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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH7P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 7A TO247
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.7 EUR
30+27.07 EUR
120+26.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.22 EUR
11+21.88 EUR
13+17.08 EUR
50+13.95 EUR
100+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.85 EUR
30+13.04 EUR
60+12 EUR
120+11.11 EUR
510+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+15.4 EUR
120+13.11 EUR
510+11.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.23 EUR
11+16.23 EUR
30+14.67 EUR
120+13.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20LIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.13 EUR
10+18.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 80 А, Rds = 40 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 4000 мкА, Р, Вт = 890, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7753 pF @ 25 V
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.59 EUR
30+20.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.96 EUR
10+20.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2MOSFET N-CH 650V 80A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N25TIXYSMOSFETs TO247 250V 86A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15IXYSMOSFETs 88 Amps 150V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.77 EUR
10+18.39 EUR
120+17.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.84 EUR
16+15.29 EUR
19+11.7 EUR
50+11.44 EUR
100+11.19 EUR
250+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.88 EUR
100+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50IXYSMOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+15.71 EUR
120+13.07 EUR
510+12.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22 EUR
10+19.77 EUR
30+16.87 EUR
120+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.24 EUR
11+21.84 EUR
14+16.11 EUR
50+15.4 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.35 EUR
12+14.49 EUR
25+13.02 EUR
100+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PP-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
30+16.02 EUR
120+13.73 EUR
510+13.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.24 EUR
9+27.06 EUR
10+22.34 EUR
25+19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.33 EUR
11+22.13 EUR
12+18.29 EUR
50+17.75 EUR
100+17.2 EUR
250+16.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.78 EUR
30+15.05 EUR
120+12.92 EUR
510+12.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH94N20X4IXYSMOSFETs TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.7 EUR
10+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.18 EUR
30+13.21 EUR
120+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25TIXYSMOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
30+11.48 EUR
120+9.76 EUR
510+8.48 EUR
1020+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
30+8.12 EUR
120+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+9.62 EUR
120+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
30+7.94 EUR
120+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH96P085T. - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.94 EUR
18+13.34 EUR
25+12 EUR
50+11.67 EUR
100+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI10N60PIXYSMOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTI12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO262
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ36N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.27 EUR
30+17.93 EUR
60+16.59 EUR
120+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.8 EUR
10+17.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150MOSFET 1500В 2,5А TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150IXYSMOSFET High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.3 EUR
10+26.2 EUR
30+23.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150MOSFET 1500В 3А TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
On-state resistance: 27mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.62 EUR
25+21.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.64 EUR
10+27.75 EUR
100+24 EUR
500+23.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.19 EUR
25+18.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 450ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.9 EUR
25+29.12 EUR
100+25.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2MOSFET N-CH 650V 102A TO264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.07 EUR
10+29.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+62.95 EUR
5+59.7 EUR
10+56.8 EUR
20+54.6 EUR
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IXTK110N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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3+62.95 EUR
5+59.7 EUR
10+56.8 EUR
20+54.6 EUR
50+52.6 EUR
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IXTK110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+83.26 EUR
5+73.03 EUR
10+63.43 EUR
50+59.46 EUR
100+55.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXTK110N20L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+63.15 EUR
50+59.19 EUR
100+55.48 EUR
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IXTK110N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
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IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK110N30
Produktcode: 32146
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IXTK110N30Транзистори
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IXTK110N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
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IXTK110N30IXYSMOSFETs 110 Amps 300V 0.026 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXTK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTK120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
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