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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
auf Bestellung 9967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.08 EUR
10+0.8 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.3 EUR
20000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
278+0.83 EUR
409+0.52 EUR
521+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7DiodesMOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
278+0.83 EUR
409+0.52 EUR
521+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
auf Bestellung 8021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DSQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
auf Bestellung 125892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.82 EUR
100+0.58 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7DiodesMOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
auf Bestellung 7257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
21+1 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
197+1.18 EUR
311+0.69 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
197+1.18 EUR
311+0.69 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 4035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.81 EUR
511+0.45 EUR
1041+0.2 EUR
1165+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.08 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.81 EUR
511+0.45 EUR
1041+0.2 EUR
1165+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
52+0.4 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
auf Bestellung 8179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
auf Bestellung 17439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
auf Bestellung 11049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFBDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 20203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
40+0.083 EUR
100+0.082 EUR
3000+0.08 EUR
24000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2600UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
auf Bestellung 27093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UDJ-7DiodesMOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
auf Bestellung 89990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
auf Bestellung 37001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-4 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UTDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.046 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
auf Bestellung 2229584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
97+0.21 EUR
177+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
981+0.24 EUR
1806+0.12 EUR
1852+0.12 EUR
1905+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.054 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
auf Bestellung 2226000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.044 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.55 EUR
981+0.24 EUR
1806+0.12 EUR
1852+0.12 EUR
1905+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
auf Bestellung 25897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
20+0.17 EUR
100+0.11 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
11+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UFBQ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 870mA; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 870mA
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
468+0.5 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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