Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLH5036TR2 Produktcode: 48698
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 16 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,6 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5360/90 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLH5036TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH5036TRPBF | Infineon | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLH5036TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 44nC | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH5036TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH6224 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH6224TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable | auf Bestellung 8752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH6224TRPBF | IRLH6224TRPBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLH7134TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH7134TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH7134TRPBF | International Rectifier | MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH7134TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 26A/85A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLH7134TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level | auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM620 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM620TR2PBF Produktcode: 79678
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLHM620TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 26A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V | auf Bestellung 7096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 3228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 7988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 7450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 3228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC | auf Bestellung 3641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 17157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM620TRPBF | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke | verfügbar 609 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TR | International Rectifier | N-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLHM630TR2PBF Produktcode: 74347
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLHM630TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 9948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 175500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC | auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHM630TRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRLHM630TRPBF | auf Bestellung 936740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS2242 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS2242TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 7,2, Ciss, пФ @ Uds, В = 877 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 31 мОм @ 8,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА, Р, Вт = 2.1, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: 6-PowerVDFN Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | IRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V | auf Bestellung 5142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC | auf Bestellung 52979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Infineon | PQFN-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF Produktcode: 113594
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 14368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TR2 Produktcode: 99532
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN2*2 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLHS6242TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 8.5A 11.7mOhm 2.5V cpbl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 9.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm | auf Bestellung 3005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 51 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | International Rectifier | MOSFET, N-CH, 20V, 22A, PQFN-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V | auf Bestellung 98269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC | auf Bestellung 3310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 9.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm | auf Bestellung 3005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 1.98W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6276TR2 Produktcode: 99533
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN2*2 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 310/3,1 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | verfügbar: 15 St.
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| IRLHS6276TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET | auf Bestellung 7805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS6276TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLHS6276TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2 Mounting: SMD Power dissipation: 4.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel Case: PQFN2X2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |