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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+275.14 EUR
10+243.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+260.56 EUR
36+217.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+266.85 EUR
12+223.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.18 EUR
12+250.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 73A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+357.58 EUR
5+325.41 EUR
10+294.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 115-119 Tag (e)
1+492.1 EUR
10+460.91 EUR
25+446.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+429.82 EUR
12+391.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300N95H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1500V 125KW I-NPC Q2 PACK STRING INVERTER SOLAR PIM
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+284.21 EUR
12+218.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+295.88 EUR
12+282.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+293.91 EUR
12+266.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+551.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+448.39 EUR
12+435.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+468.56 EUR
5+426.39 EUR
10+385.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+326.95 EUR
12+283.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+352.72 EUR
12+318.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 115-119 Tag (e)
1+567.33 EUR
10+531.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+459.83 EUR
12+448.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: 26-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+163.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+165.48 EUR
12+145.73 EUR
102+137.33 EUR
252+136.52 EUR
504+136.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+157.21 EUR
12+142.47 EUR
30+126.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.64 EUR
12+183.65 EUR
54+183.2 EUR
102+180.33 EUR
252+179.64 EUR
2502+179.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 26-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+131.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+187.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB1000M10X33SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 15mΩ
Dimensions: Ø10x33mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 33mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB1000M12.5X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: NXH
Height: 20mm
Diameter: 12.5mm
Terminal pitch: 5mm
Kind of capacitor: low ESR
Impedance: 17mΩ
Dimensions: Ø12.5x20mm
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB100M6.3X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Pitch: 2.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 94mΩ
Dimensions: Ø6.3x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 100µF
Height: 11mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 6.3mm
Terminal pitch: 2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB2200M16X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 35VDC; Pitch: 7.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 13mΩ
Dimensions: Ø16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 2.2mF
Height: 25mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 16mm
Terminal pitch: 7.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB220M3.5TP8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.12 EUR
848+0.1 EUR
958+0.089 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB220M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB470M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 16mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB47M5X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 47uF; 35VDC; Pitch: 2mm; ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 0.22Ω
Dimensions: Ø5x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 47µF
Height: 11mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 5mm
Terminal pitch: 2mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35VB680M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 35VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 680µF
Height: 25mm
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1041.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2047.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.55 EUR
10+18.72 EUR
25+17.73 EUR
100+16.39 EUR
250+15.58 EUR
500+15.01 EUR
1000+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.92 EUR
12+20.1 EUR
25+17.59 EUR
50+16.17 EUR
100+14.93 EUR
250+14.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.36 EUR
10+11.08 EUR
2000+8.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 128KB
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Bauform - HF-IC: WLCSP
Betriebstemperatur, min.: -20°C
MCU-Core-Größe: 32bit
HF/IF-Modulation: GFSK
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
HF-Primärfunktion: Transceiver
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.92 EUR
12+20.1 EUR
25+17.59 EUR
50+16.17 EUR
100+14.93 EUR
250+14.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.4 EUR
10+11.65 EUR
25+11.13 EUR
100+9.65 EUR
250+9.21 EUR
500+8.43 EUR
1000+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK/A2Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40.000AF20F-BK3
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+281.61 EUR
36+238.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+276.32 EUR
10+267.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST#1
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+276.32 EUR
10+267.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+281.61 EUR
36+238.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+451.14 EUR
5+410.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+405.73 EUR
12+364.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+396.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Case: PIM42
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+396.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+452.44 EUR
5+411.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+405.73 EUR
12+364.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+704.05 EUR
10+659.43 EUR
25+638.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+593.85 EUR
12+566.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 360A 980W 48-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+321.26 EUR
12+294.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules ESS 200KW PIM SOLDER PIN
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+369.97 EUR
12+329.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM S
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+161.27 EUR
10+140.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+199.92 EUR
5+175.29 EUR
10+152.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+317.61 EUR
21+297.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGonsemiMOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+206.25 EUR
10+191.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+257.47 EUR
5+209.19 EUR
10+160.01 EUR
20+143.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules 3TNPC Q1PACK PIM 1200V/40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.64 EUR
21+135.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 42A 146W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+159.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 42A
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+116.5 EUR
5+106.03 EUR
10+95.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+308.56 EUR
5+280.78 EUR
10+253.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+267.42 EUR
12+243.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+282.53 EUR
12+238.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+471.11 EUR
12+433.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+539.39 EUR
10+505.19 EUR
25+488.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+243.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+276.73 EUR
12+267.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+319.78 EUR
5+290.99 EUR
10+263.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+282.05 EUR
12+238.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+219.66 EUR
10+188.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2S1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules 120KW 1100V Q2PACK
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+290.1 EUR
12+250.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+256.37 EUR
12+222.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH500B100H7F5SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 210A 503W 58-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 58-PIM (112x62)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 503 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+408.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH500B100H7Q2F2SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 209A 497W 50-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 209 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 497 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+241.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+210.21 EUR
12+180.01 EUR
30+175.3 EUR
54+174.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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