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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN1R2-55SLHAXNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 55V 330A
auf Bestellung 8651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.21 EUR
10+6.12 EUR
100+4.86 EUR
500+4.32 EUR
1000+3.71 EUR
2000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHXNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
10+9.46 EUR
50+7.52 EUR
100+6.89 EUR
500+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.37 EUR
11+21.67 EUR
13+17.16 EUR
50+13.71 EUR
100+12.58 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperiaMOSFETs PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.49 EUR
10+10.56 EUR
100+7.75 EUR
500+7.63 EUR
1000+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 80V 375A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.37 EUR
11+21.67 EUR
13+17.16 EUR
50+13.71 EUR
100+12.58 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.77 EUR
10+10.72 EUR
50+8.56 EUR
100+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
15+16.1 EUR
100+10.9 EUR
500+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
10+9.42 EUR
100+6.89 EUR
500+6.62 EUR
1000+6.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.16 EUR
10+9.57 EUR
50+7.62 EUR
100+6.99 EUR
500+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
15+16.1 EUR
100+10.9 EUR
500+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-80CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.4 EUR
13+17.35 EUR
50+15.64 EUR
100+12.72 EUR
250+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.92 EUR
10+10.83 EUR
50+8.65 EUR
100+7.95 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.74 EUR
10+23.4 EUR
13+17.35 EUR
50+15.64 EUR
100+12.72 EUR
250+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperiaMOSFETs PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.65 EUR
10+10.66 EUR
100+7.83 EUR
500+7.71 EUR
1000+7.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-100ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-20YL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
105+1.62 EUR
107+1.56 EUR
109+1.5 EUR
250+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 31290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.49 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.01 EUR
10000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R3-30YL/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 5562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
1500+1.74 EUR
3000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.49 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.01 EUR
10000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.49 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.9 EUR
100+2.74 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
105+1.58 EUR
107+1.5 EUR
109+1.42 EUR
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 121W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.25 EUR
50+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.88 EUR
10+8.66 EUR
50+6.85 EUR
100+6.28 EUR
500+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R3-80SSFJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+8.08 EUR
100+6.01 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.82 EUR
2000+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.64 EUR
11+21.11 EUR
13+16.68 EUR
50+13.36 EUR
100+13.23 EUR
250+12.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
10+10.78 EUR
100+8.73 EUR
500+7.77 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 340A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.64 EUR
11+21.11 EUR
13+16.68 EUR
50+13.36 EUR
100+13.23 EUR
250+12.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100ASEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
10+11.04 EUR
50+8.81 EUR
100+8.09 EUR
500+7.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.35 EUR
10+10.41 EUR
50+8.31 EUR
100+7.64 EUR
500+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+10.25 EUR
100+7.52 EUR
500+7.35 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 340A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.39 EUR
11+22.57 EUR
13+16.54 EUR
50+14.89 EUR
100+12.13 EUR
250+12.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.39 EUR
11+22.57 EUR
13+16.54 EUR
50+14.89 EUR
100+12.13 EUR
250+12.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.92 EUR
10+10.83 EUR
100+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.24 EUR
11+21.86 EUR
13+17.67 EUR
50+14.14 EUR
100+12.96 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.65 EUR
10+10.66 EUR
100+7.83 EUR
1000+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.24 EUR
11+21.86 EUR
13+17.67 EUR
50+14.14 EUR
100+12.96 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.39 EUR
107+1.59 EUR
158+1.05 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.38 EUR
107+1.56 EUR
154+1.04 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1019A; 166W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1019A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.82 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.81 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.82 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD,115NXP USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD,115-NEXNexperia USA Inc.Description: 100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R4-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1201A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1201A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R4-40YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
200+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
54+4.32 EUR
60+3.58 EUR
200+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.63 EUR
50+1.99 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.07 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 240A
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.76 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
46+5.08 EUR
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.43 EUR
4500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-25MLH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
auf Bestellung 41497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
46+5.13 EUR
100+2.95 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
92+1.82 EUR
121+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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