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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN1R2-55SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.22 EUR
15+15.85 EUR
100+10.73 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+9.33 EUR
100+6.79 EUR
500+5.71 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.37 EUR
11+21.67 EUR
13+17.16 EUR
50+13.71 EUR
100+12.58 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.37 EUR
11+21.67 EUR
13+17.16 EUR
50+13.71 EUR
100+12.58 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
10+10.75 EUR
100+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
15+16.1 EUR
100+10.9 EUR
500+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
15+16.1 EUR
100+10.9 EUR
500+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
10+9.59 EUR
100+7 EUR
500+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.6 EUR
10+9.76 EUR
100+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.4 EUR
13+17.35 EUR
50+15.64 EUR
100+12.72 EUR
250+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.35 EUR
10+9.77 EUR
100+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.74 EUR
10+23.4 EUR
13+17.35 EUR
50+15.64 EUR
100+12.72 EUR
250+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperiaMOSFETs NextPower 100 V, 1.3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.28 EUR
10+10.39 EUR
100+8.68 EUR
500+8.02 EUR
1000+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-20YL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 121W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R3-30YL/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 5608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
1500+1.74 EUR
3000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
10000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+0.45 EUR
389+0.43 EUR
396+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 31290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
10000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+8.52 EUR
100+6.18 EUR
500+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+8.08 EUR
100+6.01 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.82 EUR
2000+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.11 EUR
10+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.4 EUR
10+10.45 EUR
100+7.65 EUR
500+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.39 EUR
11+22.57 EUR
13+16.54 EUR
50+14.89 EUR
100+12.13 EUR
250+12.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.39 EUR
11+22.57 EUR
13+16.54 EUR
50+14.89 EUR
100+12.13 EUR
250+12.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperiaMOSFETs N-channel, 100 V, 1.42 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+9.9 EUR
100+8.25 EUR
500+7.64 EUR
1000+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.9 EUR
10+11.5 EUR
50+9.19 EUR
100+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.24 EUR
11+21.86 EUR
13+17.67 EUR
50+14.14 EUR
100+12.96 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperiaMOSFETs NextPower 100 V, 1.35 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.28 EUR
10+10.39 EUR
100+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.24 EUR
11+21.86 EUR
13+17.67 EUR
50+14.14 EUR
100+12.96 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
107+1.61 EUR
158+1.06 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1019A; 166W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1019A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.03 EUR
50+1.49 EUR
100+1.32 EUR
1500+0.89 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD,115NXP USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD,115-NEXNexperia USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
54+4.32 EUR
60+3.58 EUR
200+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1201A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1201A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
200+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.67 EUR
100+1.78 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
1500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.07 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
46+5.08 EUR
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 240A
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.76 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-25MLH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.64 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.46 EUR
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
auf Bestellung 42987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
46+5.13 EUR
100+2.95 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.25 EUR
3000+1.15 EUR
4500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
92+1.84 EUR
121+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaMOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+3.25 EUR
100+2.62 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLE118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.61 EUR
1600+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+6.26 EUR
100+4.71 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.7 EUR
10+6.43 EUR
100+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1521A
Power dissipation: 401W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 228nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
3000+1.13 EUR
4500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 790A; 109W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 109W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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