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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT010N08NM5ATMA1InfineonN-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1
Produktcode: 220375
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.32 EUR
19+9.1 EUR
100+6.99 EUR
500+6.59 EUR
1000+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.68 EUR
50+9.42 EUR
100+8.35 EUR
200+6.52 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.15 EUR
2000+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 313A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.75 EUR
32+5.39 EUR
100+3.88 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.81 EUR
10+6.22 EUR
100+4.69 EUR
500+4.16 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 313A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
100+4.34 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
50+7.79 EUR
100+5.57 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 313A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.23 EUR
10+8.92 EUR
100+6.49 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 313A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.69 EUR
8000+4.25 EUR
12000+3.89 EUR
16000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.57 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5TokmasТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5InfineonIPT012N08N5ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon
auf Bestellung 40050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5VBSEMIТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.8 EUR
25+11.14 EUR
50+10.47 EUR
100+9.9 EUR
250+9.45 EUR
500+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.69 EUR
22+7.66 EUR
50+6.38 EUR
100+5.5 EUR
500+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
50+9.82 EUR
100+6.64 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
auf Bestellung 19084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.98 EUR
10+6.94 EUR
100+6.37 EUR
500+6.01 EUR
1000+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
50+9.82 EUR
100+6.64 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.4 EUR
12+7.56 EUR
100+7 EUR
500+6.68 EUR
1000+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.29 EUR
23+7.58 EUR
50+6.4 EUR
100+5.62 EUR
500+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
auf Bestellung 16062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.2 EUR
10+8.89 EUR
50+7.04 EUR
100+6.46 EUR
500+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SInfineonIPT012N08NF2SATMA1 MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+4.36 EUR
7200+3.94 EUR
10800+3.61 EUR
14400+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
10+7.24 EUR
50+5.69 EUR
100+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.66 EUR
10+7.14 EUR
100+5.11 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+9.35 EUR
100+8.75 EUR
500+8.13 EUR
1000+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+9.35 EUR
100+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+9.35 EUR
100+8.75 EUR
500+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.08 EUR
10+12.38 EUR
50+9.95 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.78 EUR
10+12.17 EUR
100+9.13 EUR
1000+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
17+14.07 EUR
19+11.3 EUR
50+9.98 EUR
100+8.76 EUR
250+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.99 EUR
17+9.81 EUR
100+6.91 EUR
500+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.74 EUR
19+8.94 EUR
100+6.77 EUR
500+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 825 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
17+14.07 EUR
19+11.3 EUR
50+9.98 EUR
100+8.76 EUR
250+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+5.34 EUR
100+4.84 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.06 EUR
2000+3.8 EUR
4000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 1300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
22+10.7 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+9.47 EUR
100+7.03 EUR
500+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 12518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+7.33 EUR
100+6.87 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.88 EUR
10000+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.11 EUR
10+9.57 EUR
100+7 EUR
500+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 1300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
22+10.7 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.28 EUR
25+12.53 EUR
50+11.79 EUR
100+11.14 EUR
250+10.64 EUR
500+10.19 EUR
1000+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
50+8.91 EUR
100+6.21 EUR
500+5.78 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 21611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+5.28 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.56 EUR
10000+4.19 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.97 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 849 Stücke:
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17+10.32 EUR
26+6.75 EUR
50+5.89 EUR
100+4.82 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.51 EUR
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IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
50+8.91 EUR
100+6.21 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.55 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 17261 Stücke:
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122+5.28 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.56 EUR
10000+4.19 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IPT015N10N5ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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17+10.67 EUR
25+6.83 EUR
50+5.87 EUR
100+4.72 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+4.3 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
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1+12.02 EUR
10+8.07 EUR
100+5.84 EUR
500+5.45 EUR
1000+5.21 EUR
2000+5.09 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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122+5.28 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.56 EUR
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IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 22185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
10+8.2 EUR
50+6.47 EUR
100+5.93 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+4.47 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.18 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
50+6.03 EUR
100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.41 EUR
41+4.09 EUR
50+3.9 EUR
100+3.01 EUR
500+2.61 EUR
1800+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.22 EUR
35+4.96 EUR
50+4.8 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 4014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.6 EUR
10+5.55 EUR
100+5.07 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.34 EUR
42+4.13 EUR
50+4 EUR
100+3.13 EUR
500+2.78 EUR
1800+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+4.47 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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