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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN300N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+104.84 EUR
5+82.75 EUR
10+68.06 EUR
50+59.74 EUR
100+56.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.67 EUR
10+76.26 EUR
50+67.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN300N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.12 EUR
10+80.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N110PIXYS25A/1100V/MOS/1U
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 75A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 75A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 310nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN320N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN320N17T2IXYSDiscrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.46 EUR
10+95.57 EUR
30+91.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.78 EUR
10+61.96 EUR
50+53.11 EUR
100+53.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1000V 0.32 Rds
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.9 EUR
10+63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 27A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100Q3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 780W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 195nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120IXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120IXYSSOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.31Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 360nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+158.42 EUR
10+123.18 EUR
50+117.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+152.92 EUR
10+139.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120P
Produktcode: 219019
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 5 St.
  • 5 St. - erwartet 20.09.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N120PPolarHV™ HiPerFETs, N-Channel, 1200V,32A, 310 Ohm, 300ns, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N60IXYSMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 32 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80PIXYSMOSFET Modules 29 Amps 800V 0.27 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80P
Produktcode: 114602
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N06IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N06IXYSMOSFET Modules 340 Amps 60V 0.003 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 340A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N07Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N07IXYSMOSFET Modules HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.6 EUR
10+107.59 EUR
100+91.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N100IXYSMOSFET Modules 34 Amps 1000V 0.28 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N100IXYS34A/1000V/MOS/1U
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN34N80IXYSMOSFET Modules 34 Amps 800V 0.24 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN360N10TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+33.25 EUR
5+32.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN360N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.28 EUR
10+48.81 EUR
50+41.36 EUR
100+39.64 EUR
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IXFN360N10TIXYSMOSFET Modules 360 Amps 100V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.51 EUR
10+44.45 EUR
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IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.64 EUR
10+33.36 EUR
100+29.54 EUR
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IXFN360N10T
Produktcode: 92649
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXFN360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.9 EUR
10+42.09 EUR
50+39.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
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IXFN360N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.24 EUR
5+59.87 EUR
10+46.86 EUR
50+45.28 EUR
100+43.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.12 EUR
10+32.99 EUR
100+28.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
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IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.13 EUR
10+65.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN360N15T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+105.34 EUR
5+91.84 EUR
10+79.3 EUR
50+73.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN360N15T2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.07kW
Gate charge: 715nC
Polarisation: unipolar
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 4mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN360N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.93 EUR
10+98.96 EUR
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IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.04 EUR
10+64.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN36M00IXYSMODULE
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN36N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100IXYSMOSFET Modules 1KV 36A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N110PIXYS36A/1100V/MOS/1U
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYSMOSFET Modules 600V 36A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN36N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.64 EUR
10+81.84 EUR
50+73.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN38N100P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+109.78 EUR
5+96.21 EUR
10+83.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PIXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.3 EUR
10+69.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2
Produktcode: 21957
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYS38A/1000V/MOS/1U
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2WESTCODEMOSFET N-CH 800V 38A SOT227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2
Produktcode: 61225
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYS38A/800V/MOS/1U
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN38N80Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 38 Amps 800V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90IXYSMOSFET Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40-55IXYSMODULE
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.02 EUR
10+80.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN400N15X3 - MOSFET, MODULE, N-CH, 150V, 400A
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 695
Produktpalette: HiPerFET X3 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3LittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
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