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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIRIO SQ 40W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Body dimensions: 123x31x79mm
Operating temperature: -40...55°C
Application: LED
Maximum power: 40W
Output voltage: 20...54V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 88%
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 40W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 88%
Application: LED
Maximum power: 40W
Output voltage: 20...54V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x40x77mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+50.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 75W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; IP20
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x39x75mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 91.5%
Application: LED
Maximum power: 75W
Output voltage: 35...108V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+47.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 75W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92%
Application: LED
Maximum power: 75W
Output voltage: 35...108V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 150x40x90mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+54.97 EUR
5+53.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiriusLeopard ImagingCameras & Camera Modules Working distance: 0.5-5mResolution: 320x240Color Image: 4KTX2 Edge Computing DeviceAccuracy: +/- 0.3C (0.5F)Option: AWS Support
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius GNSS/INS Rugged - RS232/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - RS232/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7881.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius GNSS/INS Rugged - RS422/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - RS422/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8598.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius GNSS/INS Rugged-Dev kit-RS422/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius GNSS/INS Rugged - Development Kit - RS422/CANProduct description: GNSS/INS, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9314.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius RTK GNSS/INS Rug-DevKit RS422/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius RTK Rugged - Development Kit - RS422/CANProduct description: RTK Development Kit, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10031.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius RTK GNSS/INS Rug-DevKit-RS232/CANXsensGNSS / GPS Development Tools Xsens Sirius RTK Rugged - Development Kit - RS232/CANProduct description: RTK Development Kit, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9314.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius RTK GNSS/INS Rugged - RS422/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius RTK Rugged - RS422/CANProduct description: RTK, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS422/CAN interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9314.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sirius RTK GNSS/INS Rugged-RS232/CANXsensGNSS / GPS Modules Xsens Sirius RTK Rugged - RS232/CANProduct description: RTK, IP68, 8g acceleromenter, 300deg/s gyroscope, 8G magnetometer RS232/CAN interface
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8598.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIUS-01A
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4300DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 90A
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.4 EUR
100+4.24 EUR
500+3.61 EUR
3000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
auf Bestellung 10553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
10+5.2 EUR
100+3.68 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.54 EUR
33+7.08 EUR
100+4.87 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4301DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 227A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 6759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.65 EUR
100+4 EUR
500+3.44 EUR
3000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.87 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+4.52 EUR
100+3.22 EUR
500+2.64 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4302DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 478A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.42 EUR
33+7.06 EUR
100+4.66 EUR
500+4.09 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
auf Bestellung 5973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
10+6.95 EUR
100+5.01 EUR
500+4.16 EUR
1000+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 77A
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.76 EUR
100+4.84 EUR
500+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.65 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4400EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 198, Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20, Qg, нКл = 588 @ 10 В, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 2,3, Р, Вт = 132, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 18 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 10406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.63 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
37+6.35 EUR
100+4.15 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 198A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
auf Bestellung 7885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
10+5.08 EUR
100+3.58 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.21 EUR
10+5.38 EUR
100+3.83 EUR
500+3.27 EUR
3000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
34+7.03 EUR
100+4.65 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 58A
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.4 EUR
500+3.88 EUR
3000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.65 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.65 EUR
10+6.19 EUR
100+4.4 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS4600EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.2 EUR
100+4.63 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.67 EUR
3000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DPVishaySIRS5100DP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.07 EUR
100+3.57 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+5.46 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
3000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 241A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5100DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 2500 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.88 EUR
35+6.66 EUR
100+4.34 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5100EPW-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5700DP-T1-RE3VishayMOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062
auf Bestellung 3775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+5.62 EUR
100+4.3 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.62 EUR
3000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5702DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.49 EUR
100+4.3 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.61 EUR
3000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS570DPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
auf Bestellung 6016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
auf Bestellung 6016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS578DPW-T1-RE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 10450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.3 EUR
100+3.75 EUR
500+3.17 EUR
3000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.95 EUR
100+3.49 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5800DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 265 A, 1800 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
43+5.52 EUR
100+3.59 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS5800DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.93 EUR
25+2.67 EUR
100+2.38 EUR
250+2.25 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.02 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.24 EUR
500+3.9 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
50+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
auf Bestellung 6124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
10+6.13 EUR
50+4.78 EUR
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.84 EUR
100+3.71 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.31 EUR
3000+2.95 EUR
6000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
39+5.99 EUR
100+4.24 EUR
500+3.9 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRS700DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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