Produkte > CSD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD83325LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Part Status: Active
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
14+1.52 EUR
25+1.37 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD83325LTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD83325LT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0099 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD83325LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.13 EUR
500+1.08 EUR
750+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFETs CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.92 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET dua
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.19 EUR
500+1.04 EUR
750+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Mounting: SMD
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.09 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.17 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.99 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Case: PICOSTAR4
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.12 EUR
500+1.02 EUR
750+0.96 EUR
1250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
422+0.39 EUR
428+0.38 EUR
462+0.33 EUR
468+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 6904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85312Q3ETexas InstrumentsMOSFETs Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 6458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
456+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
14+1.52 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
182+0.94 EUR
207+0.81 EUR
250+0.79 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
180+0.93 EUR
182+0.89 EUR
207+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723TI BGA 1127+
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CSD86330, TPS53219
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 500kHz
Current - Output: 5A
Voltage - Input: 9V ~ 13.2V
Voltage - Output: 1.2V
Packaging: Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86330EVM-717
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
77+2.11 EUR
100+1.82 EUR
250+1.73 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.56 EUR
5000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.7 EUR
5000+1.59 EUR
7500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTI
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsMOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
auf Bestellung 11627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
77+2.18 EUR
100+1.92 EUR
250+1.87 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.4 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
327+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
132+1.76 EUR
174+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
132+1.76 EUR
174+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
220+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5D
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
auf Bestellung 4798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.41 EUR
100+3.09 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.81 EUR
100+3.37 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR CSD86350Q
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 13V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 290kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: CSD86350Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+112.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsHigh Frequency Synchronous Power Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86350Q5D Evaluati on Moule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DG4Texas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.68 EUR
100+3.61 EUR
500+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
387+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86356Q5DT
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
208+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.2 EUR
47+4.99 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.05 EUR
5000+2 EUR
7500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.94 EUR
25+2.69 EUR
100+2.4 EUR
250+2.26 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86360Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synchrnus Buck NxFT Pwr Block
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.03 EUR
100+2.73 EUR
250+2.57 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.39 EUR
2500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87312TI 12+
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Nächste Seite >> ]