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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPG16N10S461ATMA1
Produktcode: 155670
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.08 EUR
128+1.82 EUR
169+1.27 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
101+1.71 EUR
126+1.34 EUR
250+1.19 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 17995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.45 EUR
10+1.44 EUR
100+1.27 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-0820A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-1720A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-2020A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Accessory Type: Pipe
For Use With/Related Products: Sensor
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-2320A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 8852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.92 EUR
100+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesDescription: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.83 EUR
100+2.2 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 9119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+1.93 EUR
100+1.36 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
82+2.83 EUR
116+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.44 EUR
100+2.37 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.49 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+4 EUR
100+3.28 EUR
250+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.69 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
119+1.8 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
76+3.06 EUR
111+1.94 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
96+2.44 EUR
124+1.73 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 542 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+3.17 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
124+1.73 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 14593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.07 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
113+2.06 EUR
161+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
113+2.06 EUR
161+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
124+1.88 EUR
171+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 41W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
124+1.88 EUR
171+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.09 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S418AATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L-07Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 7312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.32 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 18552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.68 EUR
100+1.2 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L-11Infineon
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L-11AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8
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1+4.41 EUR
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2500+1.42 EUR
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.69 EUR
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IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.73 EUR
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IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
69+3.39 EUR
100+2.17 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.11 EUR
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IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
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IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
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IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL_30/40V
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IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
250+1.83 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 4119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.92 EUR
100+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
79+2.95 EUR
250+1.83 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
141+1.52 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1
Produktcode: 158575
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IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.51 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPG20N04S4L11AATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
93+2.51 EUR
141+1.52 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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