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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT4020BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT4020BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS
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APT4020BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT4025BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT4030CNR
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APT4065BNGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
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APT40DC120HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227
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APT40DC120HJMICROSEMIISOTOP-4/40 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, BRIDGE RECTIFIER DIODE APT40DC120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40DC120HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APT40DC60HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APT40DC60HJMicrosemi Power Products GroupDescription: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT40DQ100BCTGMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT40DQ100BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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APT40DQ100BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1000 V 40 A TO-247
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
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APT40DQ100BGMicrosemiDiode Switching 1KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-247 RoHS Транзистори
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APT40DQ120BCTGMicrosemi CorporationDescription: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GP 1.2KV 40A TO247
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120BGMicrochip TechnologySmall Signal Switching Diodes FRED DQ 1200 V 40 A TO-247
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
100+3.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120BGMICROSEMITO-247/40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT40DQ120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: D3Pak
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT40DQ60BCT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
100+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 600V 40A TO247 [B]
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BGMICROSEMITO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT40DQ60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40DQ60BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
100+3.03 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BGVAOMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
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APT40DQ60S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT40DR160HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.13 EUR
100+36.77 EUR
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APT40DR160HJMicrochip TechnologyBridge Rectifiers PM-DIODE-RECTIFIER-SOT227
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.37 EUR
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APT40DS04HJMicrosemi Power Products GroupDescription: MOD DIODE 45V SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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APT40DS10HJMicrosemi Power Products GroupDescription: MOD DIODE 100V SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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APT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT40GF120JRDMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 390 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.29 EUR
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APT40GF120JRDQ2Microsemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 77A 347W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GF120JRDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GL120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.73 EUR
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APT40GL120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 220 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GL120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GL120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 220 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GLQ120JCU2MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GLQ120JCU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60B2DF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60BGMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE APT40GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60F2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 86A 284W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JDF2APTPOWER MOS 7 IGBT, 600 V, 86 A, SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 600V 86A 284W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60SGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60SGMicrosemi CorporationDescription: IGBT PT 600V 100A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B2DF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 101A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B2DQ2GMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 900 V 40 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 100A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 825µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
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APT40GP90BGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT40GP90JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT40GP90JDF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT40GP90JDQ2Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
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APT40GP90JDQ2MICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT40GR120BMICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT40GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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APT40GR120BMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT40GR120BMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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APT40GR120B2D30MICROSEMITO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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APT40GR120B2D30Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.93 EUR
100+16.37 EUR
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APT40GR120B2SCD10MICROSEMITO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/166ns
Switching Energy: 929µJ (on), 1070µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GR120B2SCD10MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT40GR120SMICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT40GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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APT40GR120SMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GR120SMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-268
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.37 EUR
10+16.36 EUR
25+15.35 EUR
100+14.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GT60BRAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GT60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 80A TO247
Power - Max: 345 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 828µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.28 EUR
10+13.98 EUR
25+12.33 EUR
100+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBTs FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.8 EUR
10+16.09 EUR
25+15.33 EUR
100+13.32 EUR
500+11.58 EUR
1000+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVFRMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 93A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 46.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1065 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20160 pF @ 25 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm SOT-227
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.35 EUR
100+109.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVRAPTMFET, N-CH, 400 V, 93 A, 0.035 Om, SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVRMicrochip Technology / AtmelDiscrete Semiconductor Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm ISOTOP
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+146.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35PVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M42JNAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M42JNMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT40M70
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVFRMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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