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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTQ30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+16.35 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50P
Produktcode: 76072
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.05 EUR
10+26.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.77 EUR
30+27.07 EUR
60+25.22 EUR
120+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
30+14.27 EUR
60+13.14 EUR
120+12.19 EUR
510+10.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32P20TIXYSMOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 54nC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.74 EUR
8+11.45 EUR
10+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2MLittelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
30+6.37 EUR
120+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PIXYSMOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+6.03 EUR
120+6.01 EUR
510+5.87 EUR
1020+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.92 EUR
30+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.89 EUR
30+17.01 EUR
60+15.71 EUR
120+14.63 EUR
510+13.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.44 EUR
10+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.81 EUR
10+20.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.22 EUR
30+10.75 EUR
120+9.1 EUR
510+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+10.86 EUR
120+9.2 EUR
510+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PFP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSMOSFETs TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.33 EUR
30+28.7 EUR
60+26.73 EUR
120+25.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Box
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ42N25PIXYSMOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.47 EUR
10+7.06 EUR
120+6.47 EUR
510+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
30+6.49 EUR
120+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.72 EUR
30+8.57 EUR
120+7.22 EUR
510+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+8.9 EUR
120+7.66 EUR
510+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.61 EUR
15+15.73 EUR
18+12.26 EUR
50+9.96 EUR
100+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar2™
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.66 EUR
11+8.04 EUR
12+7.29 EUR
30+6.26 EUR
60+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXTQ460P2
Produktcode: 98662
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTQ460P2Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.98 EUR
30+9.31 EUR
120+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.82 EUR
30+9.98 EUR
60+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 88nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2MOSFET N-CH 500V 52A TO3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20T
Produktcode: 188074
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.57 EUR
7+14.04 EUR
10+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2MIXYSMOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2MLittelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.47 EUR
10+7.06 EUR
120+6.47 EUR
510+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.7 EUR
30+7.87 EUR
60+7.18 EUR
120+6.58 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
20+11.92 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.68 EUR
15+5.83 EUR
30+5.24 EUR
60+4.87 EUR
120+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
30+9.59 EUR
120+8.09 EUR
510+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25T
Produktcode: 59390
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IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4100/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+9.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTQ50N25TIXYSMOSFETs 50Amps 250V
auf Bestellung 257 Stücke:
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1+16.48 EUR
10+8.82 EUR
120+8.19 EUR
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IXTQ50N25TMOSFET N-CH., 250V, 50A, TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ52N30P
Produktcode: 143359
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30PIXYSMOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.36 EUR
10+10.72 EUR
120+8.77 EUR
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IXTQ52N30PMOSFET, N-кан. 300В, 52А , TO-3P Транзистори
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IXTQ52N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.87 EUR
13+19.28 EUR
15+15.16 EUR
50+12.51 EUR
100+11.44 EUR
250+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTQ52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTQ52N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
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