Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 52 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 74550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 19640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm | auf Bestellung 7272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 110 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | auf Bestellung 15115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5 | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC110N15NS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC110N15NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 325000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | auf Bestellung 8770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm | auf Bestellung 5601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm | auf Bestellung 5546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V | auf Bestellung 27236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V | auf Bestellung 5192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC110N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC112N06LDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 25966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC112N06LDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC117N08NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5 | Infineon | BSC117N08NS5 MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm | auf Bestellung 26603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V | auf Bestellung 31063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8 | auf Bestellung 9101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 28855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC118N10NS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 4302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC118N10NSG | Infineon Technologies | Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC118N10NSG | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC118N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC118N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC118N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC119N03MSC G | Infineon | QFN | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC119N03MSCG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC119N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC119N03MSCGATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC119N03S | INF | 09+ | auf Bestellung 6586 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC119N03S G | INFINEON | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC119N03S G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC119N03S G | Infineon Technologies | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs - Single | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC119N03SG | INFINEON | auf Bestellung 6300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC119N03SGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LS | INF | 09+ | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03LSG | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | auf Bestellung 3735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 33A Power dissipation: 28W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03MS | INFINEON | 09+ TO-92 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 16715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 20099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 27101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N03SG | INFINEON | 07+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4047 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N12LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 4047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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