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Automotive MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUAN04S7N004AUMA1

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.07 EUR
10+	6 EUR
50+	4.68 EUR
100+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.82 EUR
50+	3.44 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.38 EUR
32+	7.47 EUR
100+	5.4 EUR
500+	4.52 EUR
1000+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.78 EUR
37+	4.66 EUR
40+	4.2 EUR
100+	4.07 EUR
250+	3.96 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IAUAN04S7N004AUMA1

MOSFETs 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

auf Bestellung 2601 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.92 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.19 EUR
500+	3.64 EUR
2000+	3.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.78 EUR
37+	4.56 EUR
40+	4.05 EUR
100+	3.86 EUR
250+	3.67 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUAN04S7N005AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.89 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.76 EUR
2000+	2.32 EUR

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IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.64 EUR
500+	3.13 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUAN04S7N005AUMA1

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V

auf Bestellung 3548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.85 EUR
10+	5.16 EUR
50+	4.01 EUR
100+	3.63 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.22 EUR
42+	5.62 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.13 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IAUAN04S7N006AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2451 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.12 EUR
10+	4.66 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.75 EUR
2000+	2.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	6.95 EUR
46+	5.13 EUR
100+	3.83 EUR
500+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.83 EUR
500+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
10+	4.74 EUR
50+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.34 EUR
10+	4.12 EUR
50+	3.17 EUR
100+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.79 EUR
55+	4.3 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	3.8 EUR
100+	3.17 EUR
250+	2.98 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.56 EUR
2000+	2.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.02 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	2.98 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 17800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.37 EUR
10+	4.14 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.26 EUR
2000+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.95 EUR
10+	3.87 EUR
50+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.8 EUR
58+	4.06 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.32 EUR
140+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.72 EUR
10+	2.37 EUR
50+	1.78 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.32 EUR
140+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L014ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3078 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.47 EUR
98+	2.39 EUR
250+	1.67 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.87 EUR
10000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10246 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.22 EUR
11+	2.03 EUR
50+	1.54 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.87 EUR
10000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.39 EUR
250+	1.67 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.82 EUR
105+	1.62 EUR
122+	1.37 EUR
200+	1.29 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.17 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.89 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm

auf Bestellung 13406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.12 EUR
109+	2.14 EUR
250+	1.59 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 34266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.87 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.8 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.73 EUR
15000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm

auf Bestellung 13406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.12 EUR
109+	2.14 EUR
250+	1.59 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
12+	1.84 EUR
50+	1.38 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.77 EUR
107+	1.59 EUR
131+	1.26 EUR
200+	1.15 EUR
1000+	0.89 EUR
5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	2.07 EUR
85+	2 EUR
110+	1.51 EUR
250+	1.46 EUR
500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.5 EUR
84+	1.99 EUR
85+	1.88 EUR
110+	1.4 EUR
250+	1.33 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.7 EUR
106+	1.61 EUR
130+	1.29 EUR
200+	1.2 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 15006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.72 EUR
10+	2.37 EUR
50+	1.78 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.22 EUR
11+	2.03 EUR
50+	1.54 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N022ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.94 EUR
2500+	0.89 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N022ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N022ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	3.55 EUR
112+	2.07 EUR
169+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 71 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
12+	1.84 EUR
50+	1.38 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.55 EUR
112+	2.07 EUR
169+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.87 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.8 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.45 EUR
60+	3.88 EUR
100+	2.49 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	3.4 EUR
50+	2.59 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.19 EUR
10+	2.56 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.78 EUR
2500+	1.74 EUR
5000+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 66nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3600 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

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100+	3.25 EUR
105+	2.05 EUR
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IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3600 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 5056 Stücke:

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46+	5.45 EUR
72+	3.25 EUR
105+	2.05 EUR
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1000+	1.49 EUR
5000+	1.39 EUR

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IAUC100N08S5N043ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUC100N08S5N043ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V

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10+	4.02 EUR
50+	3.09 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.26 EUR

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IAUC100N10S5L040ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 20157 Stücke:

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1+	6.09 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.2 EUR
2500+	2.09 EUR
5000+	2.03 EUR

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.74 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm

auf Bestellung 4830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.07 EUR
48+	4.86 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L054ATMA1