Produkte > DMT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMT10H009SK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H009SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm | auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SK3-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H009SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H009SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V | auf Bestellung 6140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V | auf Bestellung 71104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 282500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SPS-13 Transistor Produktcode: 197183
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMT10H009SSS-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SSS-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 120 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) | auf Bestellung 9323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LK3 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V | auf Bestellung 26734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V | auf Bestellung 11334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 4167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI®5060-8 On-state resistance: 8.3mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 4167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson | auf Bestellung 11207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 245000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 4432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSSQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4166 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V | auf Bestellung 6674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) | auf Bestellung 111690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 107500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 107500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H014LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | auf Bestellung 47086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LCG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V | auf Bestellung 14946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W | auf Bestellung 2878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W | auf Bestellung 6993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm | auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 15754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H015LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMT10H015LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm | auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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