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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.29 EUR
30+9.58 EUR
120+8.1 EUR
510+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.95 EUR
10+27.45 EUR
20+26.12 EUR
50+25.12 EUR
100+24.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.83 EUR
14+12.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.92 EUR
13+19.08 EUR
16+13.86 EUR
50+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.83 EUR
14+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.51 EUR
9+10.08 EUR
10+8.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.19 EUR
30+11.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+9.96 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.04 EUR
10+14.18 EUR
100+11.82 EUR
480+10.5 EUR
1200+9.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.8 EUR
30+8.63 EUR
120+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.76 EUR
10+13.4 EUR
25+9.73 EUR
100+9.26 EUR
240+9.23 EUR
1200+8.88 EUR
2640+8.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.49 EUR
15+16.29 EUR
18+12.48 EUR
50+11.76 EUR
100+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HInfineon TechnologiesIMZA65R057M1H
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.22 EUR
10+24.1 EUR
20+22.94 EUR
50+21.9 EUR
100+21.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.48 EUR
14+13.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.69 EUR
15+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+8.51 EUR
100+7.98 EUR
480+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.77 EUR
25+16.71 EUR
50+15.68 EUR
100+14.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.72 EUR
16+14.95 EUR
19+11.73 EUR
50+11.09 EUR
100+10.41 EUR
250+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
30+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.86 EUR
10+9.81 EUR
100+8.16 EUR
480+7.27 EUR
1200+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+6.47 EUR
480+6.09 EUR
1200+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+7.87 EUR
100+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+6.75 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.54 EUR
50+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.4 EUR
29+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+6.47 EUR
480+5.96 EUR
1200+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.04 EUR
30+8.66 EUR
120+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMZA65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.26 EUR
10+8.95 EUR
100+7.25 EUR
480+6.43 EUR
1200+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.72 EUR
29+5.59 EUR
100+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IMZA65R083M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; 104W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 104W
Case: TO247-4
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+15.95 EUR
100+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.78 EUR
50+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+6.89 EUR
100+6.2 EUR
480+5.53 EUR
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IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.92 EUR
10+22.91 EUR
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IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+7.22 EUR
100+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IMZA65R107M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.23 EUR
25+18.08 EUR
50+16.98 EUR
100+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.57 EUR
30+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
18+9.7 EUR
50+9.14 EUR
100+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 139mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.02 EUR
19+12.36 EUR
100+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.91 EUR
10+9.97 EUR
100+8.02 EUR
480+7.14 EUR
1200+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.42 EUR
10+56.68 EUR
100+50.05 EUR
480+47.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.03 EUR
10+56.57 EUR
100+44.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R011M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.36 EUR
10+41.11 EUR
100+35.56 EUR
480+33.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.99 EUR
30+21.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.26 EUR
10+37.96 EUR
50+24.85 EUR
100+24.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.14 EUR
10+22.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R016M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.45 EUR
10+30.95 EUR
100+26.76 EUR
480+25.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36 EUR
10+24.03 EUR
100+19.62 EUR
480+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.75 EUR
30+17.75 EUR
120+15.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+35.32 EUR
10+31.78 EUR
50+22.86 EUR
100+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.81 EUR
10+26.01 EUR
100+22.47 EUR
480+21.3 EUR
1200+18.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.58 EUR
10+21.78 EUR
100+18.14 EUR
480+16.17 EUR
1200+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.99 EUR
30+15.24 EUR
120+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.77 EUR
10+24.98 EUR
50+16.39 EUR
100+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.63 EUR
10+20.55 EUR
100+16.42 EUR
480+16.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.53 EUR
10+19.43 EUR
100+16.18 EUR
480+14.41 EUR
1200+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.3 EUR
30+10.88 EUR
120+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.49 EUR
12+19.36 EUR
50+12.38 EUR
100+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21 EUR
10+12.52 EUR
100+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+15.52 EUR
100+12.95 EUR
480+11.52 EUR
1200+9.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.24 EUR
10+13.59 EUR
100+11.35 EUR
480+10.09 EUR
1200+8.79 EUR
2640+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.48 EUR
30+9.06 EUR
120+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.61 EUR
10+10.5 EUR
100+8.85 EUR
480+8.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+15.55 EUR
50+10.15 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.18 EUR
30+8.82 EUR
120+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.23 EUR
10+11.77 EUR
100+9.72 EUR
480+8.65 EUR
1200+7.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
17+14.16 EUR
100+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
30+7.08 EUR
120+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+8.19 EUR
100+6.89 EUR
480+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.2 EUR
30+5.78 EUR
120+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.73 EUR
10+6.66 EUR
100+5.55 EUR
480+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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