Produkte > SCS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SCS310AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS310APC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SC SCHKY 650V 10A TO220ACP | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS310APC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS310APC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220ACP tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS310APC9 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 10A | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 28nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA Mounting: THT Max. forward impulse current: 350A Max. forward voltage: 1.71V Power dissipation: 78W Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Max. load current: 52A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 240µA Case: TO220AC Type of diode: Schottky rectifying | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS312AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: LPTL Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL) | auf Bestellung 1872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS312AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS312AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 36W TO-220FM | auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS312AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS312AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 28nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS312AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS312AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS312AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY | auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS315AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS315AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS315AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS315AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220AC; Ir: 300uA Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.3mA Power dissipation: 93W Max. forward voltage: 1.71V Load current: 15A Max. load current: 64A Max. forward impulse current: 410A Max. off-state voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS315AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;15A;93W SiC SBD TO-220ACP | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS315AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL) | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS315AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AMC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 650V 15A 39W TO-220FM | auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS315AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220FP-2; 39W Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.3mA Power dissipation: 39W Max. forward voltage: 1.71V Load current: 15A Max. load current: 39A Max. forward impulse current: 410A Max. off-state voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS315AMC | ROHM | Description: ROHM - SCS315AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS315AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS315AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS315AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY | auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS32 (Lautsprecher) Produktcode: 132645
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Lieblingsprodukt
| Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 20A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACGE | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS320AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 47nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGHRC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AGHRC16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AGHRC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGHRC16 | ROHM | Description: ROHM - SCS320AGHRC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACGE tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 47nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD : Switching loss reduced, enabling high-speed switching. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM | Description: ROHM - SCS320AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 47 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AHGC9 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP | auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AHGC9 | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 400uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 0.45kA Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 115W Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AHGC9 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS320AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 47 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 41W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 46A Max. forward impulse current: 0.45kA Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 41W Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 41W TO-220FM | auf Bestellung 4269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | ROHM | Description: ROHM - SCS320AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 47nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320AMC7G | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2C11 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2C11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2C11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320KNHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive : Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320KNHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS320KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 63 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 63nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS320KNHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS320KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 63 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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