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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLH5030TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.62 EUR
36+4.94 EUR
38+4.49 EUR
50+4.05 EUR
100+3.65 EUR
250+3.25 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
auf Bestellung 3268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.61 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.18 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.62 EUR
36+4.83 EUR
38+4.32 EUR
50+3.83 EUR
100+3.37 EUR
250+2.92 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.15 EUR
49+4.81 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TR2
Produktcode: 99531
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4730/82
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
70+3.32 EUR
103+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.45 EUR
100+1.95 EUR
250+1.81 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
96+1.82 EUR
110+1.55 EUR
200+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5036TR2
Produktcode: 48698
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5360/90
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5036TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5036TRPBFInfineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5036TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5036TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 44nC
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
auf Bestellung 8752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.98 EUR
100+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFIRLH6224TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.82 EUR
107+1.63 EUR
131+1.3 EUR
200+1.19 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.02 EUR
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH6224TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TR2PBFInfineon / IRMOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/85A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/85A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH7134TRPBFInternational RectifierMOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TR2PBF
Produktcode: 79678
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Transistoren > MOSFET N-CH
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1+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.56 EUR
335+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 609 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.49 EUR
554+0.31 EUR
563+0.29 EUR
572+0.27 EUR
581+0.26 EUR
590+0.25 EUR
600+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+0.31 EUR
581+0.3 EUR
590+0.29 EUR
600+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
127+1.84 EUR
190+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 17157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
auf Bestellung 7096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBFInfineonMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRInternational RectifierN-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TR2PBF
Produktcode: 74347
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 9948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.04 EUR
4000+0.88 EUR
8000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 175500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
100000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.4 EUR
106+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLHM630TRPBF
auf Bestellung 936740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
100000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.82 EUR
308+0.75 EUR
312+0.69 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF
Produktcode: 113594
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFIRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC
auf Bestellung 52979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFInfineonPQFN-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.21 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.93 EUR
506+0.46 EUR
676+0.32 EUR
758+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
auf Bestellung 5142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
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IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
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4000+0.21 EUR
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRLHS2242TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 7,2, Ciss, пФ @ Uds, В = 877 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 31 мОм @ 8,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 2.1, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: 6-PowerVDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRLHS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
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437+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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IRLHS6242Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRLHS6242TR2
Produktcode: 99532
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14
Montage: SMD
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1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
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IRLHS6242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 8.5A 11.7mOhm 2.5V cpbl
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IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
auf Bestellung 3310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 30370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.73 EUR
349+0.5 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.5 EUR
12000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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