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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJ200EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.67 EUR
132+1.63 EUR
500+1.33 EUR
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
132+1.63 EUR
500+1.33 EUR
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.28 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
10+2.21 EUR
100+1.73 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.04 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ204EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ208EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ208EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 71040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.17 EUR
6000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
82+2.83 EUR
91+2.38 EUR
100+2.17 EUR
109+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
6000+1.11 EUR
9000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
75+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.24 EUR
141+1.21 EUR
153+1.09 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3
Produktcode: 214086
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
140+1.2 EUR
141+1.14 EUR
153+1.01 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ211ELP-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ244EP-T1_BE3Vishay General SemiconductorMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ244EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 3911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
105+2.23 EUR
156+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.12 EUR
100+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
105+2.23 EUR
156+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_BE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
106+2.21 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
11+1.98 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
106+2.21 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EPVishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.27 EUR
6000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ401EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 30060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.12 EUR
3000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ401EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
auf Bestellung 2914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+3.39 EUR
100+2.69 EUR
500+2.28 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ401EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
69+3.42 EUR
80+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
10+2.4 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.31 EUR
6000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.45 EUR
100+1.96 EUR
250+1.8 EUR
500+1.67 EUR
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
100+2.34 EUR
115+1.88 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
106+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ402EP-T1_GE3
Produktcode: 155826
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.24 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
115+1.88 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 25802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.21 EUR
6000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.56 EUR
122+1.38 EUR
123+1.32 EUR
138+1.13 EUR
250+1.07 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 21440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.65 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ407EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ407EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ407EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ407EP-T1_BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ407EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 49290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.31 EUR
100+1.65 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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