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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GT1003AGoford SemiconductorDescription: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003AGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003AGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.5A; 1.7W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003AGoford SemiconductorDescription: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003DGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003DGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003DGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003DGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1003DGOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100DA120UVishayIGBT 1200V 258A 893W SOT-227 Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04D3GOFORD SemiconductorN-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04D3GOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 25W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04KGoford SemiconductorDescription: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N04KGoford SemiconductorDescription: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12D5Goford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
auf Bestellung 9965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.98 EUR
100+2.39 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12D5GOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8
Case: DFN5x6-8
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12D5Goford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12D5GOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12KGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12KGoford SemiconductorDescription: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12KGOFORD SemiconductorGT100N12K
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12KGoford SemiconductorDescription: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12MGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12MGOFORD SemiconductorN-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12MGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12MGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.13 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12TGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100N12TGoford SemiconductorDescription: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
50+2.02 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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GT100N12TGOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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GT100NA120UXVishaySOT-227 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Силові IGBT-модулі
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100P06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT100P06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
7+3.24 EUR
8+2.7 EUR
9+2.53 EUR
10+2.37 EUR
25+2.01 EUR
50+1.78 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1016AMarathon MotorsDescription: MOTOR , 7.5HP 1750RPM 213T TEFC
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - GT102B1K - NTC THERMISTOR, 3009K, 1KOHM, TH
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auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
65+3.59 EUR
100+3.05 EUR
250+2.92 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 260°C
B25/85: 3009K
Resistance in Ohms @ 25°C: 1k
Resistance Tolerance: ±10%
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
8+2.68 EUR
10+2.55 EUR
25+2.39 EUR
50+2.3 EUR
100+2.2 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.64 EUR
25+2.49 EUR
50+2.39 EUR
100+2.28 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLITTELFUSECategory: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 1kΩ; THT; 3009K; -55÷260°C; ±10%; 25.4mm
Type of sensor: NTC thermistor
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...260°C
Material constant B: 3009K
Lead length: 25.4mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT102B1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103-5.0-02P-14-00AHGOLTEN2 poles, pitch 5.00mm, height 15.5mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-02P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-2pgs-GT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103-5.0-03P-14-00AHGOLTEN3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103-5.0-03P-14-00AHGOLTEN3 poles, pitch 5.00mm, height 15.9mm, green colour, 300V, 10A, 12-24AWG, angled 45°, lift, slot screw, steel, zinc plated cage:brass,nickel plated, pin:brass,tin plated GT103-5.0-03P-14-00AH GOLTEN Terminal block Z TL207-3pgs-GT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT1037Marathon MotorsDescription: 1800RPM, 50HP, 3PH, 230/460V, 32
Part Status: Active
Type: AC Motor
RPM: 1800 RPM
Function: Standard
Voltage - Rated: 230/460VAC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8274.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103E1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.64 EUR
100+2.28 EUR
500+2.07 EUR
1000+2 EUR
2500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103E1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103E1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD
Part Status: Active
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
B25/85: 3435K
Operating Temperature: 260°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103J1KLittelfuseNTC Thermistor 10K Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103J1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 300°C
B25/85: 3977K
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+4.06 EUR
25+3.83 EUR
50+3.68 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103J1KLITTELFUSECategory: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 10kΩ; THT; 3977K; -55÷300°C; ±10%; 25.4mm
Operating temperature: -55...300°C
Resistance: 10kΩ
Material constant B: 3977K
Lead length: 25.4mm
Type of sensor: NTC thermistor
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103J1KLittelfuseNTC Thermistor 10K Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT103J1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors THERMISTOR, US SENSO R
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+4.24 EUR
25+4.08 EUR
50+3.92 EUR
100+3.8 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT104L1KLittelfuse Inc.Description: THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
B25/85: 4040K
Operating Temperature: 300°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+4.06 EUR
25+3.83 EUR
50+3.68 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT104L1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT104L1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100K OHM 10% GLASS B EAD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT104L1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105A2NWestern FilamentGT105A2N
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+673.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10FGOFORD SemiconductorN-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10FGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10FGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10FGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
11+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10KGOFORD SemiconductorN-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
15000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10KGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10MGOFORD SemiconductorGT105N10M
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT105N10MGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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GT105N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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GT105N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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GT105N10TGoford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+2.06 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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GT105N10TGOFORD SemiconductorN-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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GT105N10TGOFORD SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
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GT105U1KLittelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD
Part Status: Active
Length - Lead Wire: 1.00" (25.40mm)
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 1M
B25/85: 4350K
Operating Temperature: 300°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Bead, Glass
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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GT105U1KLittelfuseNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERMISTOR 1M OH M 10% GLASS BEAD
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GT105U1KLittelfuseGlass Coated Chip Thermistor
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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GT106M050HDABAAillenDescription: CAP ALUM 10UF 20% 50V RADIAL TH
Ripple Current @ High Frequency: 100 mA @ 100 kHz
Impedance: 1.5 Ohms
Voltage - Rated: 50 V
Capacitance: 10 µF
Height - Seated (Max): 0.433" (11.00mm)
Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 85°C
Lead Spacing: 0.079" (2.00mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm)
Package / Case: Radial, Can
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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GT10A-2022PCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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GT10A-2022PCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT10A-2022PCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
auf Bestellung 19459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
98+0.21 EUR
107+0.2 EUR
113+0.19 EUR
121+0.18 EUR
250+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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GT10A-2022SCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM
Packaging: Cut Tape (CT)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
auf Bestellung 15423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
109+0.19 EUR
119+0.18 EUR
126+0.17 EUR
134+0.15 EUR
250+0.14 EUR
500+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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GT10A-2022SCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
auf Bestellung 12975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
18+0.19 EUR
25+0.18 EUR
250+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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GT10A-2022SCFHirose Electric Co LtdDescription: CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: GT10 Series
Accessory Type: Contact
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GT10A-2428PCFHirose ConnectorAutomotive Connectors
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GT10B-(10PRE)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
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GT10B-(10PRE)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
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GT10B-(10SET)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
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GT10B-(10SET)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
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GT10B-(20PRE)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
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GT10B-(20PRE)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
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GT10B-(20SET)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
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GT10B-(20SET)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
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GT10B-(CON)/RE-MDHirose ConnectorAutomotive Connectors TOOL EXTRACTION
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GT10B-(CON)/RE-MDHirose Electric Co LtdDescription: TOOL EXTRACTION
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GT10B-20/10DS-HUHirose ConnectorAutomotive Connectors
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