Produkte > S3M

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
S3M-AQDiotec SemiconductorRectifiers Diode, SMC, 1000V, 3A, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-AQDiotec SemiconductorDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Strip
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,STD GPP SM RECT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 201916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
33+0.54 EUR
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 489600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
858+0.17 EUR
1700+0.15 EUR
9350+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishay General Semiconduc3A 1000V DO-214AB Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1000 Volt
auf Bestellung 11148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.32 EUR
850+0.29 EUR
1700+0.26 EUR
4250+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 489600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
859+0.17 EUR
1700+0.15 EUR
4250+0.14 EUR
9350+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVISHAYDescription: VISHAY - S3M-E3/57T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: S3M-E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO214AB; SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
auf Bestellung 4802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
177+0.41 EUR
206+0.35 EUR
358+0.2 EUR
397+0.18 EUR
500+0.16 EUR
1700+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 201450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
850+0.21 EUR
4250+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.68 EUR
323+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.65 EUR
329+0.42 EUR
332+0.4 EUR
640+0.2 EUR
731+0.17 EUR
963+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TDiode rectifying 1000V 3A SMС
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 12750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+0.18 EUR
6800+0.16 EUR
10200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.44 EUR
640+0.22 EUR
731+0.19 EUR
963+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishay3A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; S3M-E3/57T VISHAY DP S3M-E3/57T VISHAY
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
850+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVISHAYDescription: VISHAY - S3M-E3/57T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: S3M-E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/57TVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 16518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.61 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.21 EUR
3400+0.19 EUR
6800+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/7VishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9AT
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9ATVishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9AT
Produktcode: 123345
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vishay/JingdaoDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AB
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 3 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,15 V
auf Bestellung 1669 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 100 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9CT
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3\57TVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,STD GPP SMC RECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-F065ON SemiconductorS3M_F065
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-F065Fairchild SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-M3/57TVishay SemiconductorsRectifiers 3A 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-M3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1000V,GPP STD, SM Rect
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/GENERAL/SMD/GSM-30H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/GPP/SMD/GSM-30H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - S3M-TP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 100 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 100A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1.2V
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 1000V 3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - S3M-TP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
auf Bestellung 6749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
42+0.42 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 1536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-TR
auf Bestellung 158800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M/7
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M/7VishayDiode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M/7T
auf Bestellung 38250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0016120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.53 EUR
10+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0016120BSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0016120DSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.5 EUR
10+13.66 EUR
30+12.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0016120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0016120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 732W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Gate charge: 175nC
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 394W
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.84 EUR
6+14.21 EUR
10+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.41 EUR
10+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0025120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 48A, 18V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0030120TSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0030120TSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120BSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+5.39 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120DSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.97 EUR
9+8.11 EUR
10+7.15 EUR
30+6.41 EUR
150+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120J-ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 223A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120J-ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 223A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.38 EUR
11+6.62 EUR
13+5.86 EUR
30+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.33 EUR
10+15.63 EUR
100+11.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0040120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M0080120DSMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-16.000-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-16.000-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-25.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.43 EUR
100+1.01 EUR
200+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-25.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.43 EUR
100+1.01 EUR
200+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-32.768K-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 3.5mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-32.768K-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 3.5mA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±25ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-50.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.26 EUR
100+0.89 EUR
200+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-50.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.26 EUR
100+0.89 EUR
200+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M025T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
12+1.47 EUR
25+1.39 EUR
50+1.33 EUR
100+1.28 EUR
250+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M05T-25.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 12mA
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.43 EUR
100+1.01 EUR
200+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M05T-32.768K-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 3.5mA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M05T-32.768K-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 32.7680 KHZ HCMOS
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Current - Supply (Max): 36µA
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: Crystal
Frequency: 32.768 kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.38 EUR
100+0.97 EUR
200+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M05T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M05T-8.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 7mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Frequency: 8 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
12+1.47 EUR
25+1.39 EUR
50+1.33 EUR
100+1.28 EUR
250+1.21 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M100K-100K4TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V UPS + INPUT ISOLATI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M100K-100K6TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V 100KVA UPS + 100KVA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M100K100KWR4TTripp LiteDescription: 3-PHASE 208V UPS + INPUT/OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M100KXDTripp LiteDescription: S3M100KXD
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 37.200" L x 22.320" W (944.88mm x 566.93mm)
Voltage - Output: 380V, 400V, 415V (3-Phase)
Output Connector: Hardwired
Voltage - Input: 220/380VAC, 230/400VAC, 240/415VAC
Type: Online (Double Conversion)
Height: 39.960" (1014.98mm)
Applications: General Purpose, Industrial Control
Power - Rated: 100kVA / 90000W
Media Lines Protected: RS-232
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Form: Tower
Input Connector: Hardwired
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]