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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGY120T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+19.8 EUR
100+18.54 EUR
500+17.2 EUR
1000+15.86 EUR
10000+14.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085
Produktcode: 213126
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085onsemiIGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.27 EUR
10+18.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+19.8 EUR
100+18.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+19.8 EUR
100+18.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY120T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 140A Field Stop VII (FS7) Fast Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.13 EUR
10+15.32 EUR
120+14.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 280A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/249.6ns
Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 415.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.61 EUR
30+15.59 EUR
120+13.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY140T120SWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.153kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.46 EUR
10+25.01 EUR
11+20.08 EUR
50+19.49 EUR
100+18.9 EUR
250+18.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 15V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.5 EUR
30+17.56 EUR
120+15.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGY160T65SPD-F085 - IGBT, N-Kanal, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 240A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.16 EUR
10+25.64 EUR
12+18.04 EUR
50+17.93 EUR
100+17.84 EUR
250+17.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085On SemiconductorIGBT 650V 240A TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085onsemiIGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.63 EUR
10+17.64 EUR
120+17.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY40T120SMD - IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.07 EUR
50+13.77 EUR
100+13.11 EUR
250+12.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.15 EUR
10+14.64 EUR
120+12.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.32 EUR
1500+13.58 EUR
3000+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMD
Produktcode: 212048
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDonsemiIGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.15 EUR
10+14.66 EUR
120+14.64 EUR
510+13.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.41 EUR
100+14.45 EUR
500+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.38 EUR
1500+13.34 EUR
3000+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 882 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 370 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.61 EUR
30+14.93 EUR
120+12.82 EUR
510+12.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L100T120SWDON SemiconductorN-channel IGBT
auf Bestellung 6330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+10 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L100T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 249.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/232.4ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 308 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 1.071 kW
auf Bestellung 6564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.97 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L100T120SWDonsemiIGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.01 EUR
10+11.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L100T120SWDON SemiconductorN-channel IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L140T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 266.9 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/232ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 4.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 426 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 1250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L140T120SWDONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L140T120SWDonsemiIGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.11 EUR
10+19.15 EUR
120+16.45 EUR
510+15.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L160T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 264.1 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/236.8ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 160A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 474 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 640 A
Power - Max: 1500 W
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.04 EUR
30+16.58 EUR
120+14.28 EUR
510+14.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L160T120SWDonsemiIGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.17 EUR
10+16.67 EUR
120+16.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY4L75T120SWDonsemiIGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.77 EUR
10+11.14 EUR
120+10.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDNonsemiIGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 60A
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.55 EUR
10+13.01 EUR
120+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY60T120SQDNonsemiDescription: IGBT 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.53 EUR
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FGY60T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY60T120SQDNONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Collector current: 60A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 259W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
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FGY60T120SQDNON Semiconductor
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FGY60T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
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FGY60T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 105A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15A, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/153.6ns
Switching Energy: 5.7mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 635 W
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FGY75N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 75A Field Stop IGBT
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FGY75N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube
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FGY75N60SMDONS/FAIIGBT 600V 150A 750W POWER-247 Транзистори
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FGY75N60SMDonsemiDescription: IGBT FS 600V 150A POWERTO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PowerTO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/136ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 248 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 750 W
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FGY75N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube
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FGY75N60SMD
Produktcode: 127040
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FGY75T120SQDNonsemiDescription: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns
Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 399 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 790 W
auf Bestellung 450 Stücke:
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1+21.09 EUR
30+12.65 EUR
120+10.79 EUR
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FGY75T120SQDNONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 395W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
auf Bestellung 33 Stücke:
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6+14.22 EUR
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FGY75T120SQDN
Produktcode: 198781
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FGY75T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY75T120SQDNonsemiIGBTs IGBT 1200V 75A UFS
auf Bestellung 405 Stücke:
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1+21 EUR
10+12.57 EUR
120+11.58 EUR
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FGY75T120SQDNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY75T120SWDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY75T120SWDonsemiIGBTs 1200V/75A FS7 IGBT TP247
auf Bestellung 635 Stücke:
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1+18.08 EUR
10+10.72 EUR
120+10.7 EUR
510+10 EUR
1020+9.59 EUR
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FGY75T120SWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns
Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 503 W
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
30+8.76 EUR
120+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGY75T120SWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGY75T120SWD - IGBT, 150 A, 1.68 V, 503 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Verlustleistung: 503W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.59 EUR
15+15.97 EUR
20+10.97 EUR
50+10.09 EUR
100+9.53 EUR
250+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FGY75T120SWDONN
auf Bestellung 2250 Stücke:
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FGY75T95LQDTON SemiconductorIGBT Transistors 950V 75A FS4 IGBT
auf Bestellung 416 Stücke:
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FGY75T95LQDTonsemiDescription: IGBT 950V 75A
auf Bestellung 227 Stücke:
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FGY75T95LQDTON Semiconductor
auf Bestellung 430 Stücke:
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FGY75T95SQDTON Semiconductor
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGY75T95SQDTonsemiIGBTs 950V 75A FS4 IGBT
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FGY75T95SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Power - Max: 434 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Gate Charge: 137 nC
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 259 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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