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IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.44 EUR
12+	19.64 EUR
16+	13.58 EUR
50+	13.2 EUR
100+	12.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-4
On-state resistance: 40mΩ

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	19.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.51 EUR
30+	10.03 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.59 EUR
10+	28.12 EUR
100+	23.75 EUR
500+	21.12 EUR

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IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

auf Bestellung 13435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	14.01 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

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IPZ60R060C7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.14 EUR
10+	12.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.47 EUR
10+	14.96 EUR
25+	12.73 EUR
100+	12.7 EUR
240+	11.73 EUR
480+	11 EUR
1200+	9.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 744-748 Tag (e)

1+	19.06 EUR
10+	17.23 EUR
100+	14.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.79 EUR
10+	7.33 EUR
100+	6.12 EUR
480+	5.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.8 EUR
30+	8.51 EUR
60+	7.76 EUR
120+	7.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.96 EUR
30+	6.84 EUR
120+	5.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	48.2 EUR
5+	45.86 EUR
10+	43.49 EUR
20+	41.39 EUR
50+	39.79 EUR
100+	38.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.22 EUR
10+	31.52 EUR
100+	27.27 EUR
480+	27.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	29.65 EUR
10+	28.39 EUR
100+	27.56 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43.23 EUR
10+	34.61 EUR
100+	29.9 EUR
480+	28.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	27.85 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.42 EUR
30+	20.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1
Produktcode: 117276

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R019C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	39.47 EUR
10+	32.3 EUR
50+	26.83 EUR
100+	25 EUR
250+	24.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	17.67 EUR
12+	14.98 EUR
50+	14.35 EUR
100+	14.11 EUR
200+	13.85 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 418 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	20 EUR
30+	11.98 EUR
120+	10.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.83 EUR
30+	11.8 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

auf Bestellung 383 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.75 EUR
10+	12.46 EUR
100+	10.64 EUR
480+	10.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.49 EUR
30+	11.33 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ65R065C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 221 Stücke:

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Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm

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MOSFETs HIGH POWER_NEW

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Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

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30+	10.13 EUR
120+	8.56 EUR

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IPZ65R065C7XKSA1

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Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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MOSFETs HIGH POWER_NEW

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10+	9.51 EUR
100+	7.69 EUR
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IPZ65R095C7

Infineon Technologies

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk

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IPZ65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

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10+	13.38 EUR
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IPZ65R095C7XKSA1

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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 190 Stücke:

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6+	42.89 EUR
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IPZA60R016CM8XKSA1

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Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

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IPZA60R016CM8XKSA1

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MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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100+	21.53 EUR
240+	18.28 EUR

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.01 EUR
10+	23.8 EUR
240+	19.93 EUR

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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8+	22.47 EUR

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IPZA60R024CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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10+	16.67 EUR
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480+	12.4 EUR
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IPZA60R024P7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 62 Stücke:

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1+	35.58 EUR
10+	32.69 EUR
100+	27.62 EUR
480+	24.09 EUR
1200+	23.9 EUR
2640+	23.5 EUR

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IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.36 EUR
14+	12.05 EUR
25+	10.58 EUR
50+	9.72 EUR
100+	8.78 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.25 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.73 EUR
30+	9.21 EUR
120+	7.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.91 EUR
10+	11.82 EUR
100+	9.84 EUR
480+	8.69 EUR
1200+	7.81 EUR

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IPZA60R037P7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.57 EUR
25+	9.6 EUR
100+	8.46 EUR
240+	8.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.91 EUR
10+	23.35 EUR
100+	19.73 EUR
480+	17.55 EUR
1200+	16.1 EUR
2640+	16.09 EUR

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IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.52 EUR
30+	10.83 EUR
120+	9.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	18.42 EUR
11+	16.73 EUR
50+	13.19 EUR
100+	12.85 EUR
200+	12.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.85 EUR
25+	10.01 EUR
100+	8.96 EUR
240+	8.65 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

auf Bestellung 222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.9 EUR
10+	13.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.2 EUR
10+	15.58 EUR
25+	14.74 EUR
100+	12.23 EUR
240+	12.21 EUR
480+	11.46 EUR
1200+	10.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZA60R055CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.47 EUR
10+	8.79 EUR
100+	7.12 EUR
480+	6.33 EUR
1200+	5.4 EUR

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.96 EUR
21+	8.41 EUR
50+	8.06 EUR
100+	7.87 EUR
200+	7.72 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.27 EUR
23+	7.64 EUR
27+	6.3 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPZA60R060P7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	8.12 EUR
23+	7.33 EUR
27+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.02 EUR
10+	10.86 EUR
100+	8.02 EUR
480+	7.16 EUR

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IPZA60R070CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.95 EUR
10+	8.48 EUR
100+	6.24 EUR
480+	5.53 EUR
1200+	4.93 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.91 EUR
36+	4.74 EUR
37+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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