Produkte > MRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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| MRF6V2150NB | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 450MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Current - Test: 450 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 150W Frequency: 220MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NBR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF6V2150NBR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6V2150NR1 - MRF6V2150 - LATERAL N-CHANNEL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300N | NXP Semiconductors | Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO272WB4N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | FRS | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 25.5dB Power - Output: 300W Frequency: 220MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 900 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR5 Produktcode: 170660
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| MRF6V2300NBR5 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NBR5,578 | NXP USA Inc. | Description: LATERAL N CHANNEL SINGLE-ENDED B | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V2300NR5578 | NXP USA Inc. | Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR1 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V3090NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 860MHZ TO272-4 Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 860MHZ TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V3090NBR5578 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER UHF BAND N-CHANNEL FET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V3090NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V41KH | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6V4300NBR1 | FRS | 10-600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL SINGLE-ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NBR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO272WB4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NBR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Current Rating (Amps): 2.5mA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 10MHz ~ 600MHz Power - Output: 300W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6V4300NBR5 | NXP | Description: NXP - MRF6V4300NBR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6V4300NR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP11KGSR5 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL Technology: LDMOS (Dual) Power - Output: 1000W Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 100µA Package / Case: NI-1230-4S GW Packaging: Bulk Gain: 26dB Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP11KGSR5 | NXP / Freescale | RF Bipolar Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP11KH | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6VP11KHR | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP11KHR5 Produktcode: 47840
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF6VP11KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS (Dual) Gain: 26dB Power - Output: 1000W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk Current - Test: 6 A | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP11KHR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230 | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP121KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1KW 50V NI1230H | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP | Description: NXP - MRF6VP121KHR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5 Produktcode: 193259
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR5-FR | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.215GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 21.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP121KHR5178 | Freescale Semiconductor | Description: LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF , Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 100µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 965MHz ~ 1.215GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 21.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1kW 50V NI1230H | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | FRS | RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1KW 50V NI1230HS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP121KHSR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP21KH | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6VP21KHR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 235MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 100µA Package / Case: SOT-979A Packaging: Bulk | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP21KHR5 | NXP | Description: NXP - MRF6VP21KHR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP21KHR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 225MHZ 1000W NI1230 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600H | NXP Semiconductors | Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600H Produktcode: 161742
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| MRF6VP2600H | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRF6VP2600HR | FREESCALE | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600HR5-FR | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 500MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 50µA Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF6VP2600HR5178 | NXP | Description: NXP - MRF6VP2600HR5178 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MRF6VP2600HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |