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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMFSC1D6N06CLonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC1D6N06CLONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 1500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
63+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC1D6N06CTWGonsemiMOSFETs 60V T6 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.26 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.64 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC1D9N08XTWGonsemiDescription: MOSFET POWERTRENCH T10, SINGLE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
auf Bestellung 8704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC1D9N08XTWGonsemiMOSFETs 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.43 EUR
10+4.19 EUR
100+2.98 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.34 EUR
3000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC1D9N08XTWGonsemiDescription: MOSFET POWERTRENCH T10, SINGLE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
auf Bestellung 8709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.56 EUR
10+4.27 EUR
100+2.98 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D6N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWERTRENCH T10, SINGLE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D6N08XTWGonsemiMOSFETs 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.34 EUR
6000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D9N08HonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, DUAL COOLTM, DFN8 5x6. 15, 80V, 2.9m, 154A MOSFET - Power, Single, N-Channel, DUAL COOLTM, DFN8 5x6. 15, 80V, 2.9m, 154A
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.49 EUR
100+3.56 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.57 EUR
3000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D9N08HonsemiDescription: T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.52 EUR
100+3.15 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D9N08HonsemiDescription: T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC2D9N08HONN
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.9 EUR
50+7.79 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MConsemiMOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+5.57 EUR
100+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.26 EUR
58+2.92 EUR
100+2.84 EUR
250+2.8 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.59 EUR
100+3.97 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.26 EUR
58+2.81 EUR
100+2.7 EUR
250+2.58 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9143 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, DUAL COOL, DFN8 5x6, 40 V, 0.40 mohm, 529 A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.28 EUR
100+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9143 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6303 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 348µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 263A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, DUAL COOL, DFN8 5x6, 80 V, 1.4 mohm, 263 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 263A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6303 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 348µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSS0D9N03P8onsemiMOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.25 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSS1D3N06CLonsemiMOSFETs 60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.64 EUR
100+2.24 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.09 EUR
3000+1.98 EUR
6000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSS1D5N06CLonsemiMOSFETs 60V T6 DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.4 EUR
100+2.01 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.89 EUR
3000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
42+5.55 EUR
100+3.72 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.2 EUR
100+2.94 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+4.74 EUR
25+4.58 EUR
100+3.72 EUR
250+3.5 EUR
500+2.81 EUR
1500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 194W
Drain current: 253A
Pulsed drain current: 1071A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.45 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D8N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
34+6.89 EUR
100+5.83 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V LL LFPAK
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+11.77 EUR
25+11.13 EUR
100+9.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D8N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D9N04CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS0D9N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V SL LFPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+5.7 EUR
25+5.53 EUR
100+4.61 EUR
250+4.49 EUR
500+4.11 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D0N04CTWGonsemiMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 1767-1771 Tag (e)
1+12.38 EUR
10+11.13 EUR
100+9.13 EUR
500+7.77 EUR
1000+6.56 EUR
3000+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D0N04CTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D15N03CGTWGON SemiconductorMOSFET WIDE SOA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D15N03CGTWGonsemiDescription: WIDE SOA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 257A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D2N04CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V LL LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.44 EUR
6000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+4.19 EUR
100+3.25 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.03 EUR
100+2.8 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGONN
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
56+4.18 EUR
100+2.98 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D7N04CTWGonsemiMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.19 EUR
100+2.93 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.7 EUR
100+2.18 EUR
3000+1.46 EUR
6000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
auf Bestellung 11783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST2D6N08HTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TCPAK10
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 58W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
auf Bestellung 14845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.8 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST2D6N08HTXGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.71 EUR
100+3.28 EUR
500+2.73 EUR
3000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMKB4895NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-ICEPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1644 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMKE4890NT1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMKE4890NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMKE4891NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Ta), 151A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-ICEPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMKE4892NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMM04AA
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02ON07+ SO-8
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02G
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2onsemiMOSFET 20V 10A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2
Produktcode: 106240
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GonsemiMOSFETs 20V 10A P-Channel
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
81+2.88 EUR
112+1.92 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GONN
auf Bestellung 3644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.81 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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