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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.47 EUR
39+4.46 EUR
50+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
48+4.86 EUR
100+3.13 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
auf Bestellung 3078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.14 EUR
100+2.88 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P05BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+4.19 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.34 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P06BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.53 EUR
100+2.07 EUR
2500+1.75 EUR
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P06BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
71+3.27 EUR
115+1.88 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P06BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P07BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P07BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P07BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P07BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.15 EUR
42+5.59 EUR
100+3.62 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P07BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBDTLROHMDescription: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.63 EUR
5000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBDTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 80A(Id), (6.0V Drive)
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBDTLROHMDescription: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
62+3.78 EUR
100+2.74 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
10+4.84 EUR
100+3.86 EUR
500+3.26 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P08BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.49 EUR
100+3.14 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
116+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
10+2.23 EUR
100+1.57 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 3022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
81+2.88 EUR
116+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.2 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
131+1.64 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 16439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.69 EUR
130+1.65 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P100SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -52A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -52A
Drain current: -13A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.77 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.92 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P130SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
70+3.34 EUR
100+2.4 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
100+1.81 EUR
250+1.62 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.82 EUR
67+3.47 EUR
100+2.19 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1RohmMOSFET P-CH 100V 13A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
100+1.88 EUR
250+1.76 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
118+1.83 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
81+2.88 EUR
115+1.87 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLROHM - JapanTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 5175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.45 EUR
100+1.8 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+3.06 EUR
100+2.46 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
auf Bestellung 14794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+3.18 EUR
100+2.48 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 17.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 4569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.5 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
2500+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.55 EUR
100+2.81 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P200SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P200SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 6980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+4.02 EUR
100+3.24 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 20.0A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
auf Bestellung 11957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.57 EUR
100+2.12 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R02BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 20A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R02BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.81 EUR
100+2.24 EUR
250+2.07 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R02BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R02BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 20A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 75 V
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.81 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R02BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R05BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
52+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R05BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R05BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+5.07 EUR
25+4.9 EUR
100+3.72 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RBKWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RBK10WiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK 10FT CORD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RNIWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL NICKEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RWHWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RWH10WiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE 10FT CORD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
63+3.69 EUR
100+2.42 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.89 EUR
100+2.28 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+3.31 EUR
100+2.65 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.16 EUR
100+3.14 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.87 EUR
100+2.83 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 190V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+2 EUR
2500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.18 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
10+2.48 EUR
100+1.93 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
106+2.19 EUR
141+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
90+2.59 EUR
141+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.68 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 9955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U040CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.43 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.01 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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