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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
30+16.02 EUR
120+13.73 EUR
510+13.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PP-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.53 EUR
12+14.66 EUR
25+13.17 EUR
100+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.24 EUR
11+21.84 EUR
14+16.11 EUR
50+15.4 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.19 EUR
9+27.04 EUR
10+22.3 EUR
25+19.66 EUR
100+17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.33 EUR
11+22.13 EUR
12+18.29 EUR
50+17.75 EUR
100+17.2 EUR
250+16.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.78 EUR
30+15.05 EUR
120+12.92 EUR
510+12.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4IXYSMOSFETs TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.7 EUR
10+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.18 EUR
30+13.21 EUR
120+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25TIXYSMOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
30+11.48 EUR
120+9.76 EUR
510+8.48 EUR
1020+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.86 EUR
30+8.03 EUR
120+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+9.62 EUR
120+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.86 EUR
30+8.21 EUR
120+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH96P085T. - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI10N60PIXYSMOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO262
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ36N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150MOSFET 1500В 2,5А TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.31 EUR
10+23.09 EUR
120+17.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.69 EUR
30+17.58 EUR
120+15.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150MOSFET 1500В 3А TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150IXYSMOSFET High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.3 EUR
10+26.2 EUR
30+23.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.64 EUR
25+17.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.19 EUR
25+18.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.64 EUR
10+27.75 EUR
100+24 EUR
500+23.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.9 EUR
25+29.12 EUR
100+25.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.07 EUR
10+29.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2MOSFET N-CH 650V 102A TO264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+63.88 EUR
50+59.87 EUR
100+56.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+83.26 EUR
5+73.03 EUR
10+63.43 EUR
50+59.46 EUR
100+55.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.69 EUR
5+60.4 EUR
10+57.47 EUR
20+55.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.69 EUR
5+60.4 EUR
10+57.47 EUR
20+55.23 EUR
50+53.22 EUR
100+50.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N30
Produktcode: 32146
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IXTK110N30Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N30IXYSMOSFETs 110 Amps 300V 0.026 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25IXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.020 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25
Produktcode: 36909
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTK120N25PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+33.51 EUR
7+28.3 EUR
10+26.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PIXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.26 EUR
10+23.15 EUR
100+22.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.43 EUR
5+20.1 EUR
10+18.21 EUR
25+16.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.83 EUR
25+22.86 EUR
100+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
25+19.83 EUR
100+18.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.93 EUR
25+36.24 EUR
100+31.8 EUR
500+31.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.79 EUR
10+32.05 EUR
50+27.33 EUR
100+25.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.62 EUR
10+37.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.52 EUR
5+56.18 EUR
10+48.43 EUR
50+44.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 46 Stücke:
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5+34.66 EUR
10+33.09 EUR
20+31.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.28 EUR
25+43.79 EUR
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IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 383 Stücke:
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10+59.64 EUR
25+45.22 EUR
100+44.45 EUR
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IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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4+49.27 EUR
5+45.49 EUR
10+41.9 EUR
25+37.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXTK120P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.73 EUR
25+36.37 EUR
100+35.99 EUR
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IXTK128N15IXYSMOSFETs 128 Amps 150V 0.015 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXTK128N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 128A TO264
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXTK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.21 EUR
7+33.74 EUR
10+25.28 EUR
50+23.07 EUR
100+22.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IXTK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 800W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 180ns
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IXTK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.38 EUR
25+34.46 EUR
100+30.23 EUR
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IXTK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTK140N30PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.33 EUR
10+41.53 EUR
100+36.46 EUR
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IXTK140N30PТранзистори
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