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CSD18541F5T

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 21500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	0.98 EUR
500+	0.86 EUR
750+	0.81 EUR
1250+	0.79 EUR
2500+	0.76 EUR
6250+	0.71 EUR
12500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18541F5T

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18541F5T

Texas Instruments

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

auf Bestellung 2303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.84 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.8 EUR
2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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CSD18541F5T

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18542KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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CSD18542KCS

Texas Instruments

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,1mOhm; 200A; 200W; -55°C ~ 175°C; CSD18542KCS TCSD18542kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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CSD18542KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.98 EUR
39+	2.23 EUR
50+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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CSD18542KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

750+	1.89 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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CSD18542KCS

Texas Instruments

MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.78 EUR
2500+	1.69 EUR

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CSD18542KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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CSD18542KCS

Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18542KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.51 EUR
50+	2.74 EUR
100+	2.46 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18542KTT

Texas Instruments

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18542KTTT

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18542KTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.78 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18542KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18542KTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18542KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.06 EUR
10+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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CSD18542KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTTT

Texas Instruments

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD18542KTT

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.31 EUR
10+	2.57 EUR
100+	2.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	3.56 EUR
100+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18542KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTTT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A

auf Bestellung 1477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.94 EUR
46+	1.86 EUR
50+	1.77 EUR
100+	1.7 EUR
250+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18542KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18543Q3A

Texas Instruments

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT

auf Bestellung 45719 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.62 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

auf Bestellung 57450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.57 EUR
7500+	0.55 EUR
12500+	0.51 EUR
17500+	0.5 EUR
25000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

auf Bestellung 57453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
15+	1.49 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3A

Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	1.59 EUR
500+	1.45 EUR
750+	1.38 EUR
1250+	1.3 EUR
1750+	1.25 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT
Produktcode: 126797

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	2.43 EUR
46+	1.89 EUR
100+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 8VSON Транзистори

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

auf Bestellung 6026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A

auf Bestellung 3304 Stücke:

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1+	3.47 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.55 EUR
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CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18543Q3AT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 75 Stücke:

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CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.09 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

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CSD18563Q5A

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 116
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 116
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18563Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

auf Bestellung 5906 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.88 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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CSD18563Q5A-P

Texas Instruments

Description: 60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

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CSD18563Q5A-P

Texas Instruments

MOSFETs 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 6.8mOhm 8-VSONP -55 to 150

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CSD18563Q5AT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

CSD18563Q5AT CSD18563Q5A MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.33 EUR

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.57 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Транзистори

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18563Q5AT

Texas Instruments

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18563Q5AT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.86 EUR
51+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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CSD18563Q5AT (Texas Instruments)
Produktcode: 172808

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Transistoren > MOSFET N-CH

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CSD1857

C&K

Rocker Switches SWITCH 7107P3CWAV2QE22 SS SC**

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Mindestbestellmenge: 2400 Stücke

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CSD1857

C&K

Rocker Switches

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	32.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V

auf Bestellung 922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.02 EUR
50+	2.69 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,9mOhm; 129A; 217W; -55°C ~ 175°C; CSD19501KCS TCSD19501kcs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.19 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

750+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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CSD19501KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	3.2 EUR
46+	1.86 EUR
51+	1.69 EUR
53+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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CSD19501KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19501KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 217
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.28 EUR
1000+	1.96 EUR
2500+	1.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19501KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

183+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

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CSD19501KCS

Texas Instruments

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD19501KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.28 EUR
500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R Діоди та діодні збірки

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 2209 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.19 EUR
52+	3.13 EUR
100+	2.23 EUR
250+	2.12 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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CSD19502Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

MOSFETs N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 94-98 Tag (e)

1+	5.51 EUR
10+	3.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B
Produktcode: 220048

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Transistoren > MOSFET N-CH

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CSD19502Q5B

Texas Instruments

N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 4870 @ 40, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 4,1 мОм, Ugs(th) = 3.3 @ 250 мкA В, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 191 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP-8 Од.
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD19502Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 2209 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.19 EUR
52+	3.25 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.3 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD19502Q5BT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V

auf Bestellung 6428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.27 EUR
10+	4.76 EUR
100+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD19502Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm

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CSD19502Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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CSD19502Q5BT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V

auf Bestellung 6250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	2.96 EUR
500+	2.73 EUR
750+	2.61 EUR
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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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CSD19502Q5BT

Texas Instruments

MOSFETs N-Channel 3.4mOhm 8 0V A 595-CSD19502Q5B A 595-CSD19502Q5B

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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CSD19503KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19503KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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CSD19503KCS

Texas Instruments

MOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

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10+	3.67 EUR
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500+	2.26 EUR
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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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CSD19503KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 1050 Stücke:

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50+	2.45 EUR
100+	2.21 EUR
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CSD19503KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

auf Bestellung 368 Stücke:

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31+	2.77 EUR
45+	1.93 EUR
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CSD19505KCS
Produktcode: 113190

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