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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 842 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.48 EUR
507+0.33 EUR
655+0.25 EUR
1005+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
264+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
31+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.73 EUR
366+0.46 EUR
369+0.44 EUR
507+0.31 EUR
512+0.3 EUR
655+0.21 EUR
1005+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
285+0.57 EUR
286+0.55 EUR
287+0.52 EUR
288+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
auf Bestellung 4058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.07 EUR
100+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
233+1 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
233+1 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
288+0.6 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1605+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
auf Bestellung 6012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.25 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
246+0.94 EUR
319+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 999A SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 11453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1581+0.42 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.87 EUR
351+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
227+1.02 EUR
304+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+0.4 EUR
453+0.37 EUR
454+0.36 EUR
520+0.3 EUR
525+0.29 EUR
590+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.38 EUR
520+0.33 EUR
525+0.32 EUR
590+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
32+0.65 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
227+1.02 EUR
304+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBF
Produktcode: 98279
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TR
Produktcode: 99498
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5250/58
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
83+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInternational RectifierP-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 14944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
75+2.3 EUR
103+1.64 EUR
200+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2000+0.98 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.14 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.19 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFHE4250DTRPBF
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,60 A Power Block PQFN 6x6
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.12 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 572000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
143+1.63 EUR
218+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1676000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.69 EUR
200+1.06 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.54 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
250+1.26 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
143+1.63 EUR
218+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 29715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1259+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4226TRPBFInfineon
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBF/BKNInfineon TechnologiesDescription: IRFHM4231TRPBF/BKN
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4234TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 4394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4234TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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