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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
852+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 852 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
126+1.84 EUR
191+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
auf Bestellung 8342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 8.4A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, P-channel Power Trench
auf Bestellung 8887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 32A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
721+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685TF_SB82135onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685_F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4N60NZONS/FAIMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4N60NZonsemi / FairchildMOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
auf Bestellung 7629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.93 EUR
100+1.5 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4N60NZON Semiconductor
auf Bestellung 8284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5-187(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .020 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5-187(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD5-250 - Steckhülse, FDD5, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterquerschnitt CSA: 6mm²
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
Produktpalette: FDD5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.39 EUR
8+30.19 EUR
10+26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5-250KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5.5-250CONNECTARyellow, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 4~6mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC eqiv. BM00391, FVDDF5.5-250A, ST-005/Y FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD5.5-250
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5202PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
84+2.78 EUR
124+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.43 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 20.3mΩ
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
39+2.23 EUR
44+1.95 EUR
52+1.65 EUR
59+1.45 EUR
100+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
115+1.46 EUR
116+1.39 EUR
152+1.02 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
117+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.52 EUR
116+1.49 EUR
152+1.11 EUR
250+1.07 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5514PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 11331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
110+2.12 EUR
152+1.4 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
137+1.23 EUR
139+1.17 EUR
181+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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FDD5612onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 1608 Stücke:
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FDD5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD5614FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FDD5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD5614PONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD5614PonsemiMOSFETs 60V P-Ch PowerTrench
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FDD5614P
Produktcode: 29177
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 759/15
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1+1 EUR
10+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
146+1.59 EUR
182+1.18 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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FDD5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 191365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1102+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
100000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1102 Stücke
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FDD5614PONS/FAITO-252 Транзистори
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FDD5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
146+1.59 EUR
182+1.18 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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FDD5614P-NLFAIRCHILDTO-252 0712+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD5614P_NLonsemi / FairchildMOSFET DPAK, SINGLE, PCH
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FDD5614P_Tonsemi / FairchildMOSFET
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FDD5670
Produktcode: 98991
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 52 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2739/52
Montage: SMD
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.03 EUR
10+1.89 EUR
100+0.57 EUR
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FDD5670onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5670_NLonsemi / FairchildMOSFET TO-252, DPAK, NCH, 60V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5670_Tonsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.2 EUR
100+1.45 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5680-NLFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690ON-SemiconductorN-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 FDD5690 ON Semiconductor TFDD5690
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 7170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
169+1.38 EUR
171+1.26 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 7170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.25 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5810 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810fairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5810UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD5810-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD5810-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDD5810-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 29746 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD5810-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5810-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
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FDD5810-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDD5N50ON SemiconductorON Semiconductor UF 500V 1.4OHM DPAK
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FDD5N50Fonsemi UF 500V 1.55OHM F DPAK
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FDD5N50FTF_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FDD5N50FTMON SemiconductorFDD5N50FTM
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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FDD5N50FTMON SemiconductorFDD5N50FTM
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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FDD5N50FTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5N50FTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
326+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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FDD5N50FTM-TWSON Semiconductor / FairchildMOSFET MOSFET, UniFET 500V / 3.5A
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD5N50FTM-WSonsemiMOSFETs UniFET 500V 3.5A
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50FTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD5N50NZonsemi UF2 500V 1.5OHM DPAK
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FDD5N50NZFTMAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N50NZFTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5N50NZFTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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