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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGW40H65DFBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+4.25 EUR
100+3.09 EUR
600+2.59 EUR
1200+2.39 EUR
3000+2.07 EUR
5400+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
55+3.18 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.07 EUR
25+3.49 EUR
32+2.7 EUR
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.34 EUR
30+5.25 EUR
120+4.34 EUR
510+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
46+5.06 EUR
100+4.55 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.96 EUR
100+3.14 EUR
600+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.87 EUR
1200+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
30+4.64 EUR
120+3.82 EUR
510+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.87 EUR
1200+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMIGBT N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.52 EUR
31+7.68 EUR
100+5.91 EUR
500+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+8.27 EUR
100+6.64 EUR
600+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.4 EUR
30+7.07 EUR
120+5.89 EUR
510+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40 A - 1200 V SC rugged IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.93 EUR
12+7.15 EUR
13+6.62 EUR
30+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/164ns
Switching Energy: 595µJ (on), 716µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60V
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 50 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60VD
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors FAST N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WDSTMN-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60WD (TO-247, STM)
Produktcode: 41620
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 33/26
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.68 EUR
10+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.92 EUR
46+5.11 EUR
100+4.44 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+4.38 EUR
100+3.61 EUR
600+3.2 EUR
1200+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.19 EUR
25+3.51 EUR
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF
Produktcode: 156078
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DFSTMSTGW40V60DF IGBT 600V 80A 283W TO-247 Транзистори
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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78+2.25 EUR
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STGW40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
30+4.32 EUR
120+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 594 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
30+5.7 EUR
120+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.85 EUR
10+6.14 EUR
100+5.09 EUR
600+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
35+6.66 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STGW45HF60W
auf Bestellung 6023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGW45HF60WDSTMicroelectronicsIGBTs 45A 600V Ultra Fast IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WD
Produktcode: 186483
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 300µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDSTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
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STGW45HF60WDASTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
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STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Produktcode: 49052
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 45 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/145
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGW45HF60WDISTMТранзистори
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STGW45HF60WDI
Produktcode: 34994
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGW45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 45 A - 600 V Very Fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 285W TO247
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 126 nC
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 285 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors PowerMESH IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WD
Produktcode: 81901
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/178ns
Switching Energy: 890µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronics
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+5.97 EUR
100+4.9 EUR
600+4.27 EUR
1200+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.89 EUR
28+6.03 EUR
29+5.74 EUR
100+4.9 EUR
500+4.46 EUR
600+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.39 EUR
30+5.72 EUR
31+5.52 EUR
100+4.8 EUR
500+4.49 EUR
600+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMIGBT N-CH 600V 110A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF65SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60H
auf Bestellung 14435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60MST
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60M
Produktcode: 152413
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60W
Produktcode: 38440
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 55 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 285 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 52/31
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+5.16 EUR
10+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60WSTMicroelectronicsIGBTs Ultra fast series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 100A TO247
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 285 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+11.82 EUR
25+11.16 EUR
100+9.67 EUR
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STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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