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Description: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

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IRFHM831TR2PBF

Транзистори

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IRFHM831TRPBF

Infineon

auf Bestellung 208000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFHM831TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 7.3nC

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IRFHM831TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

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IRFHM831TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFHM831TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

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IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1512 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1340+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1340 Stücke

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IRFHM8326TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBF

MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 94-98 Tag (e)

3+	0.98 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.38 EUR
4000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFHM8326TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V

auf Bestellung 3490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

MOSFETs Y

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

auf Bestellung 3948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
18+	1.02 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
2000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.61 EUR
324+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.4 EUR
4000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 239 Stücke

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IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2622 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1316+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1316 Stücke

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IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

480+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 480 Stücke

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IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8329TRPBF

Infineon / IR

MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8330TRPBF

MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 2676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8334TRPBF

MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 3187 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8334TRPBF-INF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8337TRPBF

Infineon / IR

MOSFET 30V 5nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8337TRPBF-IR

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8342TRPBF

MOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8342TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8342TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8342TRPBF-IR

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8363TR2PBF

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8363TRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

621+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 621 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

VBSEMI

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.52 EUR
295+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Infineon

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори

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IRFHM8363TRPBF

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC

auf Bestellung 3375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.71 EUR
4000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM9331

Infineon

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IRFHM9331TR2PBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel

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IRFHM9331TRPBF

MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC

auf Bestellung 4807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.12 EUR
10+	0.82 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.63 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

291+	0.5 EUR
303+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 291 Stücke

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IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.41 EUR
8000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHM9331TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2.8W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 787 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	0.87 EUR
106+	0.67 EUR
122+	0.59 EUR
141+	0.51 EUR
250+	0.42 EUR
500+	0.36 EUR
650+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.41 EUR
8000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

283+	0.52 EUR
323+	0.45 EUR
330+	0.43 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 283 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

387+	0.38 EUR
500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 387 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9391TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9391TRPBF

MOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM9391TRPBF

Infineon Technologies Americas Corp.

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHP8321TRPBF

Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHP8334TRPBF

Infineon Technologies Americas Corp.

Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TR2
Produktcode: 99499

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Uds,V: 25
Idd,A: 08.05.2015
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 03.04.653
JHGF: SMD

verfügbar: 15 St.

1+	0.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1735+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1735 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1736+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1736 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 177700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1735+	0.32 EUR
10000+	0.28 EUR
100000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 1735 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

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Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

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MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC

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IRFHS8242TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFHS8342