EUR
55+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10
auf Bestellung 12937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
547+0.43 EUR
1049+0.2 EUR
1178+0.18 EUR
1345+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
547+0.43 EUR
1049+0.2 EUR
1178+0.18 EUR
1345+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN21D2UFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 570mW
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 930pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2215UDM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2215UDMDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2215UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs 650mW 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2215UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT26
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.25 EUR
435+0.2 EUR
490+0.18 EUR
535+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7Diodes IncorporatedMOSFET 600mW 20Vdss
auf Bestellung 5368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230U-7 Diodes TDMN2230u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 7A; 600mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 2.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; DMN2230UQ-13; DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+1.14 EUR
296+0.79 EUR
463+0.46 EUR
614+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DiodesDMN2230UQ-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
32+0.65 EUR
50+0.57 EUR
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
150+0.57 EUR
218+0.39 EUR
251+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
auf Bestellung 12755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
301+0.77 EUR
470+0.45 EUR
625+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs N-CH MOSFET 20V
auf Bestellung 199500 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.35A 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
auf Bestellung 17770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V X4-DSN3221-10
Supplier Device Package: X4-DSN3221-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 131968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 18239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.52 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.6 EUR
6000+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
14000+0.52 EUR
20000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
auf Bestellung 11387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.48 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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