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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.75 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NXPTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
96+2.44 EUR
136+1.58 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115
Produktcode: 202290
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
100000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.52 EUR
100+0.89 EUR
500+0.77 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
87+0.98 EUR
107+0.8 EUR
120+0.71 EUR
250+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS.115
Produktcode: 141396
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
auf Bestellung 10535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN017-80BS/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 15.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.36 EUR
1600+1.26 EUR
2400+1.2 EUR
4000+1.14 EUR
5600+1.11 EUR
8000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN017-80PS/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Case: SOT78; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 15.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 5913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.52 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.06 EUR
172+0.98 EUR
176+0.92 EUR
179+0.87 EUR
183+0.82 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.45 EUR
393+0.44 EUR
399+0.42 EUR
406+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaMOSFET PSMN018-100ESF SOT226/I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNXP SemiconductorsPSMN018-100ESFQ
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.46 EUR
381+0.44 EUR
387+0.42 EUR
393+0.39 EUR
399+0.37 EUR
406+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperiaMOSFET PSMN018-100PSF SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperiaPSMN018-100PSFQ Nexperia Transistors MOSFETs N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Arrow.com
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.21 EUR
149+1.13 EUR
153+1.06 EUR
156+1 EUR
159+0.94 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
18+1.19 EUR
100+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1538 Stücke:
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50+1.71 EUR
59+1.45 EUR
67+1.27 EUR
100+1.07 EUR
250+0.95 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
1500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115NexperiaMOSFET PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK
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10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.73 EUR
3000+0.69 EUR
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN019-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PSMN019-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 56A
auf Bestellung 4714 Stücke:
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1+3.67 EUR
10+2.32 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
1500+1.04 EUR
3000+0.98 EUR
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PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN019-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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PSMN020-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 22506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN020-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
76+3.06 EUR
114+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 34946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.86 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.02 EUR
1500+0.8 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 73A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9537 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W,127NexperiaMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1092+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1092 Stücke
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PSMN020-30MLCXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 31.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
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PSMN021-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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352+0.46 EUR
371+0.4 EUR
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