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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN34N80IXYSMOSFET Modules 34 Amps 800V 0.24 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TIXYSMOSFET Modules 360 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.67 EUR
10+34.14 EUR
100+30.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.51 EUR
10+45.29 EUR
100+37.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.96 EUR
10+43.07 EUR
50+40.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+71.15 EUR
5+57.36 EUR
10+44.9 EUR
50+44.49 EUR
100+44.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.17 EUR
10+33.76 EUR
100+29.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10T
Produktcode: 92649
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+105.34 EUR
5+91.84 EUR
10+79.3 EUR
50+73.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+85.07 EUR
10+66.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+85.99 EUR
10+66.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.44 EUR
10+65.25 EUR
100+61.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36M00IXYSMODULE
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100IXYSMOSFET Modules 1KV 36A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N110PIXYS36A/1100V/MOS/1U
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYSMOSFET Modules 600V 36A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN38N100P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+109.78 EUR
5+96.21 EUR
10+83.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.65 EUR
10+78.05 EUR
100+71.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PIXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.3 EUR
10+69.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYS38A/1000V/MOS/1U
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2
Produktcode: 21957
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2
Produktcode: 61225
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYS38A/800V/MOS/1U
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 38 Amps 800V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2WESTCODEMOSFET N-CH 800V 38A SOT227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSMOSFET Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40-55IXYSMODULE
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3LittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.36 EUR
10+65.72 EUR
100+57.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN400N15X3 - MOSFET, MODULE, N-CH, 150V, 400A
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 695
Produktpalette: HiPerFET X3 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.02 EUR
10+80.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 1.1kV
Power dissipation: 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3IXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 1.1kV
Power dissipation: 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.55 EUR
10+70.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.79 EUR
10+55.92 EUR
100+51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 33A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+46.27 EUR
5+41.48 EUR
10+39.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+81.97 EUR
5+66.27 EUR
10+52.1 EUR
50+51.73 EUR
100+51.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.16 EUR
5+56.69 EUR
10+52.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.39 EUR
10+55.94 EUR
100+51.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100PIXYSMOSFET Modules 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.02 EUR
10+71.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.22Ω
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+51.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.22Ω
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+91.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.47 EUR
10+120.12 EUR
100+108.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N100Q3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38A, 1kV, 0.22 Ohm, 10V, 6.5V, SOT-227B
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 960
Produktpalette: HiperFET Q3-Class
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50IXYSSMA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50IXYSMOSFET Modules 500V 44A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50QIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50U2IXYSDiscrete Semiconductor Modules MOSFET with FAST Intrinsic Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50U2
Produktcode: 165034
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50U2IXYSMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50U2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N50U3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N60IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80IXYSMODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 44A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80800V, 44A, 0.165 Ohm, -55...+155C, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80IXYSMOSFET Modules 44 Amps 800V 0.145 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 263 Stücke:
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IXFN44N80PIXYSMOSFET Modules 36 Amps 800V
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IXFN44N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFN44N80Q3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
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IXFN44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 25 V
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