Produkte > STG

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
92+1.82 EUR
101+1.59 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
92+1.87 EUR
101+1.67 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HD
Produktcode: 124794
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
auf Bestellung 5146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO220FP
Power - Max: 23 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Gate Charge: 15.2 nC
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.54 EUR
100+1.2 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.44 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGF5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 24 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 24 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 24mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 24.2 W
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
10+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.9 EUR
100+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.46 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HD
Produktcode: 35359
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 6 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.13 EUR
47+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGF6NC60HD - IGBT, 6 A, 2.5 V, 20 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
50+1.52 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 24W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 24 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 24W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
86+2 EUR
100+1.75 EUR
200+1.59 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.92 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60HDFP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLST15A; 600V; 25W; IGBT   STGF7NB60SL STMicroelectronics TSTGF7NB60SL
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4.5V, 7A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/5.2µs
Switching Energy: 4.1mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 16 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 26460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
81+2.08 EUR
100+1.88 EUR
250+1.78 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
40+2.18 EUR
50+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLST15A; 600V; 25W; IGBT   STGF7NB60SL STMicroelectronics TSTGF7NB60SL
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 26460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
81+2.13 EUR
100+1.94 EUR
250+1.88 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsIGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.56 EUR
100+1.43 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SLSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HDSTMIGBT N-CHAN 10A 600V TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 36300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A 25W TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 36300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NC60HD (TO-220FP)
Produktcode: 57971
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 10 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 6 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 25 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18,5/72
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF8NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7A TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 24 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF8NC60KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.76 EUR
25+2.62 EUR
100+2.14 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF8NC60KD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFL6NC60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7A 22W TO220FP
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: TO-220FP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 22 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFL6NC60DISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7A 22W TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 22 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 52 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 52W TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 52 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 52 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+5.01 EUR
25+4.74 EUR
100+4.05 EUR
600+3.56 EUR
1200+2.89 EUR
2700+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT 650V 60A 58W TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 58 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 36A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 58 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+4.9 EUR
120+3.64 EUR
510+3.03 EUR
1020+2.83 EUR
2520+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 58 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW35HF60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 36A 88W TO3PF
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Supplier Device Package: TO-3PF
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PF-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 62.5 W
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
30+4.2 EUR
120+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.76 EUR
100+3.52 EUR
600+3.09 EUR
1200+2.64 EUR
2700+2.51 EUR
5100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.22 EUR
48+3.62 EUR
120+2.93 EUR
510+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 62.5 W
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
30+4.3 EUR
120+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DF
Produktcode: 209107
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.24 EUR
48+3.55 EUR
120+2.82 EUR
510+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 98.5W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 98.5W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 62.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGFW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 62.5 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
52+4.5 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW45HF60WSTMicroelectronicsSTMicroelectronics 23 A, 600 V Ultrafast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 79 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.25 EUR
43+4.01 EUR
44+3.89 EUR
50+3.76 EUR
100+2.95 EUR
250+2.88 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.25 EUR
43+3.93 EUR
44+3.75 EUR
50+3.56 EUR
100+2.73 EUR
250+2.59 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: H2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
41+5.78 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.06 EUR
100+3.55 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
2000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH50H65B2-7AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGHU30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.98 EUR
10+5.3 EUR
100+3.75 EUR
600+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGHU30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGHU30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 84 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, HU3PAK, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 84A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGHU30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 223 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/151ns
Switching Energy: 210µJ (on), 1.147mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 441 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.57 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGHU30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGHU30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 84 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, HU3PAK, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 84A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
36+6.47 EUR
50+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGHU30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 223 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/151ns
Switching Energy: 210µJ (on), 1.147mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 441 W
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-ESTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Part Status: Active
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-ESTMicroelectronicsIGBT Modules PTD IGBT & IPM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-LSTMicroelectronicsDescription: SLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Part Status: Active
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-LSTMicroelectronicsIGBT Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-LSTMIPM Module I GBT 20V 1.95V 1500V 26-Pin SDIP2B Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60S-XZSTMicroelectronicsIGBT Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60TS-ESTMicroelectronicsIGBT Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60TS-ESTMicroelectronicsDescription: SLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Part Status: Active
Current: 15 A
Voltage: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIB10CH60TS-LSTMicroelectronicsIGBT Modules SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+17.66 EUR
100+14.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  Nächste Seite >> ]