Produkte > MMR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| MMRF1021NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1022HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1022HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1022HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.14GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 16.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1023HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Power - Output: 66W Gain: 14.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1023HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1023HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Configuration: Dual Power - Output: 50W Gain: 14.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 700 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1050HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 1µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 850MHz ~ 950MHz Configuration: 2 N-Channel Power - Output: 1050W Gain: 21.3dB Technology: LDMOS (Dual) Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1050HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1050 W Peak over 850-950 MHz, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1304LR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000MHz 25W 50V | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304LR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 25.4dB Power - Output: 25W Frequency: 512MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1304NR1 /Freescale Produktcode: 109741
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| Transistoren > HF-Transistoren | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 26dB Power - Output: 100W Configuration: Dual Frequency: 512MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780-4 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1305HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1305HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1305HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1306HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1306HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1306HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1306HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1308HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1308HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1308HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1308HSR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1308HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: NI-1230-4S Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4S Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1310HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1310HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 26.5dB Power - Output: 300W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780-4 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1310HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1310HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1311HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Voltage - Rated: 50 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 140W Frequency: 470MHz ~ 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1311HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET 50V Automotive AEC-Q101 5-Pin NI-1230H T/R | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312GSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312GSR5 | NXP USA Inc. | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 112 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL Technology: LDMOS Gain: 19.6dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-1230-4S GW Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 112 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 19.6dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1312HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.034GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4S Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 112 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4S Technology: LDMOS Gain: 19.6dB | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1312HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1312HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 112 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4S Technology: LDMOS Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.034GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4S Packaging: Tape & Reel (TR) Gain: 19.6dB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314GSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1314HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1315NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1315NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor, 500-1000 MHz, 60 W CW, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1316NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1316NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317H-1030 | NXP Semiconductors | RF Development Tools MMRF1317H-1030 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1317HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1318NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1318NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Current - Test: 900 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 300W Frequency: 450MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1320GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1320GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1320NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1320NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 26.1dB Power - Output: 150W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2004NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2004NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.7GHz Power - Output: 4W Gain: 28.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 77 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2004NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 2.7GHz 32V 17-Pin TO-272 W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2005GNR1 | NXP / Freescale | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2005GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2005NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2005NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-16 Current - Test: 106 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WBL-16 Technology: LDMOS Gain: 35.9dB Power - Output: 3.2W Frequency: 940MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-270-16 Variant, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2006NT1 | NXP / Freescale | RF Amplifier 1805-2170 MHz 2.4W Avg. 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2006NT1 | NXP USA Inc. | Description: IC AMP W-CDMA 1.8-2.17GHZ 24QFN Supplier Device Package: 24-PQFN (8x8) Test Frequency: 1.8GHz ~ 2.17GHz P1dB: 43dBm Current - Supply: 230mA Gain: 36dB Voltage - Supply: 26V ~ 32V RF Type: W-CDMA Frequency: 1.8GHz ~ 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-PowerQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2007GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Frequency: 940MHz Power - Output: 35W Gain: 32.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WBL-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 60 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GN | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-14 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-14 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF2010NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2011NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 24QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-PowerQFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 960MHz Power - Output: 1.6W Technology: LDMOS Supplier Device Package: 24-PQFN-EP (8x8) Voltage - Rated: 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF2011NT1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 698-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |