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PSMN017-30EL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+1.73 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+1.55 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4600 Stücke:
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432+1.55 EUR
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PSMN017-30EL,127NexperiaMOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
auf Bestellung 4995 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30LL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
494+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30LL,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.8 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN017-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
108+2.15 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.8 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 15800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.64 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.27 EUR
10000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN017-30PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+3 EUR
100+2.32 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.42 EUR
5000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.8 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 152A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.99 EUR
214+0.81 EUR
242+0.68 EUR
262+0.61 EUR
263+0.58 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.52 EUR
100+0.89 EUR
500+0.77 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.83 EUR
242+0.73 EUR
262+0.65 EUR
263+0.64 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 30510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
50+1.09 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
100000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 36.1mΩ
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
127+1.84 EUR
179+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
4500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115
Produktcode: 202290
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS.115
Produktcode: 141396
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS NEXPERIANXPTrans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 TPSMN017-60ys
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.45 EUR
2400+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 15.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
auf Bestellung 8835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.84 EUR
50+2.15 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN017-80BS/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
auf Bestellung 5913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.52 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN017-80PS/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Case: SOT78; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 15.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
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PSMN017-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
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387+0.46 EUR
393+0.45 EUR
399+0.43 EUR
406+0.42 EUR
500+0.4 EUR
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PSMN018-100ESFQNXP SemiconductorsPSMN018-100ESFQ
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329+2.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
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375+0.48 EUR
381+0.45 EUR
387+0.43 EUR
393+0.4 EUR
399+0.38 EUR
406+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
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164+1.08 EUR
172+1 EUR
176+0.94 EUR
179+0.89 EUR
183+0.83 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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PSMN018-100ESFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+2.06 EUR
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PSMN018-100ESFQNexperiaMOSFET PSMN018-100ESF SOT226/I2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperiaMOSFET PSMN018-100PSF SOT78/SIL3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100PSFQNexperiaPSMN018-100PSFQ Nexperia Transistors MOSFETs N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Arrow.com
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143+1.25 EUR
149+1.15 EUR
153+1.08 EUR
156+1.02 EUR
159+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.77 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaMOSFET PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK
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2+1.74 EUR
10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.73 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1500+0.65 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Mounting: SMD
Power dissipation: 89W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 6036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.67 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
18+1.19 EUR
100+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 56A
auf Bestellung 4714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.32 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
1500+1.04 EUR
3000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN019-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.48 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.92 EUR
4500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
105+2.21 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.06 EUR
117+1.46 EUR
144+1.15 EUR
162+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
auf Bestellung 33518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
50+1.51 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W,127NexperiaMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-150W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 73A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9537 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaMOSFETs PSMN020-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
1500+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1092+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1092 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
725+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN020-30MLCXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH