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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.34 EUR
10+11.52 EUR
100+9.32 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 333A; 278W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 333A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1mΩ
Power dissipation: 278W
Gate charge: 158nC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.52 EUR
20+11.77 EUR
100+8.27 EUR
500+8.01 EUR
1000+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+7.41 EUR
100+5.21 EUR
500+5.13 EUR
1000+4.84 EUR
2000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.92 EUR
22+10.95 EUR
100+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.37 EUR
23+10.53 EUR
100+7.24 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.11 EUR
10+9.57 EUR
100+7 EUR
500+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+9.47 EUR
100+7.03 EUR
500+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.37 EUR
23+10.53 EUR
100+7.24 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.44 EUR
25+12.67 EUR
50+11.92 EUR
100+11.27 EUR
250+10.76 EUR
500+10.31 EUR
1000+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.35 EUR
24+7.34 EUR
100+6.05 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
50+9.87 EUR
100+6.96 EUR
500+6.45 EUR
1000+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 169nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 16381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
10+8.22 EUR
100+5.94 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.28 EUR
24+7.13 EUR
100+5.78 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
auf Bestellung 33348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+7.72 EUR
100+5.84 EUR
500+5.45 EUR
1000+5.21 EUR
2000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
50+9.87 EUR
100+6.96 EUR
500+6.45 EUR
1000+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.77 EUR
50+6.64 EUR
100+4.34 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.29 EUR
10+7.39 EUR
100+5.46 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.78 EUR
10+7.2 EUR
100+5.15 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.61 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.89 EUR
1800+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
10+6.32 EUR
100+4.5 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
40+5.82 EUR
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+3.28 EUR
3600+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+10.35 EUR
100+7.59 EUR
500+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+8.43 EUR
100+6.15 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 321A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 321A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 206nC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.71 EUR
10+7.85 EUR
100+5.68 EUR
500+5.26 EUR
1000+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 7282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.05 EUR
10+9.5 EUR
100+6.91 EUR
500+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5Infineon
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.64 EUR
500+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.59 EUR
100+3.97 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.65 EUR
100+4 EUR
500+3.5 EUR
2000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.75 EUR
27+8.77 EUR
30+7.37 EUR
100+6.64 EUR
500+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A10-2PBN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A10-2PCPHM9EMI67F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A12-10PN407GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG11F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG13.5F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG135GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG16GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A14-12PPG16F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01A16-23SSRGlenairStandard Circular Connector
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IPT01A16-8PPHM11F2GlenairStandard Circular Connector
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IPT01E18-11PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01E20-41PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01E8-2PCSRF11GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
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IPT01G10-6SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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IPT01J14-12/3SGlenairCircular MIL Spec Connector
auf Bestellung 5 Stücke:
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IPT01M8-3PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01PP18-USBA-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT01QC12-A6PGB39GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT020N10N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.56 EUR
25+17.45 EUR
50+16.39 EUR
100+15.46 EUR
250+14.74 EUR
500+14.13 EUR
1000+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPT020N10N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1646 Stücke:
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1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+4.96 EUR
500+4.8 EUR
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.65 EUR
49+3.46 EUR
50+3.28 EUR
100+3.11 EUR
250+2.94 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11 EUR
35+6.77 EUR
100+4.8 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.65 EUR
49+3.55 EUR
50+3.42 EUR
100+3.28 EUR
250+3.18 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.44 EUR
10+8.32 EUR
100+6.68 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.28 EUR
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1InfineonIPT020N10N3ATMA1 Корпус: PG-HSOF-8-1, OptiMOSTM3Power-Transistor, 100V, -55...+175С Транзистори
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.61 EUR
10+8.47 EUR
100+6.13 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 156nC
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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